Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge<Zn> з питомим опором 0,6-1,0 Oм.cм, а підкладку - з марганцем-цинкового фериту.

Текст

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge з питомим опором 0,6-1,0 Ом.см, а підкладку з марганець-цинкового фериту. (19) (21) 96124637 (22) 12.12.1996 (24) 16.10.2000 (33) UA (46) 16.10.2000, Бюл. № 5, 2000 р. (72) Байцар Роман Іванович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Євген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Ющук Степан Іванович (73) ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА", ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ HАH УКРАІНИ 28393 дки 3 і змінюючи магнітне поле в межах 0-0,5 Тл (при фіксованих температурах), та терморезистора 2 в термокамері ТК-1 в діапазоні температур 40-+60ºС. На фіг. 2 і фіг. 3 представлені градуювальні характеристики датчиків. На фіг. 2 (пряма 5) показана залежність R(T) терморезистора, яку можна апроксимувати прямими з нахилом DR(DT»1,2 Ом)°С (0-60°С), при цьому максимальна похибка за рахунок магнітного поля 0,08°С. На фіг. 3 (крива 6) наведено залежність приросту напруги на магніторезисторі DU=f(B) за рахунок магнітного поля при стабілізованому робочому струмі І0=160 мА. Для порівняння наведена теж на цьому рисунку залежність DU=f(B) для окремого магніторезистора без феритової підкладки (крива 7). Градуювальна характеристика магніторезистора (фіг. 3, крива 6) складається з двох ділянок: нелінійної при В=0-0,15 Тл і близької до лінійної при В=0,15-0,5 Тл. Коефіцієнт, чутливості до поля на першій з них складає g=(DU/U0DB)·100%≈ ≈157%/Тл, а на другій - 64%/Тл. Якщо характеризувати чутливість іншим коефіцієнтом g=DU/DB, то її значення складатимуть g1=0,29 мВ/мТл і g2=0,1 мВ/мТл, перевищуючи відповідні коефіцієнти для магніторезистора без підкладки вдвоє. Чутливість вимірювача ~ в 100 раз вища, ніж в прототипу (0,1-0,4)·10-2 мВ/мТл, що дозволяє вимірювати слабі магнітні поля (

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Magnetic field and temperature meter

Автори англійською

Baitsar Roman Ivanovych, Varshava Slavomyr Stepanovych, Venher Yevhen Fedorovych, Prokhorovych Anatolii viktorovych, Yuschuk Stepan Ivanovych

Назва патенту російською

Измеритель магнитного поля и температуры

Автори російською

Байцар Роман Иванович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Евгений Федорович, Прохорович Анатолий Викторович, Ющук Степан Иванович

МПК / Мітки

МПК: G01K 7/32, H01L 43/08

Мітки: поля, температури, вимірювач, магнітного

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-28393-vimiryuvach-magnitnogo-polya-i-temperaturi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Вимірювач магнітного поля і температури</a>

Подібні патенти