Ющук Степан Іванович
Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів
Номер патенту: 31098
Опубліковано: 25.03.2008
Автори: Савкіна Рада Константинівна, Ющук Степан Іванович, Юр'єв Сергій Олексійович, Смірнов Олексій Борисович
МПК: G01N 29/04
Мітки: напівпровідникових, частин, кристалів, дефектних, спосіб, виявлення
Формула / Реферат:
Спосіб виявлення дефектних частин напівпровідникових кристалів, що включає нагрівання напівпровідникових кристалів та візуалізацію дефектів, який відрізняється тим, що нагрівання напівпровідникових кристалів до виявлення дефектів здійснюють ультразвуком, а візуалізацію дефектів проводять в інфрачервоному діапазоні довжин хвиль.
Спосіб вирощування монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії
Номер патенту: 40028
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Ющук Степан Іванович, Юрчишин Петро Іванович, Юр'єв Сергій Олексійович, Варшава Славомир Степанович
МПК: C30B 19/00, C30B 29/28
Мітки: спосіб, методом, вирощування, монокристалічних, рідинно-фазної, ферит-гранатів, епітаксії, плівок
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалічних плівок ферит-гранатів методом рідинно-фазної епітаксії, що включає занурення підкладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворювальних окисидів та розчинника, і осадження плівок при заданих температурних режимах, який відрізняється тим, що як розчинник беруть суміш оксидів молібдену, вісмуту і свинцю в таких співвідношеннях (мол. %): МоО3 - 5.0-10.0; Bі2О3 -...
Датчик для вимірювання температури і магнітного поля
Номер патенту: 33148
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Варшава Славомир Степанович, Венгер Евген Федорович, Прохорович Анатолій Вікторович, Ющук Степан Іванович
МПК: G01K 7/00, H01L 43/00
Мітки: вимірювання, датчик, магнітного, температури, поля
Текст:
...Х-и,5 з питомим опором 5ии-Іши Омш контакти створені з привареного лудженого мідного дроту, закріпленого ІНДІЄМ. встановлено, що виготовлення чутливого елемента датчика а пресованого марганець-цинкового фериту даного складу І питомого опору *абе»~ печуе добру температурну чутливість датчика в Інтервалі U».,+IOU°C s коефіцієнтом тК0-£ 5&/R, а також його чутливість до магнітних полів s коефіцієнтом^^ Ом /тл дз Оскільки...
Спосіб вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з циліндричними магнітними доменами
Номер патенту: 33040
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Юрчишин Петро Іванович, Юр'ев Сергій Олексійович, Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович
МПК: H01F 10/10, C30B 19/00
Мітки: плівок, ферит-гранатів, доменами, спосіб, епітаксійних, магнітними, циліндричними, вирощування
Детектор нвч-випромінювання
Номер патенту: 33039
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Байцар Роман Іванович, Ющук Степан Іванович, Варшава Славомир Степанович
МПК: G01R 21/00
Мітки: детектор, нвч-випромінювання
Текст:
...На фіг. зображений детектор НВЧ-випромІнювання, де ЧВ --ї , контакти - 2, струмопідводи - 3, феритові кільця - 4 . ( детектор НВЧ-випромінювання містить ЧЕ А. з напівпровідникового ниткоподібного монокристала твердого розчину$Li-x &&xскладу х=и,і)І, легованого/# І Аб/ , з питомим опором и,7 Ом,см, з контактами- 2 та струмопідводаьй- 3; на ЧЕ- І встановлені ферлтоБІ кільця- 4. Феритові кільця - 4 можуть мати форму тороїдальних...
Вимірювач магнітного поля і температури
Номер патенту: 28393
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Венгер Євген Федорович, Варшава Славомир Степанович, Байцар Роман Іванович, Ющук Степан Іванович
МПК: G01K 7/32, H01L 43/08
Мітки: магнітного, поля, вимірювач, температури
Формула / Реферат:
Вимірювач магнітного поля і температури, що містить датчик магнітного поля з напівпровідникового монокристала InSb, терморезистор з напівпровідникового ниткоподібного монокристала, розташовані на підкладці, який відрізняється тим, що датчик магнітного поля виконано у вигляді магніторезистора з питомим опором матеріалу 0,01 Ом.см, терморезистор - з твердого розчину Si-Ge<Zn> з питомим опором 0,6-1,0 Oм.cм, а підкладку - з...
Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату
Номер патенту: 25599
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Варшава Славомир Степанович, Ющук Степан Іванович, Костюк Петро Степанович
МПК: H01F 10/08, H01F 41/14
Мітки: плівок, вирощування, залізо-ітрієвого, гранату, спосіб, епітаксійних, заміщеного
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування епітаксійних плівок заміщеного залізо-ітрієвого гранату методом рідкофазної епітаксії, що включає занурення підкладки з галій-гадолінієвого гранату в перенасичений розплав суміші феритоутворюючих окислів Fe2O3, Y2O3, La2O3 і розчинника PbO, B2O3 і осадження плівок при заданих режимах, який відрізняється тим, що в склад суміші додають Sc2O3 і вміст окислів в суміші беруть, моль. %: PbO - 81,021; В2O3 - 5,184; Fe2O3 - 13,265;...