Патенти з міткою «надвисокочастотний»
Надвисокочастотний резонатор з подвійним керуванням
Номер патенту: 103186
Опубліковано: 10.12.2015
Автори: Зависляк Ігор Володимирович, Мовчан Микола Миколайович, Попов Максим Олександрович
МПК: H01P 1/215
Мітки: керуванням, резонатор, подвійним, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
1. Резонатор надвисокої частоти з подвійним керуванням, який складається з діелектричного резонатора та планарного керуючого елемента, що містить шар фериту, який відрізняється тим, що планарний керуючий елемент додатково містить шар п'єзоелектрика.2. Резонатор надвисокої частоти з подвійним керуванням за п. 1, який відрізняється тим, що шар фериту виконаний у вигляді епітаксійної плівки на немагнітній підкладці.
Модуляційний надвисокочастотний спектроаналізатор
Номер патенту: 80837
Опубліковано: 10.06.2013
Автори: Шевченко Костянтин Леонідович, Василенко Микола Павлович, Скрипник Юрій Олексійович
МПК: G01R 29/08
Мітки: модуляційний, надвисокочастотний, спектроаналізатор
Формула / Реферат:
Модуляційний надвисокочастотний спектроаналізатор, що містить прийомну широкосмугову антену, з'єднану з одним входом хвилеводного перемикача, інший вхід якого з'єднаний з кінцевим хвилеводним навантаженням еквівалентним прийомній широкосмуговій антені, балансний змішувач, до керуючоговходу якого підключений надвисокочастотний гетеродин, послідовно з'єднані вузькосмуговий підсилювач проміжної частоти, квадратичний детектор, вибірковий...
Надвисокочастотний атенюатор
Номер патенту: 78950
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Григор'єв Євгеній Володимирович, Шадрін Анатолій Олександрович, Полєтаєв Дмитро Олександрович, Таран Євгеній Павлович, Глумова Маріна Всеволодовна, Арсенічев Сергій Павлович
МПК: H01P 1/20
Мітки: атенюатор, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний атенюатор, що містить хвилевід, який відрізняється тим, що додатково містить металеву пластину, шток, пристрій, що перетворює вертикальний рух штока в горизонтальне переміщення металевої пластини, пристрій, що перетворює обертальний рух штока в осьове переміщення металевої пластини, пристрій переміщення штока, пристрій обертання штока, стрижень в металевій пластині, джерело електромагнітних коливань, приймач...
Надвисокочастотний металодіелектричний фільтр
Номер патенту: 65393
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Мірських Георгій Олександрович, Сизранов Валерій Олександрович, Андрусенко Євген Миколайович, Ільченко Михайло Юхимович
МПК: H01P 1/202
Мітки: фільтр, надвисокочастотний, металодіелектричний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний металодіелектричний фільтр (МДФ), виконаний у вигляді діелектричного паралелепіпеду, що вкритий шаром металізації з п'ятьох сторін, та наскрізними циліндричними металізованими отворами, прорізаними в діелектричному паралелепіпеду так, що їх один кінець з'єднаний з однією з металізованих сторін вказаного паралелепіпеду, а другий кінець з'єднаний з металізованою контактною площадкою нанесеною на протилежну шосту сторону...
Надвисокочастотний відбивний поляризаційний фазообертач-випромінювач
Номер патенту: 62262
Опубліковано: 25.08.2011
Автор: Сидорук Юрій Кіндратович
МПК: H01Q 3/36, H01Q 3/38, H01Q 3/30 ...
Мітки: поляризаційний, фазообертач-випромінювач, відбивний, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний відбивний поляризаційний фазообертач-випромінювач, що містить відрізок круглого хвилеводу і фазозсувний елемент, який відрізняється тим, що в круглому хвилеводі, який без заповнення має закритичний діаметр, розташовані подовжня металева пластинка, що має східчасту форму; циліндрична діелектрична вставка, яка за межами відрізка хвилеводу має конічну або циліндрично-східчасту форму, та перехідна зона, в якій циліндрична...
Надвисокочастотний лінійний електродвигун
Номер патенту: 95265
Опубліковано: 25.07.2011
Автор: Синишин Любомир Степанович
МПК: H02N 1/00
Мітки: надвисокочастотний, електродвигун, лінійний
Формула / Реферат:
1. Надвисокочастотний лінійний електродвигун, який має одноканальний прямокутний хвилевід, виготовлений із матеріалу з питомим опором від 0,001 до 0,0175 з отвором, вздовж якого розміщено щонайменше три контури з рухомими феритовими сердечниками, простір між якими заповнений парамагнітним діелектриком,...
