Спосіб отвердіння епоксидної композиції

Спосіб отвердіння епоксидної композиції, що включає створення механічної суміші з епоксидної діанової смоли і пластифікатора, яку термообробляють при температурі 323-343 К протягом часу 1,8-2,0 год., а потім вводять отверджувач, який відрізняється тим, що епоксидну діанову смолу обробляють у постійному магнітному полі, а пластифікатор опромінюють ультрафіолетом. (19) (21) u201004180 (22) 12.04.2010 (24) 25.10.2010 (46) 25.10.2010, Бюл.№ 20, 2010 р. (72) БУКЕТОВ АНДРІЙ ВІКТОРОВИЧ, БУКЕТОВА НАТАЛІЯ МИКОЛАЇВНА (73) ТЕРНОПІЛЬСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ІВАНА ПУЛЮЯ 3 53954 ленполіамін (ПЕПА) (ТУ 6-02-594-73). Отверджувач у в’яжуче вводили при стехіометричному співвідношенні компонентів. Формування компаунду на основі епоксидної діанової смоли ЕД-20 та пластифікатора дозволяє поліпшити реологічні властивості епоксидних композицій та знизити залишкові напруження у процесі експлуатації покриття. Оброблення епоксидної діанової смоли у постійному магнітному полі забезпечує утворення вільних активних радикалів, що забезпечує інтенсивну полімеризацію в’яжучого з високим вмістом гель-фракції. Опромінення пластифікатора ультрафіолетом забезпечує утворення йонів, що сприяє кращому зшиванню епоксидної матриці. Це суттєво підвищує фізико-механічні характеристики захисних покриттів. Наступна термообробка суміші пластифікатора і епоксидної діанової смоли поліпшує міжфазну взаємодію і сприяє поліпшенню антиседиментаційних та когезійних властивостей матеріалу. Термообробка композиції при температурі Т=323-343К протягом часу =1,8-2,0год. забезпечує утворення фізичних і хімічних зв'язків між макромолекулами зв'язувача і активними центрами на 4 поверхні основи, що зумовлює поліпшення фізикомеханічних властивостей композитів. Термообробка композиції при температурі, яка вища оптимальних режимів та з тривалістю, що більша за час =1,8-2,0год, зумовлює зменшення міжфазової взаємодії, що погіршує фізико-механічні властивості композита. Термообробка композиції при температурно-часових режимах, які нижчі від оптимальних значень, зменшує міжфазову фізичну і хімічну взаємодію, що погіршує властивості матеріалу. Таким чином, порівняно з відомими технічними рішеннями, заявлений об'єкт та спосіб його отвердіння має суттєві відмінності, а отримання позитивного ефекту зумовлено усією сукупністю властивостей компонентів. В таблиці наведено приклади конкретного виконання способу отвердіння епоксидної композиції: технічні рішення згідно з заявкою, контрольні приклади способу отвердіння прототипу, а також їхні порівняльні властивості при різних температурно-часових режимах отвердіння. Руйнівне напруження композитів при згинанні визначали згідно з ГОСТ 4648-71. Таблиця Спосіб отвердіння епоксидної композиції Режими формування згідно Етапи способу Контрольні приклади № отвердіння епоксид- з корисною моделлю ної композиції І ІІ III І II III IV V VI VII 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Оброблення епоксидної діанової 1 + + + + + + + + + + смоли у постійному магнітному полі Змішування епоксидної діанової 2 смоли і отверджувача Опромінення плас3 тифікатора ульт+ + + + + + + + + + рафіолетом Змішування епоксидної діанової 4 + + + + + + + + + + смоли і пластифікатора Температура тер5 мообробки смоли і 323 333 343 303 313 323 343 333 333 323 пластифікатора, К Тривалість термоо6 бробки смоли і пла- 1,8 1,9 2,0 1,5 1,7 2,0 1,8 1,8 2,0 1,9 стифікатора, год. Прототип VIII 13 IX 14 X 15 І 16 II 17 III 18 + + + + + + + + + + + + 343 353 363 323 333 343 1,9 2,3 2,5 1,8 1,9 2,0 5 53954 6 Продовження таблиці 1 2 Змішування обробленої епоксидної діанової смоли, 7 опроміненого пластифікатора та отверджувача 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 + + + + + + + + + + + + + Характеристики епоксидного композита Руйнівне напру1 ження композитів при згинанні, МПа 86,0 85,6 85,9 76,7 78,3 85,0 86,4 85,3 84,8 84,6 85,7 82,5 80,1 56,8 55,4 53,8 Примітка: + етап технологічного процесу отвердіння епоксидної композиції проводили; - етап технологічного процесу отвердіння епоксидної композиції не проводили. Комп’ютерна верстка Л.Литвиненко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601