Овчар Олег Вікторович

Номер патенту: 113547

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович, Дурилін Дмитро Олександрович, Овчар Олег Вікторович

МПК: H01B 3/12

Мітки: ніобату-танталату, керамічний, матеріал, діелектричний, основі, аргентуму, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Керамічний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі твердих розчинів ніобату-танталату аргентуму Ag(Nb1-xTax)O3 (ANT) , що включає Ag2O, Nb2O5 і Та2O5, який відрізняється тим, що для зниження температури спікання і запобігання термічному розкладу ANT, додатково містить 1-1,5 мас. % легкоплавкої домішки борату цинку ZnB2O4 при такому співвідношенні основних...

Номер патенту: 111752

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: діелектричний, матеріал, кобальтдефіцитного, основі, мікрохвильовий, кобальт-ніобату, барію

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі кобальтдефіцитного кобальт-ніобату барію Ва(Со1/3-y,Nb1/3)О3-d, де 0,04£у£0,10, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності, а також можливості керування величиною TKe, має місце відхилення від стехіометрії в підґратці кобальту, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 58,1-59,1 СоО ...

Номер патенту: 111751

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович, Суслов Олександр Миколайович

МПК: H01B 3/12

Мітки: матеріал, цинкдефіцитного, барію, цинк-ніобату, мікрохвильовий, діелектричний, основі

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі цинкдефіцитного цинк-ніобату-барію Ba(Zn1/3-yNb1/3)O3-d, де 0,005£y£0,025, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці цинку при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 57,1-57,4 ZnO 9,4-9,9 Nb2O5 ...

Номер патенту: 111750

Опубліковано: 25.11.2016

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: основі, барію, діелектричний, мікрохвильовий, магнійдефіцитного, магній-ніобату, матеріал

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі магнійдефіцитного магній-ніобату барію Ba(Mg1/3-уNb1/3)O3-d, де 0£у£0,05, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці магнію, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 60,0-60,5 MgO 4,5-5,3 Nb2O5 ...

Номер патенту: 110716

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Суслов Олександр Миколайович, Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович

МПК: H01B 3/12

Мітки: барію, основі, барійдефіцитного, матеріал, магнійніобату, мікрохвильовий, діелектричний

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного магнійніобату барію Ba1-х(Mg1/3Nb2/3)O3-g, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,005£х£0,010, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 59,8-56,9 MgO 5,3-5,3 Nb2O5 ...

Номер патенту: 110715

Опубліковано: 25.10.2016

Автори: Суслов Олександр Миколайович, Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович

МПК: H01B 3/12

Мітки: матеріал, мікрохвильовий, барію, діелектричний, цинкніобату, барійдефіцитного, основі

Формула / Реферат:

Мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі барійдефіцитного цинкніобату барію Ba1-х(Zn1/3Nb2/3)O3-γ, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності має місце відхилення від стехіометрії в підґратці барію, де 0,010≤х≤0,020 при такому співвідношенні компонентів (мас. %): ВаО 56,5-56,8 ZnO 10,1-10,2 Nb2O5 ...

Номер патенту: 66139

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Овчар Олег Вікторович, Дурилін Дмитро Олександрович, Білоус Анатолій Григорович, Ступін Юрій Дмитрович

МПК: H01B 3/12

Мітки: основі, самарію, титанатів, композиційний, барію, діелектричний, матеріал, мікрохвильовий

Формула / Реферат:

Композиційний мікрохвильовий діелектричний матеріал на основі титанатів самарію та барію, що мітить BaO, Sm2O3 і ТіО2, який відрізняється тим, що для підвищення електричної добротності та температурної компенсації діелектричних параметрів містить дві кристалічні фази: Ba6-xSm8+2x/3Ti18O54 та ВаТі4О9, при такому співвідношенні компонентів (мас. %): BaO 16,5 – 20,3 Sm2O3 37,8 –...

