Спосіб радіаційно-хімічного підвищення кислотостійкості цементного каменю

1. Спосіб підвищення кислотостійкості цементного каменю, який включає поверхневе просочення цементного каменю кремнієорганічною композицією, який відрізняється тим, що після просочення додатково здійснюють опромінювання з полімеризацією, причому як кремнієорганічну композицію використовують суміш мономеру - вінілгептаметилциклотетрасилоксану і олігомеру олігоалкілгідридсилоксану, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: вінілгептаметилциклотетрасилоксан 5-95 олігоалкілгідридсилоксан 95-5. 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що опромінювання здійснюють прискореними електронами з енергією 4-5 Мев, в діапазоні доз 25300кГр. (19) (21) a201002959 (22) 15.03.2010 (24) 10.12.2010 (46) 10.12.2010, Бюл.№ 23, 2010 р. (72) КОЛЕСНИК ДЕНИС ЮРІЙОВИЧ, ФАЙНЛЕЙБ ОЛЕКСАНДР МАРКОВИЧ, ГРИГОР'ЄВА ОЛЬГА ПЕТРІВНА, САХНО ВІКТОР ІВАНОВИЧ (73) КОЛЕСНИК ДЕНИС ЮРІЙОВИЧ, ФАЙНЛЕЙБ ОЛЕКСАНДР МАРКОВИЧ, ГРИГОР'ЄВА ОЛЬГА ПЕТРІВНА, САХНО ВІКТОР ІВАНОВИЧ (56) US 6136383 A, 24.10.2000 EP 0926112 A1, 30.06.1999 EP 0104540 A2, 04.04.1984 JP 04182371 A, 29.06.1992 JP 2007070170 A, 22.03.2007 GB 1143898, 09.02.1968 3 92879 4 верхню будівельного матеріалу обробляють споaspects of polymerization and crosslinking. A review чатку водним флюатуючим розчином, а потім оліand future environmental trends in 'non-acrylate' годиметилфенілсилоксаном в органічному розчині. chemistry / SJonsson, P.E Sundell, J. Hultgren, D. Недоліками даного способу є його багатостадійSheng, C.E. Hoyle // Progression organic coatings. ність, що незручно при серійному виробництві і 1996. - №27. - P.107-122]. недостатній рівень забезпечення хімстійкості цеВ літературі практично відсутні відомості про ментним матеріалам. радіаційну полімеризацію силіконів в бетоні, при їх Завданням запропонованого винаходу є розширокій відомості в якості модифікаторів та гідроробка нового способу підвищення хімстійкості цефобізаторів цементних матеріалів [Гидрофобизаментного каменю. ция / А.А. Пащенко, М.Г. Воронков, Л.А. МихаиленПоставлене завдання вирішується шляхом поко и др. - К.: Наукова думка, 1974. - 240с.]. верхневого просочення цементного каменю суміЗгідно з заявленим способом, в якості просошшю кремнійорганічного мономеру і олігомеру з чуючих засобів (табл.1) для цементного каменю наступною їх полімеризацією в об'ємі бетону під використовують суміші мономеру: вінілгептаметидією прискорених електронів. лциклотетрасилоксану за ТУ 6-02-1-027-90, відоНизька в'язкість мономеру сприяє глибокому мого в промисловому синтезі силоксанових каучупроникненню композиції в бетон, а наступна радіків, та олігомеру - олігоалкілгідридсилоксану за аційна сополімеризація з олігомерам забезпечує ГОСТ 10834-76. Даний олігомер є основою компобетону кислотостійкість. зиції, а мономер виступає в якості активного розРадіаційно-хімічні технології привертають увачинника, котрий сополімеризується з олігомером гу завдяки мінімальним енерговитратам, високій при короткочасному енергетичному впливі прискошвидкості процесів, можливістю проведення реакрених електронів. цій при кімнатній температурі, вилученням з кінцеМодифікуючу здатність дослідних сумішей вих продуктів сторонніх домішок (каталізаторів, оцінюють на зразках цементного каменю. Для цьоініціаторів, продуктів їх розпаду), відсутністю заго з цементного тіста нормальної густини В/Ц 0,27 лишкової радіоактивності. Шляхом радіаційної з портландцементу марки 500 тип І (без добавок) полімеризації мономерів і олігомерів в масі бетону виготовляють циліндри висотою та діаметром ріввдається отримати унікальні матеріали [Cleland ними 22мм. Твердіння проводять в умовах лабоM.R., Parks L.A., Cheng S. Applications for radiation раторії. У віці не менше ніж 28 діб цементні зразки processing of materials // Nuclear instruments and висушують при температурі 105°С до постійної methods in physics research. - 2003. - V.208. - P.66маси протягом 24-ох годин. Висушені цементні 73]. В основу радіаційної технології виготовлення зразки поміщують на 24 години в дослідні склади бетонно-полімерних матеріалів закладені перева(див. табл.1). жно, акрил-стирольні похідні [Radiation chemistry Таблиця 1 Склади просочуючих засобів Компоненти 1 100 0 олігоалкілгідридсилоксан вінілгептаметилциклотетрасилоксан 2 95 5 Склад за винаходом / Вміст, мас. % 3 4 5 6 7 85 75 50 25 15 15 25 50 75 85 8 5 95 9 0 100 Таблиця 2 Властивості цементних зразків Показник Кислотостійкість: втрата маси, % Коефіцієнт хімічної стійкості, од. Контрольний зразок (без просочення) Прототип Склад за винаходом 14,3 0,62 1 2 3 4 5 6 7 8 9 9,2 10,0 8,1 7,5 6,4 6,9 7,2 8,4 9,1 9,4 0,74 0,74 0,90 0,94 0,96 0,96 0,95 0,93 0,80 0,73 Глибина просочення цементного каменю за способом що обраний в якості прототипу складала не більше 3мм, за заявленим способом - не менше 11мм. Твердіння мономерів в масі цементного каменю проводять опроміненням на прискорювачі електронів [Радиационная установка с ускорителем электронов ИЛИ HAH Украины / В.И. Сахно, И.В. Вишневский, А.Г. Зелинский и др. // Атомная энергетика. - 2003 - Т. 94. - №2. - С.163-166] при наступних параметрах: енергія прискорених електронів - 4...5 Мев, щільність струму електронів 200...400мА/см2, діапазон доз 25...300кГр. Випробування зразків проводять за ГОСТ 27677-88, ГОСТ 25881-83, ГОСТ 10180-90. Коефіцієнт хімстійкості визначають як відношення середньої міцності серії зразків після знаходження в НСІ до середньої міцності водонасичених зразків. 5 92879 6 Встановлено оптимальний вміст компонентів локсан (приклад 9) менш ефективний, ніж суміш в захисній суміші (приклади 2-8, табл.2). В індивіречовин (приклади 2-8). дуальному вигляді олігоалкілгідридсилоксан Як видно з таблиці 2, запропонований спосіб (приклад 1, табл.1, 2) не забезпечує цементному захисту цементного каменю значно підвищує його каменю необхідну хімічну стійкість. В індивідуакислотостійкість. льному вигляді вінілгептаметилциклотетраси Комп’ютерна верстка А. Рябко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601