H01S 5/00 — Напівпровідникові лазери

Номер патенту: 101205

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Маїк Володимир Зіновійович, Дудок Тарас Григорович

МПК: B41L 13/12, B41M 5/24, B31B 43/00 ...

Мітки: брайля, спосіб, вакуумного, формування, шрифту, елементів

Формула / Реферат:

Спосіб вакуумного формування елементів шрифту Брайля, що включає виготовлення матриці, встановлення її на плиту з отворами, накладання на матрицю плівки, нагрівання її до температури деформування та притискання її до матриці вакуумом, який відрізняється тим, що матриця виготовляється з картону методом лазерного випалювання, а додаткове вакуумне притискання плівки та її втягування здійснюється за рахунок отворів у місцях нанесення елементів...

Номер патенту: 85543

Опубліковано: 25.11.2013

Автор: Літвінов Андрій Георгійович

МПК: G09F 19/18, G09F 19/00, G09F 19/12 ...

Мітки: рекламної, візуальної, лазерів, спосіб, пізнавальної, накачуванням, твердотільних, допомогою, напівпровідникових, подання, інформації, діодним

Формула / Реферат:

1. Спосіб подання візуальної рекламної або пізнавальної інформації за допомогою напівпровідникових лазерів та твердотільних лазерів з діодним накачуванням, який відрізняється тим, що проекція букв, цифр, логотипів, знаків здійснюється пристроєм, в конструкції якого використовуються твердотільні лазери з діодним (напівпровідниковим) накачуванням, що випромінюють в зеленій області видимого спектра (501-561 нм), та/або лазери з діодним...

Номер патенту: 86248

Опубліковано: 10.04.2009

Автор: Крупа Микола Миколайович

МПК: H01S 5/00, G02F 1/01

Мітки: частот, пристрій, лазерного, генерації, терагерцовому, випромінювання, діапазоні

Формула / Реферат:

Пристрій для генерації лазерного випромінювання в терагерцовому діапазоні частот, що містить оптичне джерело накачки, активне середовище і резонатор терагерцового випромінювання, який відрізняється тим, що активне середовище виконується з однорідного з малою кількістю точкових дефектів монокристалу CdS, при цьому монокристал CdS виконаний у вигляді тонкого (30-300 мкм) вирощеного з газової фази монокристалу, а резонатор для...

Номер патенту: 22867

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Бобженко Сергій Володимирович, Пономаренко Анатолій Олександрович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 23/34, H01S 5/00

Мітки: напівпровідникового, пристрій, охолодження, термостабілізації, приладу

Формула / Реферат:

1. Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу, що містить теплову трубу, камера випаровування якої знаходиться у тепловому контакті з напівпровідниковим кристалом, який відрізняється тим, що зона теплового контакту теплової труби з кристалом обмежена контактною площадкою напівпровідникового кристала, розташованою у зоні найбільшого тепловиділення.2. Пристрій для охолодження та термостабілізації...

Номер патенту: 8496

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Лисенко Геннадій Леонідович, Тужанський Станіслав Євгенович

МПК: H01S 5/00

Мітки: частоти, лазера, спосіб, випромінювання, напівпровідникового, інжекційного, стабілізації

Формула / Реферат:

Спосіб стабілізації частоти випромінювання інжекційного напівпровідникового лазера, який включає регулювання режиму тепловиділення в активній області лазера внаслідок накачування його імпульсами струму, в яких величину струму протягом імпульсу змінюють за лінійним або за експоненційним законом з позитивним знаком другої похідної струму за часом, який  відрізняється тим, що величину тепловиділення регулюють одночасно змінюючи глибину модуляції...

Номер патенту: 960

Опубліковано: 16.07.2001

Автор: Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01S 5/00, H01L 23/34

Мітки: пристрій, термостабілізації, охолодження, приладу, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Пристрій для охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу, який містить у своєму складі напівпровідниковий кристал, термоелектричну батарею з холодною та гарячою пластинами, парову камеру з рідким теплоносієм, що знаходиться у тепловому контакті з однією із пластин термоелектричної батареї, та зовнішній теплообмінник, який відрізняється тим, що парова камера з рідким теплоносієм встановлена між напівпровідниковим  ...

Номер патенту: 38931

Опубліковано: 15.05.2001

Автор: Ніколаєнко Юрій Єгорович

МПК: H01S 5/00, H01L 23/34

Мітки: термостабілізації, приладу, охолодження, спосіб, напівпровідникового

Формула / Реферат:

(21) 2000116712(54) (57)Дата прийняттярішення21 березня 2001 р.Спосіб охолодження та термостабілізації напівпровідникового приладу шляхом установлювання та підтримування за допомогою термоелектричної батареї в допустимих границях температури в критичній зоні, передачі теплоти за допомогою замкненого випаровувально-конденсаційного циклу у паровій камері та скидання теплоти, що передана, у оточуюче середовище,...

Номер патенту: 35809

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич, Венгер Евген Федорович, Старий Сергій Васильович, Стріха Максим Віталійович, Васько Федір Трохимович, Шепельський Георгій Анатолійович

МПК: H01S 5/00

Мітки: субміліметрового, випромінювання, змінною, лазер, хвилі, довжиною, напівпровідниковий, діапазону

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий лазер  зі  змінною довжиною хвилі випроміню­вання  субміліметрового діапазону,  активний елемент  якого  є одно­часно  резонатором  і  являє собою напівпровідниковий монокристал з паралельними робочими поверхнями  та омічними контактами,  який відрізняється тим,  що  активний елемент виконано з  монокристалу  безщілинного напівпровідника  у формі  прямокутного паралелепіпеда,  до якого за допомогою  пуансонів накладається...