Спосіб перетворення оптичних зображень в електричні сигнали

Спосіб перетворення оптичних зображень в електричні сигнали шляхом реєстрації амплітуди фотостр умів або фотонапруги, що виникають в МДП стр уктурі з р-n переходом при опроміненні, 3 34700 4 тури з р-n переходом послідовно прикладають (Фіг.2). Таким чином можна здійснювати додаванелектричні поля, які викликають створення нестаня, віднімання і порівняння оптичних сигналів в ціонарних областей просторового заряду поблизу самій МДП стр уктурі з р-n переходом, що суміщує поверхні напівпровідник - діелектрик і в р-n перефункції фоточутливого елемента і елемента паході, розділяють електричні заряди, які генеруютьм'яті. Саме ці властивості забезпечують розшися опроміненням оптичних зображень в нестаціорення функціональних можливостей перетворюнарних областях просторового заряду, додатково вача оптичних сигналів в електричні на основі заряди інжектують в діелектрик МДП структури і МДП структур з р-n переходом. запам’ятовують інжектовані заряди, а вихідний Таким чином досягається суттєве зниження інформаційний сигнал визначають по зміні амплівимог до схем ввімкнення пристрою. Сукупність туд ви хідного фотоструму або фотонапруги. ознак пропонованої корисної моделі дозволяє Корисна модель пояснюється Фіг.1-2. опрацьовувати інформацію, яка міститься в сигнаНа Фіг.1 зображено поперечний розріз МДП лах оптичних зображень безпосередньо в самій структури з р-n переходом. МДП - стр уктурі з р-n переходом, незалежно від На Фіг.2 представленні часові діаграми, що потужності джерел з когерентним та некогерентпояснюють запропонований спосіб при зчитуванні ним випромінюванням і не потребує попереднього оптичних сигналів. опрацювання випромінювання (модуляції). На фігурах прийняті такі позначення: Заявлений спосіб може бути широко викорис1 - шар SiO2; таним за рахунок: 2 - шар Si3N4; - можливості виготовлення пристроїв перетво3 - запам'ятовуючий затвор; рення оптичних зображень в електричні сигнали 4 - керуючий електрод; методами дешевої технології виготовлення МДП 5 - електрод стоку; інтегральних схем, 6 - вихідна шина; - відсутності необхідності виготовлення над 7 - напівпровідникова область другого типу високоякісних однорідних р-n переходів більшої провідності (стік); площі, 8 - напівпровідникова підкладка першого типу - високого рівня вихідних сигналів, що виклюпровідності (загальна шина); чає необхідність застосування високоякісних по9 - перша керуюча шина; передніх підсилювачів, 10 - напівпровідникова область другого типу - можливості роботи з немодульованими джепровідності (витік); релами випромінювання низької інтенсивності, що 11 - друга керуюча шина; дозволяє використовувати малогабаритні оптичні U39 - напруга, прикладена до запам'ятовуючовузли. го затвору відносно загальної шини; Таким чином, винахідницький задум перетвоU49 - напруга, прикладена до керуючого зарення оптичних зображень в електричні сигнали за твору відносно загальної шини; допомогою запропонованого способу дозволяє U59 - напруга, прикладена до електрода стоку, суттєво вдосконалити спосіб перетворення оптичвідносно загальної шини; них зображень в електричні сигнали шляхом опU12 - напруга, прикладена до підзатвочного рацювання інформації, яка міститься в сигналах запам'ятовуючого діелектрика (до шарів SiO2 і оптичних зображень безпосередньо в самій МДП Si3N4); структурі з р-n переходом при одночасному забезU78 - напруга на області витоку, відносно запеченні можливості різкого зниження вартості пригальної шини, в момент часу, що відповідає зчитустроїв за рахунок технології виготовлення МДП ванні інформаційного сигналу; інтегральних схем. Po - імпульс оптичного випромінювання. Переваги запропонованого способу. При переСуть запропонованого технічного рішення потворенні оптичних зображень в електричні сигнали лягає в слідуючому: за допомогою вище переразапропонованим способом немає потреби у викохованих ознак запропонованого способу в самій ристанні додаткових: запам'ятовуючого пристрою, МДП стр уктурі з р-n переходом (Фіг.1) досягається схеми керування пам’яттю, аналого-цифрового можливість оптичного керування записом і витиперетворювача, диференційного підсилювача, ранням оптичної інформації, а також можливості арифметико-логічного пристрою. порівняння оптичних сигналів з електричними 5 Комп’ютерна в ерстка В. Мацело 34700 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601