Сегнетоелектричний матеріал
Формула / Реферат
Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %:
сульфойодид сурми
52-95
сульфід миш'яку
решта.
Текст
Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить склоподібний сульфід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 52-95 сульфід миш'яку решта. (19) (21) a200701180 (22) 05.02.2007 (24) 27.12.2010 (46) 27.12.2010, Бюл.№ 24, 2010 р. (72) РУБІШ ВАСИЛЬ МИХАЙЛОВИЧ (73) УЖГОРОДСЬКИЙ НАУКОВОТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР МАТЕРІАЛІВ ОПТИЧНИХ НОСІЇВ ІНФОРМАЦІЇ ІНСТИТУТУ ПРОБЛЕМ РЕЄСТРАЦІЇ ІНФОРМАЦІЇ НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ (56) Краткая химическая энциклопедия / Под ред.Кнунянц И.Л.. - М.: Советская энциклопедия, 1965. - Том 4. - С. 774. Шаскольская М.П. Акустические кристаллы. - М.: Наука, 1982. - С. 377. 3 92896 Зразки, одержані в прикладах 1-4, краще піддаються механічній обробці, ніж кристалічний SbSJ за рахунок меншої крихкості. Всі сплави, Комп’ютерна верстка І.Скворцова 4 одержані в наведених прикладах, являються сегнетоелектричними, проте сплав із вмістом SbSJ менше 50 мас.% має неоднорідну структуру, що не забезпечує необхідної відтворюваності параметрів. Таким чином, запропонований сегнетоелектричний матеріал у порівнянні з прототипом механічного більш стійкий. Крім того, форма заготовок запропонованого матеріалу може бути реалізована на стадії охолодження розплаву. Джерела інформації: 1. Краткая химическая энциклопедия. Изд. «Советская энциклопедия», т.4, 1965, c.774. 2. Акустические кристаллы. Под ред. М.П. Шаскольской. М., «Наука», 1982, с.377. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюFerroelectric material
Автори англійськоюRubish Vasyl Mykhailovych
Назва патенту російськоюСегнетоэлектрический материал
Автори російськоюРубиш Василий Михайлович
МПК / Мітки
МПК: H01L 41/18, H01P 7/10
Мітки: матеріал, сегнетоелектричний
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-92896-segnetoelektrichnijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Сегнетоелектричний матеріал</a>
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 92332
Опубліковано: 25.10.2010
Автори: Шпак Анатолій Петрович, Шпирко Григорій Миколайович, Риган Михайло Юрійович, Рубіш Василь Михайлович
МПК: H01L 41/18
Мітки: матеріал, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
1. Сегнетоелектричний матеріал, що містить сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що додатково містить сульфід германію при наступному співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 55-95 сульфід германію решта. 2. Сегнетоелектричний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що містить склоподібний сульфід германію.3. Сегнетоелектричний матеріал за...
Сегнетоелектричний матеріал
Номер патенту: 91201
Опубліковано: 12.07.2010
Автори: Риган Михайло Юрійович, Шпирко Григорій Миколайович, Рубіш Василь Михайлович, Шпак Анатолій Петрович
МПК: H01L 41/18
Мітки: сегнетоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний матеріал, який містить кристалічний сульфойодид сурми, який відрізняється тим, що він додатково містить склоподібний селенід миш'яку при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: сульфойодид сурми 50-97 селенід миш'яку решта.
Сегнетоелектричний резонатор для спектрометру епр
Номер патенту: 40178
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Головіна Ірина Сергіївна, Сонько Тетяна Василівна, Гейфман Ілля Натанович
МПК: H01P 7/10, H01P 11/00
Мітки: епр, спектрометру, резонатор, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
1. Сегнетоелектричний резонатор для спектрометру ЕПР, виконаниий з монокристалу, який відрізняється тим, що він виконаний з танталату калія, легованого літієм з вмістом 0,01-0,1 %.2. Сегнетоелектричний резонатор по п.1, який відрізняється тим, що він виконаний у прямокутній формі.3. Сегнетоелектричний резонатор по п.1 і п.2, який відрізняється тим, що він має всередині отвір для розміщення досліджуваного об'єкта, а глибина...
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам’ятовуючий пристрій з неруйнівним зчитуванням
Номер патенту: 18752
Опубліковано: 15.11.2006
Автори: Самофалов Костянтин Григорович, Верба Олександр Андрійович, Скороход Ігор Олександрович, Мартинюк Яків Васильович, Клето Геннадій Іванович, Божко Анатолій Панасович
МПК: G11C 11/22
Мітки: пристрій, сегнетоелектричний, неруйнівним, запам'ятовуючий, зчитуванням, енергонезалежний
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, опірні шини, чутливі підсилювачі і комірки пам'яті, кожна з яких містить транзистор і сегнетоелектричний запам'ятовуючий елемент, який містить перший електрод, другий електрод і сегнетоелектричну плівку між ними, причому числові шини підключені до транзисторів, перші електроди запам'ятовуючих елементів через транзистори зв'язані з розрядними...
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам`ятовуючий пристрій
Номер патенту: 35574
Опубліковано: 25.09.2008
Автори: Мартинюк Яків Васильович, Верба Олександр Андрійович, Самофалов Костянтин Григорович
МПК: G11C 11/22
Мітки: енергонезалежний, запам'ятовуючий, пристрій, сегнетоелектричний
Формула / Реферат:
Сегнетоелектричний енергонезалежний запам'ятовуючий пристрій, що містить числові шини, розрядні шини, опірні шини, підсилювачі зчитування та запису і комірки пам'яті, кожна з яких містить транзистор і cегнетоелектричний запам'ятовуючий елемент, який містить перший електрод, другий електрод і сегнетоелектричну плівку між ними, причому числові шини підключені до транзисторів, перші електроди запам'ятовуючих елементів через транзистори зв'язані...
Попередній патент: Спосіб визначення граничного навантаження на палю
Наступний патент: Водонепроникна та повітропроникна підошва для взуття та взуття
Випадковий патент: Спосіб проведення лотереї на транспорті