Фотоннокристалічний пристрій

1. Фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд отворів, 3 тей відомого пристрою шляхом виконання сигнального провідника з гальванічно зв'язаних між собою відрізків мікросмужкових та навісних провідників на одній діелектричній основі з неоднорідностями. Поставлена задача вирішується тим, що у фотоннокристалічному пристрої, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд отворів, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, новим є те, що сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових та навісних провідників, причому мікросмужкові провідники розміщено почергово з отворами, а над кожним з отворів розміщено навісний провідник. Навісний провідник виконано безперервним вздовж усього ряду отворів. Корисна модель пояснюється кресленнями на Фіг. 1 та Фіг. 2. На Фіг. 1 показано загальний вид фотоннокристалічного пристрою, на Фіг. 2 – вид зверху по Фіг. 1. На Фіг. 3 представлено експериментальну та розрахункову частотні характеристики коефіцієнта проходження Т для фотоннокристалічного пристрою конкретної реалізації. Фотоннокристалічний пристрій містить діелектричну основу 1, в якій виконано ряд отворів 2, що розміщені з заданою періодичністю. З одного боку виконано металізацію 3 основи. Сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових 4 та навісних 5 провідників. Мікросмужкові провідники розміщено почергово з отворами, а над кожним з отворів розміщено навісний провідник. В основі роботи пристрою лежить процес поширення електромагнітних хвиль вздовж мікросмужкової лінії. В результаті відбиття хвиль від періодично розташованих неоднорідностей у вигляді отворів в металізації і в основі формуються дозволені та заборонені частотні зони. Ширину забороненої зони і мінімум коефіцієнта проходження сигналу визначає відношення хвильових імпедансів різнорідних областей ФК. Хвильовий імпеданс мікросмужкової лінії залежить від ширини сигналь 53885 4 ного провідника, тому, як відомо, провідник з періодично змінною шириною має періодично змінний хвильовий імпеданс. Такий сигнальний провідник максимізує ефективність ФК. Інтегральне, на одній діелектричній основі, виконання неоднорідностей та сигнального провідника забезпечує високу ефективність пристрою, спрощує конструкцію та зменшує чутливість до зовнішніх механічних впливів. Виконання відрізків мікросмужкового провідника меншої довжини, ніж відстань між отворами, і більшої ширини, ніж ширина відрізків навісного провідника, забезпечить формування трирівневої залежності хвильового імпедансу. Верхній рівень відповідає отворам, середній – області основи з навісним провідником, нижній – області основи з мікросмужковим провідником. Трирівнева залежність розширює функціональні можливості в формуванні заданих частотних характеристик у порівнянні з дворівневою залежністю. При виконанні навісного провідника безперервним вздовж усього ряду отворів за п. 2 формули корисної моделі спрощується конструкція сигнального провідника. Залежності на Фіг. 3 відповідають експериментальній (1) і розрахунковій (2) частотним характеристикам коефіцієнта проходження пристрою такої конкретної реалізації. Отвори виконано круглими. Параметри пристрою: період ФК 20 мм, діаметр отворів 6 мм, число отворів 5, довжина відрізків мікросмужкового провідника дорівнює відстані між отворами – 14 мм, ширина відрізків мікросмужкового провідника 6 мм, товщина мідної фольги 50 мкм, товщина діелектрика 2,1 мм, відносна діелектрична проникність діелектрика 7, тангенс кута діелектричних втрат 0,0025 на частоті 10 ГГц. Навісний провідник, виконаний безперервним круглим дротовим провідником діаметром 0,1 мм, гальванічно зв’язано з відрізками мікросмужкового провідника. Відношення імпедансів різнорідних областей ФК складає 17,5. Для характеристики 1 середня частота забороненої зони дорівнює 3,49 ГГц, відносна ширина забороненої зони 85 %, мінімум коефіцієнта проходження – 62 дБ. 5 Комп’ютерна верстка І.Скворцова 53885 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601