Вимірювач магнітного поля і температури
Номер патенту: 28393
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Ющук Степан Іванович, Прохорович Анатолій Вікторович, Венгер Євген Федорович
Формула / Реферат
Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge<Zn> з питомим опором 0,6-1,0 Oм.cм, а підкладку - з марганцем-цинкового фериту.
Текст
Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge з питомим опором 0,6-1,0 Ом.см, а підкладку з марганець-цинкового фериту. (19) (21) 96124637 (22) 12.12.1996 (24) 16.10.2000 (33) UA (46) 16.10.2000, Бюл. № 5, 2000 р. (72) Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Євген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Ющук Степан Іванович (73) ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА", ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ HАH УКРАІНИ 28393 дки 3 і змінюючи магнітне поле в межах 0-0,5 Тл (при фіксованих температурах), та терморезистора 2 в термокамері ТК-1 в діапазоні температур 40-+60ºС. На фіг. 2 і фіг. 3 представлені градуювальні характеристики датчиків. На фіг. 2 (пряма 5) показана залежність R(T) терморезистора, яку можна апроксимувати прямими з нахилом DR(DT»1,2 Ом)°С (0-60°С), при цьому максимальна похибка за рахунок магнітного поля 0,08°С. На фіг. 3 (крива 6) наведено залежність приросту напруги на магніторезисторі DU=f(B) за рахунок магнітного поля при стабілізованому робочому струмі І0=160 мА. Для порівняння наведена теж на цьому рисунку залежність DU=f(B) для окремого магніторезистора без феритової підкладки (крива 7). Градуювальна характеристика магніторезистора (фіг. 3, крива 6) складається з двох ділянок: нелінійної при В=0-0,15 Тл і близької до лінійної при В=0,15-0,5 Тл. Коефіцієнт, чутливості до поля на першій з них складає g=(DU/U0DB)·100%≈ ≈157%/Тл, а на другій - 64%/Тл. Якщо характеризувати чутливість іншим коефіцієнтом g=DU/DB, то її значення складатимуть g1=0,29 мВ/мТл і g2=0,1 мВ/мТл, перевищуючи відповідні коефіцієнти для магніторезистора без підкладки вдвоє. Чутливість вимірювача ~ в 100 раз вища, ніж в прототипу (0,1-0,4)·10-2 мВ/мТл, що дозволяє вимірювати слабі магнітні поля (
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMagnetic field and temperature meter
Автори англійськоюBaitsar Roman Ivanovych, Varshava Slavomyr Stepanovych, Venher Yevhen Fedorovych, Prokhorovych Anatolii viktorovych, Yuschuk Stepan Ivanovych
Назва патенту російськоюИзмеритель магнитного поля и температуры
Автори російськоюБайцар Роман Иванович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Евгений Федорович, Прохорович Анатолий Викторович, Ющук Степан Иванович
МПК / Мітки
МПК: G01K 7/32, H01L 43/08
Мітки: поля, температури, вимірювач, магнітного
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-28393-vimiryuvach-magnitnogo-polya-i-temperaturi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Вимірювач магнітного поля і температури</a>
Попередній патент: Патронована вибухова речовина (варіанти)
Наступний патент: Багатофункціональний датчик
Випадковий патент: Пристрій для подання пакетів і горловин для них на карусельний механізм для обробки та спосіб для його здійснення