Комбіноване маркування на основі хіральних рідкокристалічних попередників

Реферат: Даний винахід стосується підкладки, яка має на собі маркування або шар, що містить отверділу хіральну рідкокристалічну композицію-попередник, де хіральна рідкокристалічна композиціяпопередник містить щонайменше сіль, яка змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція, в порівнянні з положенням смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція, яка не містить щонайменше одну сіль, та де модифікуюча смола, отримана з одного або декількох мономерів, які полімеризують, розташована між підкладкою та маркуванням або шаром та в контакті з маркуванням або шаром на одній або декількох її ділянках, модифікуюча смола змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, яка містить щонайменше одну сіль, на підкладці на одній або декількох ділянках. UA 109466 C2 (12) UA 109466 C2 UA 109466 C2 Галузь винаходу 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 [0001] Даний винахід відноситься до комбінованого маркування на основі хіральних нематичних (також названих холестеричні) рідкокристалічних попередників, та зокрема маркування, де модифікуюча смола змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник в хіральному рідкокристалічному стані. Даний винахід також відноситься до способу забезпечення підкладки з комбінованим маркуванням та до способу зміни смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник на підкладці. Обговорення інформації рівня техніки [0002] Підробка більше не є національною або регіональною проблемою, а представляє собою світову проблему, яка впливає не лише на виробників, але також на споживача. Підробка є значною проблемою для товарів, таких як одяг та годинники, але стає навіть більш серйозною, якщо стосується медикаментів та лікарських засобів. Кожного року тисячі людей у всьому світі помирають через підроблені лікарські засоби. Підробка також має вплив на доходи держав, оскільки вона впливає на збір податків з, наприклад, сигарет та алкоголю через існування чорного ринку, де неможливо відстежувати та знаходити підроблені (контрабандні, перевезені тощо) продукти без допустимих акцизних марок. [0003] Багато розчинів були запропоновані, щоб зробити підроблення неможливим або щонайменше дуже складним та/або дорогим, наприклад, засоби RFID (радіочастотна ідентифікація), та застосування невидимих чорнил. [0004] Нещодавно зя'вився елемент захисту, який застосовують для автентифікації оригінального продукту, такого як лікарський засіб, та щоб запобігти підробці. Ця технологія базується на кольорозмінних фарбах. Її принцип базується на різниці у видимому кольорі маркування, зробленого кольорозмінними фарбами, коли пакування, заставний документ тощо, що має маркування, роздивляються під різними кутами (к"олір, що залежить від кута огляду)". [0005] Кольорозмінні фарби забезпечують першочергову впізнаваємість не лише особою, а також полегшують читабельність для машини. Багато патентів описують цей продукт захисту, його композицію та його застосування. Один приклад з багатьох типів кольорозмінних фарб представляє собою клас сполук, названий холестеричні рідкі кристали. При опроміненні білим світлом холестерична рідкокристалічна структура відбиває світло певного кольору, який залежить від вказаного матеріалу та типово варіює від кута огляду та температури. Холестеричний матеріал сам по собі є безбарвним, тому спостерігаємий колір є результатом ефекту фізичного відбиття на холестеричній спиральній структурі, яка приймається композицією-попередником рідкого кристала при заданій температурі. Дивись, наприклад, J.L. Fergason, Molecular Crystals, Vol. 1, pp. 293-307 (1966), все розкриття якої включене посиланням в даний документ. [0006] EP-A-1381520 та EP-A-1681586, повні розкриття яких включені посиланням в даний документ, розкривають маркування з подвійним променезаломленням та спосіб його нанесення у формі шару рідких кристалів з неоднорідною схемою ділянок різної товщини. Нанесене рідкокристалічне покриття або шар можна забезпечити для прихованого зображення на підкладці з відбиттям, при цьому зображення є невидимим при роздивлянні в неполяризованому світлі, але стає видимим в поляризованому світлі або за допомогою поляризаційного фільтра. [0007] Патент США №5678863, повне розкриття якого включене посиланням в даний документ, розкриває засоби для ідентифікації цінних паперів, які мають паперову або полімерну ділянку, причому вказана ділянка має прозору та напівпрозору характеристику. Рідкокристалічний матеріал наносять на область для отримання оптичного ефекту, який є різним при роздивлянні у прохідному та відбитому світлі. Рідкокристалічний матеріал знаходиться в рідкій формі при кімнатній температурі та має бути включений у вмішувальні засоби, такі як мікрокапсули, щоб бути придатними для застосування у процесі друку, такому як глибокий, ротаційний, аерографічний або струменевий друк. [0008] Впорядкований рідкокристалічний стан залежить від присутності хірального допанту. Нематичні рідкі кристали без хірального допанту показують молекулярне угруповання, яке характеризується його подвійним промінезаломленням. Нематичні полімери відомі з, наприклад, EP-A-0216712, EP-A-0847432 та патенту США №6589445, повні розкриття яких включені посиланням в даний документ. [0009] Як вказано вище, елемент захисту на основі рідких кристалів забезпечує першочергову впізнаваємість споживачем та також роздрібними торговцями та виробниками товарів та виробів. Як і для багатьох інших елементів захисту, які застосовуються на ринку, завжди є спокуса для фальсифікаторів відтворити ці елементи захисту та отже ввести в оману 1 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 споживачів та роздрібних торговців. У звя'зку з вищеназваними