Надвисокочастотний мдн-транзистор
Номер патенту: 93121
Опубліковано: 10.01.2011
Автори: ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ, Гладкий Роман Богданович
МПК: H01L 21/336
Мітки: надвисокочастотний, мдн-транзистор
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний МДН-транзистор, сформований на високоомній напівпровідниковій підкладці, який містить витік, стік та затвор, ізольований від каналу провідності МДН-транзистора діелектриком SiO2, омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що канал провідності МДН-транзистора між витоком і стоком сформований з активного, межуючого з підкладкою, і пасивного, межуючого з діелектриком SiО2, шарів, при цьому активний шар каналу...
Надвисокочастотний перемикаючий пристрій
Номер патенту: 50180
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Гуцул Антон Вікторович, Крицька Тетяна Володимирівна, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Зоренко Александр Вольтович, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H03K 17/00
Мітки: надвисокочастотний, перемикаючий, пристрій
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний перемикаючий пристрій, що містить в собі металевий корпус, забезпечений коаксіальними вводом та виводом енергії, вводом живлення постійної напруги, закріплену всередині корпуса металізовану діелектричну підкладинку з чотирма мікросмужковими відрізками передавальної лінії та послідовно ввімкненими між ними р-і-n діодами, фільтрами, які розв'язують лінію передачі від джерела живлення, два співвісні коаксіально-мікросмужкові...
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод
Номер патенту: 48718
Опубліковано: 25.03.2010
Автори: Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Кривуца Валентин Антонович, Суворова Лідія Михайлівна, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: р-i-n, кремнієвий, надвисокочастотний, діод
Формула / Реферат:
Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...
Надвисокочастотний p-i-n-діод з карбіду кремнію
Номер патенту: 46834
Опубліковано: 11.01.2010
Автори: Голинная Тетяна Іванівна, Кривуца Валентин Антонович, Уріцкая Надія Ярославівна, Личман Кирило Олексійович, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: p-i-n-діод, кремнію, карбіду, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...
Надвисокочастотний корелометр
Номер патенту: 44849
Опубліковано: 12.10.2009
Автори: Ваганов Олексій Анатолійович, Скрипник Юрій Олексійович, Водотовка Володимир Ілліч
МПК: G01R 29/08
Мітки: надвисокочастотний, корелометр
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний корелометр, що містить приймальну антену, з'єднану з одним із входів подвійного хвилеводного трійника, автоматичний хвилевідний перемикач, змішувач, керуючий вхід якого з'єднаний з переналагоджуваним по частоті гетеродином, а вихід змішувача з'єднаний з входом підсилювача проміжної частоти, а також містить послідовно з'єднані вибірковий підсилювач низької частоти, синхронний детектор і фільтр нижніх частот, який...
Надвисокочастотний метал-діелектрик-напівпровідник-транзистор
Номер патенту: 44829
Опубліковано: 12.10.2009
Автори: Гладкий Роман Богданович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ
МПК: H01L 21/336
Мітки: надвисокочастотний, метал-діелектрик-напівпровідник-транзистор
Формула / Реферат:
1. Надвисокочастотний метал-діелектрик-напівпровідник-транзистор (НВЧ МДН-транзистор), що містить високоомну підкладку із напівізолюючого напівпровідника, вироджену n+-область "витік", вироджену n+-область "стік", затвор, ізольований від каналу діелектриком SiO2, омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що з метою збільшення крутості і розширення частотного діапазону (підвищення граничної частоти) канал...
Надвисокочастотний пристрій знезараження води, розрідженого мулу, пастеризації та стерилізації молока, напоїв та інших рідких середовищ
Номер патенту: 43920
Опубліковано: 10.09.2009
Автор: Сидорук Юрій Кіндратович
Мітки: рідких, мулу, води, знезараження, пастеризації, надвисокочастотний, розрідженого, молока, напоїв, пристрій, середовищ, стерилізації, інших
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний пристрій знезараження води, розрідженого мулу, пастеризації і стерилізації молока, напоїв та інших рідких середовищ, що містить відрізок хвилеводу та радіопрозору трубку, співмірну з розмірами хвилеводу, що розташована всередині хвилеводу, який відрізняється тим, що кінці відрізка хвилеводу мають квадратну форму поперечного перерізу з поступовим переходом від квадратної до хрестоподібної форми поперечного перерізу в...
Напівпровідниковий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 43851
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Голинная Тетяна Іванівна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Личман Кирило Олексійович, Кривуца Валентин Антонович, Уріцкая Надія Ярославівна
МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...
Мітки: надвисокочастотний, діод, напівпровідниковий, p-і-n
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...
