Спосіб отвердіння епоксидної композиції

Спосіб отвердіння епоксидної композиції, що полягає у створенні механічної суміші з епоксидної діанової смоли і отверджувача, який відрізняється тим, що епоксидну діанову смолу додатково опромінюють ультрафіолетом, а отверджувач обробляють електроіскровим гідроударом, після чого змішують епоксидну діанову смолу і отверджувач та термообробляють механічну суміш при температурі 323-343 К протягом часу 1,8-2,0 год. (19) (21) u200806264 (22) 12.05.2008 (24) 10.11.2008 (46) 10.11.2008, Бюл.№ 21, 2008 р. (72) ДОБРОТВОР ІГОР ГРИГОРОВИЧ, UA, БУКЕТОВ АНДРІЙ ВІКТОРОВИЧ, UA, МИТНИК МИКОЛА МИРОСЛАВОВИЧ, U A, ШКОДЗІНСЬКИЙ ОЛЕГ КСАВЕРОВИЧ, U A, П АСТУХ ОЛЕГ АНАТОЛІЙОВИЧ, UA, САВЧУК ПЕТРО ПЕТРОВИЧ, UA (73) ТЕРНОПІЛЬСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ЕКОНОМІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ, U A 3 36796 властивостями та адгезійною міцністю до чорних металів і сплавів. Для зшивання епоксидного зв'язуючого використовували отверджувач поліетиленполіамін (ПЕПА) (ТУ 6-02-594-73). Отверджувач у зв'язуюче вводили при стехіометричному співвідношенні компонентів. Опромінення епоксидної діанової смоли ультрафіолетом сприяє активації макромолекул олігомера до інтенсивнішої взаємодії між собою та з активними центрами на поверхні металевої основи при зшиванні зв'язуючого. Оброблення отверджувача електроіскровим гідроударом забезпечує утворення вільних активних радикалів, що забезпечує інтенсивну полімеризацію зв'язуючого з високим вмістом гель-фракції. Це суттєво підвищує теплофізичні характеристики захисних покриттів. Термообробка механічної суміші при температурі Т=323-343К протягом часу t=1,8-2,0 год. забезпечує утворення фізичних і хімічних зв'язків між макромолекулами зв'язуючого і активними центрами на поверхні основи, що зумовлює підвищення експлуатаційних характеристик компози 4 тів. Термообробка епоксидної композиції при температурі, яка вища оптимальних режимів та з тривалістю, що більша за час t=1,8-2,0 год, зумовлює збільшення залишкових напружень, що погіршує фізико-механічні властивості матеріалу. Термообробка епоксидної композиції при температурно-часових режимах, які нижчі від оптимальних значень, зменшує міжфазову фізичну і хімічну взаємодію, що погіршує теплостійкість матеріалу. Таким чином, порівняно з відомими технічними рішеннями заявлений об'єкт та спосіб його отвердіння має суттєві відмінності, а отримання позитивного ефекту зумовлено усією сук упністю властивостей компонентів. В таблиці наведено приклади конкретного виконання способу отвердіння епоксидної композиції: технічні рішення згідно з заявкою, контрольні приклади способу отвердіння прототипу, а також їхні порівняльні властивості при різних температурно-часових режимах отвердіння. Таблиця Спосіб отвердіння епоксидної композиції. Режими форЕтапи способу Контрольні приклади Прототип № отвердіння епок- мування згідно з винаходом сидної композиції І II III І ІІ III IV V VI VII VIII IX X I II ІІІ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 Опромінення 1 епоксидної ліа+ + + + + + + + + + + + + нової смоли ультрафіолетом Оброблення отверджувача -r 2 + + + + + + + + + + + + електроіскровим гідроударом Змішування 3 епоксидної діа+ + + + + + + + + + + + + + + + нової смоли і отверджувача Температура термообробки 4 323 333 343 303 313 323 343 333 333 323 343 353 363 323 333 343 механічної суміші, К Тривалість тер5 1,8 1,9 2,0 1,5 1,7 2,0 1,8 1,8 2,0 1,9 1,9 2,3 2,5 1,8 1,9 2,0 мообробки, год. Характеристики епоксидного композита Теплостійкість, 1 62 64 64 56 54 60 66 62 64 66 63 60 59 34 36 35 Т, К Термічний коефіцієнт лінійного 5,6 5,5 5,5 6,1 6,0 5,4 5,2 5.7 5,5 5.2 5,3 5,9 6,3 9,1 9,0 9,4 2 розширення, α·10-5, К-1 Примітка: + етап технологічного процесу проводили; - етап технологічного процесу не проводили. Теплостійкість (за Мартенсом) композитів визначали згідно з ГОСТ 21341-75. Термічний коефіцієнт лінійного розширення визначали за зміною довжини зразка при зміні температури в стаціонарних умовах (ГОСТ 15173 70). Зовнішні параметри зразків: 50х10х10 мм. Кількість зразків для кожної партії вибирали не менше трьох. Абсолютне видовження визначали як різницю видовжень зразків і кварцових наконечників. 5 Комп’ютерна в ерстка І.Скворцов а 36796 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601