Спосіб отвердіння епоксидної композиції

Спосіб отвердіння епоксидної композиції, що включає створення механічної суміші з опроміненої ультрафіолетом епоксидної діанової смоли і пластифікатора, яку термообробляють при температурі 323-343 К протягом часу 1,8-2,0 год., а потім вводять отверджувач, який відрізняється тим, що пластифікатор попередньо обробляють у постійному магнітному полі. (19) (21) u201004179 (22) 12.04.2010 (24) 25.10.2010 (46) 25.10.2010, Бюл.№ 20, 2010 р. (72) БУКЕТОВ АНДРІЙ ВІКТОРОВИЧ, МАРУЩАК ПАВЛО ОРЕСТОВИЧ (73) ТЕРНОПІЛЬСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ІВАНА ПУЛЮЯ 3 53953 4 Формування компаунду на основі епоксидної взаємодії, що погіршує фізико-механічні властиводіанової смоли ЕД-20 та пластифікатора дозволяє сті композита. Термообробка композиції при темполіпшити реологічні властивості епоксидних компературно-часових режимах, які нижчі від оптимапозицій та знизити залишкові напруження у процельних значень, зменшує міжфазову фізичну і сі експлуатації покриття. хімічну взаємодію, що погіршує теплофізичні власОпромінення епоксидної діанової смоли ульттивості матеріалу. рафіолетом забезпечує утворення йонів, що сприТаким чином, порівняно з відомими технічними яє кращому зшиванню епоксидної матриці. Оброрішеннями заявлений об'єкт та спосіб його отверблення пластифікатора у постійному магнітному діння має суттєві відмінності, а отримання позитиполі забезпечує утворення вільних активних радивного ефекту зумовлено усією сукупністю властикалів, що забезпечує інтенсивну полімеризацію востей компонентів. зв'язувача з високим вмістом гель-фракції. Це сутВ таблиці наведено приклади конкретного витєво підвищує теплофізичні характеристики захисконання способу отвердіння епоксидної композиних покриттів. Наступна термообробка суміші плації: технічні рішення згідно з заявкою, контрольні стифікатора і епоксидної діанової смоли поліпшує приклади способу отвердіння прототипу, а також міжфазну взаємодію і сприяє поліпшенню антисеїхні порівняльні властивості при різних температудиментаційних та когезійних властивостей матерірно-часових режимах отвердіння. алу. Теплостійкість (за Мартенсом) KM визначали Термообробка композиції при температурі згідно з ГОСТ 21341-75. Термічний коефіцієнт лінійного розширення Т=323-343К протягом часу =1,8~2,0год. забезпевизначали за зміною довжини зразка при зміні течує утворення фізичних і хімічних зв'язків між макмператури в стаціонарних умовах (ГОСТ 15173ромолекулами зв'язувача і активними центрами на 70). Зовнішні параметри зразків: 50x10х10мм. Кіповерхні основи, що зумовлює поліпшення фізиколькість зразків для кожної партії вибирали не мемеханічних властивостей композитів. Термообробнше трьох. Абсолютне видовження визначали як ка композиції при температурі, яка вища оптимарізницю видовжень зразків і кварцових наконечнильних режимів та з тривалістю, що більша за час ків. =1,8-2,0год, зумовлює зменшення міжфазової Таблиця Спосіб отвердіння епоксидної композиції № 1 1 2 3 4 5 6 7 1 2 Етапи способу отвердіння епоксидної композиції Режими формування згідно з корисною моделлю І II III І 3 4 5 6 Контрольні приклади Прототип II III IV V VI VII VIII IX X І II III 2 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 Опромінення епоксидної діанової смоли + + + + + + + + + + + + + + + + ультрафіолетом Змішування епоксидної діанової смоли і - - - - - - - - - - + + + отверджувача Оброблення пластифікатора у постійно+ + + + + + + + + + + + - - му магнітному полі Змішування епоксидної діанової смоли і + + + + + + + + + + + + + + + + пластифікатора Температура термообробки смоли і пла323 333 343 303 313 323 343 333 333 323 343 353 363 323 333 343 стифікатора, К Тривалість термообробки смоли і плас1,8 1,9 2,0 1,5 1,7 2,0 1,8 1,8 2,0 1,9 1,9 2,3 2,5 1,8 1,9 2,0 тифікатора, год. Змішування опроміненої епоксидної діанової смоли, оброленого пластифікатора + + + + + + + + + + + + - - - та отверджувача Характеристики епоксидного композита Теплостійкість, Т, К 77 78 77 71 69 77 75 78 78 76 74 70 68 46 46 48 Термічний коефіцієнт лінійного розши3,6 3,7 3,8 4,2 4,4 3,7 3,8 3,6 3,9 3,7 3,9 4,0 4,3 7,4 7,0 7,2 10 5 , К-1 рення, Примітка: + етап технологічного процесу отвердіння епоксидної композиції проводили; - етап технологічного процесу отвердіння епоксидної композиції не проводили. 5 Комп’ютерна верстка В. Мацело 53953 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601