Напівпровідникове кисневе піноскло

Напівпровідникове кисневе піноскло, яке містить склоутворювач В2О3, модифікатор ВаО, Винахід відноситься до галузі технології напівпровідникового кисневого піноскла та може бути використане при виготовленні скляного покриття, яке захищає від електромагнітного випромінювання Відомий спосіб отримання піноскла зумісним помолом скла та Антрацита зі швидкістю 1,5м2/кг'с (по ах №1206243 бывшего СССР Способ получения піноскла) Недоліком цього способу є відсутність регулювання діаметру пор при рівномірному додаванні домішок у всьому об'ємі піноскла з недостатньо Високими параметрами відбування та поглинання електромагнітного випромінювання Найбільш близьким до цього є напівпровідникове кисневе скло (патент №36106 16 04 2001 Бюл №3 2001 р Пономаренко О М , Новікова Л В , Новіков О О Напівпровідникове кисневе скло), яке містить 99% скло утворювача В2О3, 1% домішок та здатне відбивати електромагнітного випромінювання у НВЧ діапазоні Однак використання напівпровідникового кисневого скла не дозволяє отримати високі параметри відбивання та поглинання електромагнітного випромінювання для практичного використання у широкому діапазоні В основі цього винаходу була покладена задача вибору складу напівпровідникового кисневого піноскла з регулюванням розмірів пор при синтезі з заданою КІЛЬКІСТЮ ДОМІШОК та можливістю по кращення відбивання електромагнітного випромінювання домішку С, яке відрізняється тим, що як гелеутворювач і спінювач використовують силікат натрію N;а2О і SiO 2 при такому співвідношенні компонентів, мас % 29-33 В2О3 ВаО 31-34 С 10-12 Na 2 O 10,5-15 10,5-15 SiO 2 Задача вирішується вибором складу напівпровідникового кисневого піноскла, яке містить скло утворювач - В2О3, модифікатор-ВаО, домішку -С для гелеутворення і вспінювання-силікат натрію системи агО і S1O2 за такого співвідношення компонентів, мас % 29-33 В2О3 31-34 ВаО 10-12 С 10,5-15 Na2O SiO2 10,5-15 Введення у запропонований склад скла ВаО дозволяє збільшити в'язкість скла та зменшити кристалізаційну здатність, що дає можливість отримати однорідні піносклянні покриття зі збільшенням відбиваючих властивостей пшосклянного шару Іони домішки С при утворенні ряду матеріалів надають поглинаючи і відбиваючи, в залежності від діапазону електромагнітного випромінювання властивості, та у композиції з модифікатором, скло утворювачем та вспінювачем, що приводить до високих коефіцієнтів поглинання і відбивання, допомагають вирішить дану задачу Процес гелеутворення і вспінення підготовленої суміші починаються при температурі Т=20 С і Т=650 С ВІДПОВІДНО за рахунок додавання силікату натрію системи ІЧагО і S1O2 Необхідні розміри пор задаються як КІЛЬКІСТЮ ВаО, так і температурою скловаріння, при температурі скло варіння Т= 800°С пори зовсім зникають 1 ю 57441 Таким чином, сукупність запропонованих ознак суттєво відрізняє технічне рішення від існуючих Склад готують таким чином Приклад 1 Готують водний розчин гідроксиду барію ВаО 32,6мас %, углероду С 11 мас % У підготовлений розчин додають борну кислоту ВЮз 31 4мас %, і силікат нагрію (12,5 Na2O мас % +12,5 S1O2 мас %) при цьому утворюється гель Отриманий гель висушують до в'язкої суміші Зроблену суміш наносять на поверхні, що потребують у захисті від електромагнітного випромінювання, або за допомогою форм з металізованої кераміки 22ХС виготовляють задані розміри пластин та ш Склоутворення проводять у печі при температурі 700 С протягом 10 хвилин Розмір пор ~ 1мм Даний склад містить оптимальну КІЛЬКІСТЬ склоутворювача, модифікатора, домішку, додаткового гелеутворювача, вспінювача, що дозволяє отримати однорідну піноскляну пластину заданих форм, розмірів, відбиваючих та поглинаючих показників у широкому діапазоні електромагнітного випромінювання від 0 до 3-10 Гц Приклад 2 Готують водний розчин гідроксиду барію 31мас%, углероду 10мас% У підготовлений розчин додають борну кислоту 29 мас % і силікат нагрію (15Na2O мас %+12,5SiO2 мас %), при цьому утворюється гель Отриманий гель висушують до в'язкої суміші Зроблену суміш наносять на поверхні, що потребують у захисті від електромагнітного випромінювання, або за допомогою форм з металізованої кераміки 22ХС виготовляють задані розміри пластин та ш Склоутворення проводять у печі при температурі 700°С протягом Комп'ютерна верстка М Мацело 10 хвилин розмір пор 0,5-ьЗмм Максимальне додавання №гО не приводить до зниження температури склоутворення, погіршує процес пшоутворення Приклад 3 Готують водний розчин гідроксиду барію 34мас %, углероду 12мас% У підготовлений розчин додають борну кислоту ЗЗмас % і силікат натрію (5,25 №гО мас %+5,25 S1O2 мас %), при цьому утворюється гель Отриманий гель висушують до в'язкої суміші Зроблену суміш наносять на поверхні, що потребують у захисті від електромагнітного випромінювання, або за допомогою форм з металізованої кераміки 22ХС виготовляють задані розміри пластин та ш Склоутворення проводять у печі при температурі 700°С протягом 10 хвилин розмір пор 0,5-ьЗмм Наявність великої КІЛЬКОСТІ склоутворювача і малої КІЛЬКОСТІ додаткового гелеутворювача призводить до отримання не стійких до зовнішнього впливу піноскляних пластин Висновок оптимальним із запропонованих, вибраний склад №1 тому, що є найбільш здатним захищати від електромагнітного випромінювання вширокому діапазоні від 0 до 10 20 Гц, поглинання і відбивання змінюється в залежності від діапазону електромагнітного випромінювання, проте за піносклом не виявлено в зазначеному діапазону хвиль з потужністю -10 12Вт Отримані піносклянні пластини і поверхні зарекомендували себе, як фізично та ХІМІЧНО СТІЙКИ, ЯКІ здатні відбивати і поглинати електромагнітного випромінювання від 0 до 3-1020Гц, що визначає його промислове використання Підписано до друку 05 07 2003 Тираж39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ТОВ "Міжнародний науковий комітет", вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна