Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі оксиду лантану

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Надвисокочастотний діелектричний матеріал, на основі оксиду лантану, який відрізняється тим, що містить додатково карбонат натрію і оксид ніобію, що приводить до збільшення в 6-8 раз величини діелектричної проникності і взятих в співвідношенні компонентів (мас.%):

Lа2О3

3,5-14,6

Na2CO3

14,2-25,0

Nb2О5

71,2-71,4.

Текст

Надвисокочастотний діелектричний матеріал, на основі оксиду лантану, який відрізняється тим, що містить додатково карбонат натрію і оксид ніобію, що приводить до збільшення в 6-8 раз величини діелектричної проникності і взятих в співвідношенні компонентів (мас %) І_а2О3 Na 2 CO 3 Nb 2 O 5 3,5-14,6 14,2-25,0 71,2-71,4 діелектрику зменшується на у , то лінійні розміри резонансних елементів зменшуються порівняно з повітряними лініями тільки в * s ~ V - J D ^ - J O ~Q р а 3 ] що не дозволяє ефективно вирішувати питання мікромініатюризації елементів зв'язку 2 Найбільш близьким по технічній суті і досягнутих результатах до винаходу, який заявляється, є НВЧ діелектрик на основі барій лантаноідних титанатів Бає хІ-Пв+мзТнвОб^ де І_п рідкісноземельні елементи від La до Gd - прототип [2,3] Такі матеріали характеризуються низькими діелектричними втратами (tgo-IO" 1 ), високою термостабільністю електрофізичних властивостей (TKs~±100x100 6 K~ 1 ) Недоліком таких НВЧ матеріалів, при використанні в метровомудециметровому діапазонах, являється відносно невисоке значення діелектричної проникності (Е~80-100),ЩО ДОЗВОЛЯЄ зменшити ЛІНІЙНІ розміри резонансних елементів НВЧ апаратури порівняно з повітряними ЛІНІЯМИ тільки в раз Це не дозволяє ефективно вирішувати питання мікромініатюризації елементів зв'язку В основу даного винаходу покладено завдання підвищити значення діелектричної проникності в НВЧ діелектриках, що дозволило би ефективно вирішувати питання мікромініатюризації елементів зв'язку, наприклад фільтруючих елементів, метрового-дециметрового діапазонів Поставлене завдання досягається тим, що ХІМІЧНИЙ склад запропонованого НВЧ діелектрика порівняно з прототипом, поряд з оксидом лантану додатково 1 (О ю 54167 дещо вищий (погано) порівняно з матеріаломпрототипом але такі значення коефіцієнту затухання є задовільними для фільтрів метрового діапазону, які застосовуються, наприклад, в телевізійних каналах В той же час значно вищі значення діелектричної проникності заявляемого матеріалу дозволяють ефективно вирішувати питання мікромініатюризації апаратури радіо- і тел ез в'язку Приклади,що ілюструють винахід НВЧ діелектрики одержували в повітряній НВЧ апаратури дозволяє в Vo^u ~25 раз атмосфері методом твердофазних реакцій зменшити ЛІНІЙНІ розміри Це призводить до Основними вихідними компонентами були оксид зменшення ЛІНІЙНИХ розмірів елементів НВЧ лантану (ЬагОз), карбонат натрію (ЫагСОз) і оксид апаратури порівняно з прототипом 2,7 рази і як ніобію (ІЧЬгОб) кваліфікації "ос ч" для зменшення наслідок ефективно вирішувати питання забруднення шихти під час технологічного процесу мікромініатюризації робочі поверхні барабанів були покриті вакуумною елементів зв'язку В табл 1 приведені гумою Вміст ОСНОВНИХ елементів визначали за електрофізичні властивості політитанатів барію допомогою атомно-адсорбційного (аналог), барій-лашаноідних титанатів (прототип) і спектрофотометра SP9 фірми Pue Unicom НВЧ матеріалу, що заявляється, а також розміри Рентгенівський аналіз (РФ А) проводили за діелектричних резонаторів на частоті 250МГц, допомогою рентгенівського дифрактометра ДРОН300МГц, 350МГц Діелектричні резонатори ЗМ (СиКа вимірювання, Ni-фільтр) Мікроструктуру представляли собою паралелепіпеди з кераміки досліджували за допомогою поперечним перетином 8ммх8мм електронного скануючого мікроскопу JCXA Розроблені матеріали були використані для Superprobe 733 (JEOL, Японія) Електрофізичні виготовлення коаксіальних резанаторів і 2-х параметри матеріалів в низькочастотному і контурних радюфільтрів на їх основі В табл 2 радіодіапазоні проводили за допомогою мостового наведені величини коефіцієнту затухання в смузі методу Р5021 і Q-метру ВМ560, в діапазоні КВЧ проходження радюфільтрів виготовлених на використовували автоматичні вимірювачі основі матеріалу-аналогу, матеріалу-прототипу і коефіцієнта другої хвилі (КБХ) В табл 3 приведені заявляемого матеріалу Не дивлячись на те, що конкретні ХІМІЧНІ склади і їх характеристики коефіцієнт затухання в заявляемому матеріалі містить карбонат натрію і оксид ніобію При заміщенні порівняно з прототипом карбонату барію і оксиду титану, на карбонат натрію і оксид ніобію приводить до того, що на відміну від прототипу утворюється не структура калієво-вольфрамової бронзи, а структура дефектного перовскіту В результаті утворюються НВЧ діелектрики, які мають високі значення діелектричної проникності (s>600), використання яких для виготовлення резонансних елементів Таблиця 1 Електрофізичні властивості політитанату барію (аналог), барій-лантаноідних титанатів (прототип) і заявленого матеріалу та розміри коаксіальних діелектричних резонаторів на їх основі Величина діелектричної проникності s, 300мГц Матеріали 1 політитанат барію (аналог) 2 барійлантаноідний титанат (прототип) 3 матеріал, що заявляється Діелектричні втрати tg5 300мГц 4 Висота діелектричних резонаторів, мм (поперечний переріз яких 8ммх8мм) на частотах, мГц 250 300 350 64,0 40,0 34,3 38 (1-3)хЮ 80 103 33,3 27,7 23,8 620 4x10 3 12,2 10,0 8,6 Експериментальні значення коефіцієнту затухання 2-х контурного радіофільтру виготовленого на основі матеріалу-аналогу, матеріалу-прототипу і заявляемого матеріалу Матеріали 1 політитанат барію (аналог) 2 барій-лантаноідний титанат (прототип) 3 матеріал, що заявляєтьс Таблиця 2 Коефіцієнт затухання (децибели) в смузі проходження 2-х контурного фільтру 250мГц 300мГц 350мГц 0,868 1,04 1,04 0,66 0,67 0,8 1,73 1,6 1,87 54167 Таблиця З Склади та властивості надвисокочастотних керамічних матеріалів № І_а2О3 Na 2 CO 3 Nb 2 O 5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 3,5 25,1 14,15 21,65 25,3 14,0 14,2 25,0 13,0 26,0 71,4 71,25 71,35 71,4 71,2 71,25 71,4 71,2 71,45 71,1 71,35 14,6 7,0 3,3 14,8 14,55 3,6 15,8 2,55 21,8 6,5 7,1 22,15 s 323 350 620 260 300 375 315 273 180 235 580 Список літератури 1 Т Negas, G Yager, S Bell, N Coats and I Minis ВаТцОд/ВагТідОго Based Ceramics Ressurrected for Modern Microwave Applications// Am Ceram Soc Bull , -1993, - 72, p 80-89 2 T Negas, P К Davies, Influence of Chemistry and Processing on the Electrical Properties of Ває 3xLn8+2xTiisO54 Solid Solutions, Materials and Частота вимірювання 1МГц tg5, 10 і TKs, 10 5 7 4 4,8 6,8 8 5 6 9 5 4 V +20 -18 +1 +10 -20 -16 +21 -20 +27 -10 +3,6 Processes for Wireless Communications// Ceram Trans -1995, - 5 3 , p 179-196 3 H Ohsato, S Nishigaki, T Okuda Superlattice and Dielectric Properties of BaO-R2O3-5TiOg (R=La, Nd, and Sm) Microwave Dielectric Compounds//JpnJ AppLPhys - 1992, - V 31 p 3136-3140 TOB "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044)236-47-24

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Microwave dielectric material based on lanthanum oxide

Автори англійською

Bilous Anatolii Hryhorovych

Назва патенту російською

Сверхвысокочастотный диэлектрический материал на основе оксида лантана

Автори російською

Белоус Анатолий Григорьевич

МПК / Мітки

МПК: H01P 7/10

Мітки: основі, лантану, надвисокочастотний, матеріал, оксиду, діелектричний

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/3-54167-nadvisokochastotnijj-dielektrichnijj-material-na-osnovi-oksidu-lantanu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі оксиду лантану</a>

Подібні патенти