Ющук Степан Іванович

Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 31098

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Савкіна Рада Константинівна, Ющук Степан Іванович, Юр'єв Сергій Олексійович, Смірнов Олексій Борисович

МПК: G01N 29/04

Мітки: напівпровідникових, частин, кристалів, дефектних, спосіб, виявлення

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів, що включає нагрівання напівпровідникових кристалів та візуалізацію дефектів, який відрізняється тим, що нагрівання напівпровідникових кристалів до виявлення дефектів здійснюють ультразвуком, а візуалізацію дефектів проводять в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль.

Спосіб вирощування монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії

Завантаження...

Номер патенту: 40028

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Ющук Степан Іванович, Юрчишин Петро Іванович, Юр'єв Сергій Олексійович, Варшава Славомир Степанович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Мітки: спосіб, методом, вирощування, монокристалічних, рідинно-фазної, ферит-гранатів, епітаксії, плівок

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування   монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення під­кладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворювальних окисидів та розчинника, і осадження плі­вок при заданих температурних режимах,   який   відріз­няється тим, що  як     розчинник беруть суміш оксидів молібдену, вісмуту і свинцю в таких співвідношеннях (мол. %): МоО3 - 5.0-10.0;  Bі2О3 -...

Датчик для вимірювання температури і магнітного поля

Завантаження...

Номер патенту: 33148

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Варшава Славомир Степанович, Венгер Евген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Ющук Степан Іванович

МПК: G01K 7/00, H01L 43/00

Мітки: вимірювання, датчик, магнітного, температури, поля

Текст:

...Х-и,5 з питомим опором 5ии-Іши Омш контакти створені з привареного лудженого мідного дроту, закріпленого ІНДІЄМ. встановлено, що виготовлення чутливого елемента датчика а пресованого марганець-цинкового фериту даного складу І питомого опору *абе»~ печуе добру температурну чутливість датчика в Інтервалі U».,+IOU°C s коефіцієнтом тК0-£ 5&/R, а також його чутливість до магнітних полів s коефіцієнтом^^ Ом /тл дз Оскільки...

Детектор нвч-випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 33039

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Байцар Роман Іванович, Ющук Степан Іванович, Варшава Славомир Степанович

МПК: G01R 21/00

Мітки: детектор, нвч-випромінювання

Текст:

...На фіг. зображений детектор НВЧ-випромІнювання, де ЧВ --ї , контакти - 2, струмопідводи - 3, феритові кільця - 4 . ( детектор НВЧ-випромінювання містить ЧЕ А. з напівпровідникового ниткоподібного монокристала твердого розчину$Li-x &&xскладу х=и,і)І, легованого/# І Аб/ , з питомим опором и,7 Ом,см, з контактами- 2 та струмопідводаьй- 3; на ЧЕ- І встановлені ферлтоБІ кільця- 4. Феритові кільця - 4 можуть мати форму тороїдальних...

Вимірювач магнітного поля і температури

Завантаження...

Номер патенту: 28393

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Венгер Євген Федорович, Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Ющук Степан Іванович

МПК: G01K 7/32, H01L 43/08

Мітки: магнітного, поля, вимірювач, температури

Формула / Реферат:

Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge<Zn> з питомим опором 0,6-1,0 Oм.cм, а підкладку - з...

Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату

Завантаження...

Номер патенту: 25599

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович, Костюк Петро Степанович

МПК: H01F 10/08, H01F 41/14

Мітки: плівок, вирощування, залізо-ітрієвого, гранату, спосіб, епітаксійних, заміщеного

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату методом рідкофазної епітаксії, що включає занурення підкладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворюючих окислів Fe2O3, Y2O3, La2O3 і розчинника PbO, B2O3 і осадження плівок при заданих режимах, який відрізняється тим, що в склад суміші додають Sc2O3 і вміст окислів в суміші беруть, моль. %: PbO - 81,021; В2O3 - 5,184; Fe2O3 - 13,265;...