Надвисокочастотний інтерферометр
Номер патенту: 34876
Опубліковано: 26.08.2008
Автори: Скрипник Юрій Олексійович, Ваганов Олексій Анатолійович
МПК: G01R 29/00
Мітки: надвисокочастотний, інтерферометр
Формула / Реферат:
1. Надвисокочастотний інтерферометр, що містить НВЧ-підсилювач, НВЧ-гетеродин, з'єднані з входами НВЧ-змішувача, до виходу якого підключені послідовно з'єднані підсилювач проміжної частоти, квадратичний детектор, вибірковий підсилювач низької частоти, синхронний детектор, фільтр нижніх частот і вольтметр, та генератор низької частоти, з'єднаний з керуючим входом синхронного детектора, який відрізняється тим, що в нього додатково введені дві...
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний p-i-n- діод
Номер патенту: 30533
Опубліковано: 25.02.2008
Автори: Суворова Лідія Михайлівна, Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович, Ніколаєнко Юрій Григорович, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...
Мітки: надвисокочастотний, безкорпусний, діод, кремнієвий, p-і-n
Формула / Реферат:
1. Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, який містить кремнієвий кристал з високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари р- та n-типу провідності і омічні контакти до них, смужковий вивід та основне захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді чіпа, а бічну поверхню р-n переходу чіпа методом травлення в р-n переході кільцевої...
Надвисокочастотний підсилювач класу е
Номер патенту: 23407
Опубліковано: 25.05.2007
Автори: Крижановський Володимир Григорович, Принцовський Володимир Анатольович, Пожидаєв Ігор Анатолійович, Бабко Дмитро В'ячеславович
МПК: H03F 3/20
Мітки: надвисокочастотний, підсилювач, класу
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний підсилювач класу Е, який містить ключ (активний прилад, транзистор), керований вхідним сигналом, до одного виводу ключа (стоку або колектора транзистора) підключені перша шунтувальна ємність і вихідний узгоджувальний ланцюг, виконаний на лініях передачі (лініях з розподіленими сталими) для забезпечення потрібного імпедансу на частотах основного сигналу та другої і третьої гармонік, до якого підключені дросель живлення та...
Надвисокочастотний пристрій для сушіння зерна
Номер патенту: 78343
Опубліковано: 15.03.2007
Автори: Дохов Олександр Іванович, Галеєв Енвер Рахімжанович, Лук'яненко Микола Юхимович
МПК: F26B 23/00, H05B 6/64, F26B 3/32 ...
Мітки: зерна, надвисокочастотний, пристрій, сушіння
Формула / Реферат:
1. Надвисокочастотний пристрій для сушіння зерна, що містить надвисокочастотний генератор, камеру нагрівання, вхідний і вихідний пристрої, який відрізняється тим, що в нього введені два витяжні пристрої, з'єднані з вхідним і вихідним пристроями трубопроводами, генератор випадкових чисел, з'єднаний з камерою нагрівання, вакуумний насос, з'єднаний з першим і другим вакуумними трубопроводами, і механічний вібратор, з'єднаний з вхідним пристроєм,...
Композиційний надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів магнію та кальцію
Номер патенту: 78081
Опубліковано: 15.02.2007
Автори: Овчар Олег Вікторович, Валант Матьяж, Білоус Анатолій Григорович, Мацек-Кржманч Мар'єта, Дурилін Дмитро Олександрович, Суворов Данило
Мітки: кальцію, композиційний, надвисокочастотний, матеріал, магнію, титанатів, діелектричний, основі
Формула / Реферат:
Композиційний надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів магнію та кальцію, що включає MgO, CaO і TiO2, який відрізняється тим, що в нього додатково вводять оксид кобальту (СоО) при такому співвідношенні компонентів (мас %): MgO 42,07 – 47,4 TiO2 48,74 – 50,35 СоО 0,85 – 6,8 CaO 1,72 – 3,53....
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод
Номер патенту: 8455
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Сєдова Марина Олексійовна, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Суворова Лідія Михайлівна
МПК: H01L 21/04, H01L 21/02, H01L 29/86 ...
Мітки: р-і-n-діод, надвисокочастотний, безкорпусний, кремнієвий
Формула / Реферат:
Безкорпусний кремнієвий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кремнієвий кристал із високоомної напівпровідникової пластини, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолегованих шари p+- і n+-типу провідності і омічні контакти до них, металеву основу, смужковий вивід, захисне покриття, який відрізняється тим, що кремнієвий кристал виконано у вигляді псевдосфери методом двостороннього ізотропного травлення напівпровідникової...
