Патенти з міткою «неодиму»

Номер патенту: 100305

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Бережницька Олександра Степанівна, Роговцов Олександр Олександрович, Савченко Ірина Олександрівна, Трунова Олена Костянтинівна, Гудима Андрій Олегович, Іваха Надія Борисівна

МПК: C08F 2/00, C01F 17/00

Мітки: одержання, нанорозмірного, спосіб, неодиму, нового, металополімеру

Формула / Реферат:

Спосіб одержання нового нанорозмірного металополімеру неодиму на основі β-дикетону, який містить ненасичений замісник в a-положенні,де m=5:12 %, n=12:19 %, k=17:25 %, який відрізняється тим, що спочатку синтезують β-дикетонатний комплекс неодиму взаємодією водного розчину нітрату неодиму з водним розчином натрієвої солі...

Номер патенту: 108337

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Явецький Роман Павлович, Пархоменко Сергій Володимирович, Дорошенко Андрій григорович, Косьянов Денис Юрійович, Копилов Юрій Леонідович, Толмачов Олександр Володимирович, Кравченко Валерій Борисович

МПК: B28B 1/00, C30B 15/00, C30B 29/28 ...

Мітки: отримання, гранату, кераміки, алюмоітрієвого, спосіб, неодиму, лазерної, іонами, активованого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання лазерної кераміки алюмоітрієвого гранату, активованого іонами неодиму реакційним спіканням в вакуумі керамічних порошків оксидів Y2O3, Nd2О3 та Аl2О3, що включає гомогенізацію та помел, сушіння, компактування порошків та спікання компакту, який відрізняється тим, що після синтезу проводять помел нанопорошків оксидів ітрію Y2O3 та неодиму Nd2О3 до отримання слабоагрегованих частинок з розмірами 50-100 нм та субмікронних...

Номер патенту: 22299

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Світанько Микола Вікторович, Оселедчик Юрій Семенович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Просвірнін Андрій Леонідович

МПК: C30B 17/00

Мітки: боратів, празеодиму, неодиму, prb3о6, спосіб, вирощування, ndb3o6, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВ3О6 та неодиму NdB3O6, що включає приготування шихти з SrO, В2О3 і Рr6O11, чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВ3О6 або борату неодиму NdB3O6 в потрійних фазових...

Номер патенту: 18022

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Кудрявцев Дмитро Петрович, Оселедчик Юрій Семенович, Світанько Микола Вікторович, Просвірнін Андрій Леонідович

МПК: C30B 17/00

Мітки: prbo3, неодиму, вирощування, ndbo3, боратів, кристалів, празеодиму, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВО3 та неодиму ΝdΒΟ3, що включає приготування шихти з SrO, В2O3 і Рr6O11 чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВО3 чи борату неодиму NdBO3 в потрійних...

Номер патенту: 58007

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Овчар Олег Вікторович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: C04B 35/468, H01B 3/12

Мітки: діелектричний, матеріал, основі, титанату, надвисокочастотний, барію, неодиму

Формула / Реферат:

Захисне пластикове покриття складається з декількох шарів двоїсто орієнтованого армованого полімерного матеріалу. Армуючий шар являє собою неткану структуру в вигляді неперервних каркасних сіток із волокон кристалічного полімерного матеріалу різних розмірів по довжині та ширині, сумарна площа яких не перевищує 50 % загальної площі шарів. Одна сторона шару з'єднана при його виробництві з іншим шаром полімерного матеріалу по всій площі...

Номер патенту: 58005

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Білоус Анатолій Григорович, Овчар Олег Вікторович

МПК: H01B 3/12

Мітки: неодиму, основі, надвисокочастотний, матеріал, титанатів, барію, самарію, діелектричний

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діелектричний матеріал на основі титанатів барію неодиму, що включає ВаСО3, Nd2О3 і ТіО3, який відрізняється тим, що з метою підвищення температурної стабільності електрофізичних властивостей та зниження діелектричних втрат за рахунок часткового заміщення іонів барію іонами свинцю та кальцію в області хімічних складів, що відповідає формулі (Ba1-y-zPbyCaz)6-x(NdtSm1-t)8+2x/3Ti18O54, при 0 £ х £ 1,5; 0,1 £...

Номер патенту: 54166

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Овчар Олег Вікторович, Цикалов Віктор Григорович, Міщук Дмитро Олегович, Білоус Анатолій Григорович

МПК: H01P 7/10

Мітки: оксиду, матеріал, основі, неодиму, надвисокочастотний, діелектричний

Формула / Реферат:

Огорожа для вентиля балона зі стиснутим газом, що складається з корпуса, у вигляді порожнього металевого циліндра з отвором для аварійного стравлювання, яка відрізняється тим, що має відкритий зверху корпус.