H01L 31/10 — характеризуються наявністю, щонайменше, одного поверхневого бар’єру або потенційного бар’єру, на якому має місце стрибкоподібне зміна потенціалу, наприклад фототранзистори

Номер патенту: 99647

Опубліковано: 10.06.2015

Автор: Широков Ігор Борисович

МПК: H01L 31/10, H01L 21/70, F21S 8/00 ...

Мітки: струмом, керування, світлодіодів, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій керування струмом світлодіодів, що містить у собі мікросхему зворотноходового перетворювача напруги, випрямний діод, електролітичний конденсатор випрямляча зворотноходового перетворювача, керамічний блокувальний конденсатор, лінійку світлодіодів, баластний опір, оптоелектронний перетворювач, який відрізняється тим, що у схему зворотноходового перетворювача включений дросель, перший вивід якого з'єднаний з лінією високовольтного...

Номер патенту: 99523

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Поляков Сергій Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій на базі одноперехідного фототранзистора, який ввімкнено в схему генератора релаксаційних коливань з струмозадаючим елементом в ланцюжку бази і конденсатором С в ланцюжку емітер-база, який заряджений через біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що як струмозадаючий елемент бази одноперехідного фототранзистора використовується МДН-фототранзистор, в якому між металевим шаром затвору і діелектриком...

Номер патенту: 99283

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Поляков Сергій Миколайович, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/10, G02F 1/00

Мітки: оптичний, модулятор

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникової структури, що містить p- і n-області, а також омічні контакти до них, який відрізняється тим, що проміж p- і n-областями розміщено напівпровідник з забороненою зоною, меншою, ніж заборонені зони p- і n-областей.

Номер патенту: 92282

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Поляков Сергій Миколайович, Веремйова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: одноперехідного, основі, генератор, транзистора

Формула / Реферат:

Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід.

Номер патенту: 89074

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Софронков Олександр Наумович

МПК: G02F 1/00, H01L 31/10

Мітки: оптичний, модулятор

Формула / Реферат:

Оптичний модулятор, виготовлений з напівпровідникової структури, що містить р-n-перехід, а також омічні контакти до р- і n-областей, який відрізняється тим, що р-n-перехід виготовлено з напівпровідників з різною шириною забороненої зони.

Номер патенту: 82586

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймальний, пристрій

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах та фотоприймачі, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використано польові фототранзистори, причому як два фототранзистори з позитивним знаком фоточутливості, розташованих в протилежних плечах мосту, використовуються МДН-фототранзистори, а як два інших, з негативним знаком фоточутливості, використовуються МДН-фототранзистори з прошарком...

Номер патенту: 79408

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Веремйова Ганна Вікторівна, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: пристрій, фотоприймальний

Формула / Реферат:

Фотоприймальний пристрій, що містить вимірювальний міст з чотирьох елементів в плечах, включно фотоприймачі, який відрізняється тим, що як всі чотири елементи використано фоторезистори, причому як два фоторезистори з позитивним знаком фоточутливості, розташовані у протилежних плечах мосту, використано сірчано-кадмієві фоторезистори, а як два інші, з негативним знаком фоточутливості, використано фоторезистори, які виготовлено із...

Номер патенту: 76593

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Веремйова Ганна Вікторівна, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Годованюк Василь Миколайович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить генератор на одноперехідному фототранзисторі, в електричний контур емітера якого ввімкнутий конденсатор, який відрізняється тим, що як конденсатор використовується МДН-структура, електрична ємність якої зменшується із зменшенням напруги.

Номер патенту: 58429

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Німцович Андрій Іванович, Вікуліна Лідія Федорівна

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить одноперехідний фототранзистор на базі напівпровідника n-типу провідності з двома омічними контактами, емітерним p-n-переходом між ними та областю n-типу в емітерній р-області, який відрізняється тим, що в емітерній p-області сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 34700

Опубліковано: 26.08.2008

Автор: Литвин Ігор Сергійович

МПК: H01L 31/08, H01L 31/10

Мітки: спосіб, оптичних, зображень, електричні, сигнали, перетворення

Формула / Реферат:

Спосіб перетворення оптичних зображень в електричні сигнали шляхом реєстрації амплітуди фотострумів або фотонапруги, що виникають в МДП структурі з р-n переходом при опроміненні, який відрізняється тим, що до МДП структури з р-n переходом послідовно прикладають електричні поля, які викликають створення нестаціонарних областей просторового заряду поблизу поверхні напівпровідник - діелектрик і в р-n переході, розділяють електричні заряди, які...

Номер патенту: 20016

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Панфілов Максим Іванович

МПК: H01L 31/10

Мітки: фототранзистор, одноперехідний

Формула / Реферат:

Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-n-переходу сформовано додаткову область n-типу.

Номер патенту: 19922

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Никифоров Станислав Миколайович, Вікулін Іван Михайлович, Мінгальов Володимир Олександрович, Курмашев Шаміль Джамашевич

МПК: H01L 31/10

Мітки: фотоприймач

Формула / Реферат:

Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.

Номер патенту: 16376

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Стріха Віталій Іларіонович, Конопальцева Людмила Іванівна, Раренко Іларій Михайлович, Бабак Олександр Костянтинович

МПК: H01L 31/10

Мітки: багатоелементний, фотоприймач, шоткі, бар'єром

Формула / Реферат:

1. Многоэлементный фотоприемник с барьером Шоттки, содержащий полупроводниковый слой, на одной поверхности которого расположены две группы металлических или квазиметаллических электродов, снабженных электрическими выводами, причем по крайней мере часть электродов образует с полупроводниковым слоем барьер Шоттки, отличающийся тем, что, с целью обеспечения многоканальной регистрации оптического излучения, один из электродов выполнен общим и не...