Номер патенту: 78081

Опубліковано: 15.02.2007

Автори: Суворов Данило, Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович, Мацек-Кржманч Мар'єта, Валант Матьяж, Дурилін Дмитро Олександрович

МПК: H01B 3/12, H01B 3/00

Мітки: композиційний, кальцію, діелектричний, матеріал, надвисокочастотний, титанатів, магнію, основі

Формула / Реферат:

Композиційний надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів магнію та кальцію, що включає MgO, CaO і TiO2, який відрізняється тим, що в нього додатково вводять оксид кобальту (СоО) при такому співвідношенні компонентів (мас %): MgO 42,07 – 47,4 TiO2 48,74 – 50,35 СоО 0,85 – 6,8 CaO 1,72 – 3,53....

Номер патенту: 58008

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12, C01G 23/00, C01G 23/04 ...

Мітки: барій-лантаноїдних, спосіб, синтезу, титанатів

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу барій-лантаноїдних титанатів Ва6-хLn8+2х/3Ті18O54 (Ln=La-Gd),  який включає змішування вихідних компонентів ВаСО3, Ln2O3 і ТiO2 , взятих у співвідношенні, термообробку, помел, формування заготовок і спікання, який відрізняється тим, що на першій стадії синтезують метатитанат барію  і фазу Ва3,9Ln9,4Ті18O54, яка відповідає границі твердих розчинів Ва6-хLn8+2х/3Ті18O54, де x=2,1, при синтезі фази Ва3,9Ln9,4Ті18O54,...

Номер патенту: 58007

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович

МПК: H01B 3/12, C04B 35/468

Мітки: діелектричний, надвисокочастотний, барію, матеріал, неодиму, титанату, основі

Формула / Реферат:

Захисне пластикове покриття складається з декількох шарів двоїсто орієнтованого армованого полімерного матеріалу. Армуючий шар являє собою неткану структуру в вигляді неперервних каркасних сіток із волокон кристалічного полімерного матеріалу різних розмірів по довжині та ширині, сумарна площа яких не перевищує 50 % загальної площі шарів. Одна сторона шару з'єднана при його виробництві з іншим шаром полімерного матеріалу по всій площі...

Номер патенту: 58009

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01B 3/12

Мітки: діелектричний, матеріал, основі, надвисокочастотний, титанату, барію, самарію

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанату барію самарію, що включає ВаО, Sm2O3 і ТiO2, який відрізняється тим, що для зменшення діелектричних втрат і покращення термостабільності діелектричної проникності за рахунок впливу на характер розподілу іонів складної катіонної підгратки титанату барію самарію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-уCaу)6-xSm8+2x/3Ti18O54, при 0

Номер патенту: 58005

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович

МПК: H01B 3/12

Мітки: надвисокочастотний, самарію, титанатів, діелектричний, матеріал, неодиму, основі, барію

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму, що включає ВаСО3, Nd2О3 і ТіО3, який відрізняється тим, що з метою підвищення температурної стабільності електрофізичних властивостей та зниження діелектричних втрат за рахунок часткового заміщення іонів барію іонами свинцю та кальцію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-y-zPbyCaz)6-x(NdtSm1-t)8+2x/3Ti18O54, при 0 £ х £ 1,5; 0,1 £...

Номер патенту: 54167

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Цикалов Віктор Григорович, Овчар Олег Вікторович, Міщук Дмитро Олегович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01P 7/10

Мітки: лантану, надвисокочастотний, матеріал, оксиду, основі, діелектричний

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діелектричний матеріал, на основі оксиду лантану, який відрізняється тим, що містить додатково карбонат натрію і оксид ніобію, що приводить до збільшення в 6-8 раз величини діелектричної проникності і взятих в співвідношенні компонентів (мас.%): Lа2О3 3,5-14,6 Na2CO3 14,2-25,0 Nb2О5 71,2-71,4.

Номер патенту: 54166

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Овчар Олег Вікторович, Цикалов Віктор Григорович, Білоус Анатолій Григорович, Міщук Дмитро Олегович

МПК: H01P 7/10

Мітки: основі, діелектричний, оксиду, матеріал, неодиму, надвисокочастотний

Формула / Реферат:

Огорожа для вентиля балона зі стиснутим газом, що складається з корпуса, у вигляді порожнього металевого циліндра з отвором для аварійного стравлювання, яка відрізняється тим, що має відкритий зверху корпус.