Напівпровідниковий надвисокочастотний діод ганна з арсеніду галію
Номер патенту: 8493
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Ковтонюк Віктор Михайлович
МПК: H01L 47/00, H01L 29/00
Мітки: діод, напівпровідниковий, арсеніду, галію, ганна, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію неодиму
Номер патенту: 58007
Опубліковано: 15.07.2005
Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01B 3/12, C04B 35/468
Мітки: діелектричний, надвисокочастотний, титанату, основі, барію, матеріал, неодиму
Формула / Реферат:
Захисне пластикове покриття складається з декількох шарів двоїсто орієнтованого армованого полімерного матеріалу. Армуючий шар являє собою неткану структуру в вигляді неперервних каркасних сіток із волокон кристалічного полімерного матеріалу різних розмірів по довжині та ширині, сумарна площа яких не перевищує 50 % загальної площі шарів. Одна сторона шару з'єднана при його виробництві з іншим шаром полімерного матеріалу по всій площі...
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію
Номер патенту: 58009
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01B 3/12
Мітки: барію, надвисокочастотний, основі, діелектричний, титанату, матеріал, самарію
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію, що включає ВаО, Sm2O3 і ТiO2, який відрізняється тим, що для зменшення діелектричних втрат і покращення термостабільності діелектричної проникності за рахунок впливу на характер розподілу іонів складної катіонної підгратки титанату барію самарію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-уCaу)6-xSm8+2x/3Ti18O54, при 0
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму та барію самарію
Номер патенту: 58005
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01B 3/12
Мітки: барію, титанатів, діелектричний, самарію, матеріал, неодиму, основі, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму, що включає ВаСО3, Nd2О3 і ТіО3, який відрізняється тим, що з метою підвищення температурної стабільності електрофізичних властивостей та зниження діелектричних втрат за рахунок часткового заміщення іонів барію іонами свинцю та кальцію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-y-zPbyCaz)6-x(NdtSm1-t)8+2x/3Ti18O54, при 0 £ х £ 1,5; 0,1 £...
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі оксиду лантану
Номер патенту: 54167
Опубліковано: 17.02.2003
Автори: Цикалов Віктор Григорович, Міщук Дмитро Олегович, Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович
МПК: H01P 7/10
Мітки: лантану, матеріал, надвисокочастотний, оксиду, діелектричний, основі
Формула / Реферат:
Надвисокочастотний діелектричний матеріал, на основі оксиду лантану, який відрізняється тим, що містить додатково карбонат натрію і оксид ніобію, що приводить до збільшення в 6-8 раз величини діелектричної проникності і взятих в співвідношенні компонентів (мас.%): Lа2О3 3,5-14,6 Na2CO3 14,2-25,0 Nb2О5 71,2-71,4.
Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі оксиду неодиму
Номер патенту: 54166
Опубліковано: 17.02.2003
Автори: Міщук Дмитро Олегович, Цикалов Віктор Григорович, Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович
МПК: H01P 7/10
Мітки: основі, неодиму, діелектричний, надвисокочастотний, оксиду, матеріал
Формула / Реферат:
Огорожа для вентиля балона зі стиснутим газом, що складається з корпуса, у вигляді порожнього металевого циліндра з отвором для аварійного стравлювання, яка відрізняється тим, що має відкритий зверху корпус.
Надвисокочастотний вимірювач жирності молока
Номер патенту: 31756
Опубліковано: 15.12.2000
Автори: Осадчій Василь Петрович, Шевченко Констянтин Леонідович, Скрипник Юрій Олексійович
МПК: G01N 33/06, G01N 22/00
Мітки: надвисокочастотний, вимірювач, молока, жирності
Текст:
...показана функціональна схема надвисокочастотного вимірювача жирності молока. Вимірювач містить блок живлення 1, до якого підключені послідовно з'єднані НВЧ генератор 2, регульований НВЧ атенюатор 3, направлений відгалужувач 4, НВЧ ключ 5, направлений відгалужувач 6 і приймально-передаюча антена 7, яка опромінює молокопровід 8. До виходів подвійного хвильоводного мосту 9 підключено погоджене навантаження 10 і НВЧ детектор 11. Генератор 12...
Надвисокочастотний вологомір
Номер патенту: 2803
Опубліковано: 26.12.1994
Автори: Скрипник Юрій Олексійович, Потапов Анатолій Олександрович
МПК: G01N 22/00
Мітки: вологомір, надвисокочастотний
Формула / Реферат:
1. Сверхвысокочастотный влагомер, содержащий последовательно соединенные первый СВЧ генератор и первый управляемый аттенюатор, последовательно соединенные второй СВЧ генератор и второй управляемый аттенюатор, выход первого управляемого аттенюатора подсоединен к Е-входу, а выход второго управляемого аттенюатора - к Н-входу двойного волноводного тройника, первый выход которого через последовательно соединенные первый СВЧ детектор, первый...