фактами, все ще існує потреба в покращенні захисту матеріалів з рідкокристалічного полімеру на основі попередників рідких кристалів. [0010] Однією можливістю покращення рівня захисту плівки з хірального рідкокристалічного полімеру, здавалося б, буде накладення коду в формі схеми, знаків, штрих-коду тощо на плівку з рідкокристалічного полімеру. Проте, завжди існує ризик того, що фальсифікатор підробить код та вручну нанесе його на плівку з рідкокристалічного полімеру. [0011] Інша можливість подолання даної проблеми складається у вставленні коду в плівку з рідкокристалічного полімеру. Наприклад, патент США №6207240, повне розкриття якого включене посиланням в даний документ, описує ефективне покриття з холестеричного рідкокристалічного полімеру (CLCP) з залежним від кута огляду кольором відбиття, яке додатково містить пігменти поглинального типу, які мають конкретний колір, який поглинається. Маркування, таке як символ або текст, утворюється в CLCP-покритті при опроміненні лазером. Опромінення лазером обпалює CLCP-матеріал на опроміненій ділянці. В результаті колір підкладки, яка покрита CLCP, або колір поглинальних пігментів, включених в CLCP, стає видимим на опроміненій ділянці. Проте, спосіб потребує лазерів високої потужності для обпалення матеріалу та для того, щоб зробити маркування видимими. [0012] Інша можливість описана в US 2006/0257633 A1, повне розкриття якого включене посиланням в даний документ, в якому використовують не тільки рідкокристалічні полімери, а й полімери загалом. Спосіб включає нанесення проникної речовини на попередньо визначену ділянку на поверхні полімерної підкладки та приведення надкритичної рідини в контакт з поверхнею полімерної підкладки, на яку проникну речовину нанесли для того, щоб викликати проникнення проникної речовини в полімерну підкладку. Спосіб робить можливим селективну (часткову) модифікацію частини поверхні полімеру. Проте, для промислових процесів, де висока швидкість маркування для великої кількості виробів є необхідною, спосіб є складним та дорогим для виконання. [0013] Одним з недоліків способів, вказаних вище, є відсутність здатності модифікувати шар хірального рідкокристалічного полімеру селективним та контрольованим чином та утворювати міцне та надійне маркування або кодування, що є складним, якщо можливим, для відтворення та також є сумісним з виробничою лінією (процеси отримання виробів, таких як паспорти, пакування тощо). Cтислий опис даного винаходу [0014] Даний винахід забезпечує підкладку, яка має на собі маркування або шар, який містить затверділу хіральну рідкокристалічну композицію-попередник (якщо в хіральному рідкокристалічному стані). Хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить щонайменше одну сіль, яка змінює (як правило, залежним від концентрації чином) положення смуги вибіркового відбиття (λмакс.), яку проявляє отверділа композиція (в хіральному рідкокристалічному стані), у порівнянні з положенням смуги вибіркового відбиття, яку проявляє (інше однаково) композиція, яка не містить щонайменше одну сіль. Крім того, модифікуючу смолу, отриману з одного або декількох мономерів, які полімеризують, розташовують між підкладкою та маркуванням або шаром та в контакті з маркуванням або шаром в одній або декількох їх ділянках. Модифікуюча смола змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, що містить щонайменше одну сіль (якщо в хіральному рідкокристалічному стані), на підкладці в одній або декількох ділянках. Даний винахід також забезпечує маркування або шар, який місцево модифікують за допомогою модифікуючої смоли самою по собі (тобто, за відсутності підкладки). Вираз м"одифікуюча смола," як застосовується в даному описі та в прикладеній формулі винаходу, включає отверділі смоли, як вказано нижче, та також включає водні смоли, такі як, наприклад, поліамідні смоли (наприклад, CAS №175893-71-7, CAS №303013-12-9, CAS №393802-62-5, CAS №122380-38-5, CAS №9003-39-8), алкідні смоли (наприклад, типу складного поліефіру) та поліакрилати. [0015] В одному аспекті хіральна рідкокристалічна композиція-попередник може містити (i) одну або декілька (наприклад, дві, три, чотири, пя'ть або більше та зокрема, щонайменше дві) різних нематичних сполук A та (ii) одну або декілька (наприклад, дві, три, чотири, пя'ть або більше) різних хіральних сполук-допантів B, які здатні викликати холестеричний стан у хіральної рідкокристалічної композиції-попередника при нагріванні. Додатково, як одна або декілька нематичних сполук A, так і одна або декілька хіральних сполук-допантів B можуть містити щонайменше одну сполуку, яка містить щонайменше одну групу, яку полімеризують. Наприклад, всі з однієї або декількох нематичних сполук A та всі з однієї або декількох хіральних сполук-допантів B можуть містити щонайменше одну групу, яку полімеризують. 2 UA 109466 C2 5 10 15 Щонайменше одна група, яку полімеризують, може, наприклад, включати групу, яка здатна приймати участь в вільнорадикальній полімеризації та, зокрема, (переважно активованому) ненасиченому вуглець-вуглецевому звя'зку, такому як, наприклад, група формули H2C=CHC(O)-. [0016] В іншому аспекті підкладки та маркування даного винаходу хіральна рідкокристалічна композиція-попередник може містити щонайменше одну хіральну сполуку-допант B формули (I): (I), де кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкіл та C1-C6алкоксі; кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули (i) - (iii): (i) –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (ii) –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (iii) –C(O)-D2-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; D1 означає групу формули ; D2 означає групу формули 20 25 30 35 40 ; кожен з m, n, o, p, q, r, s та t незалежно означає 0, 1 або 2; y означає 0, 1, 2, 3, 4, 5 або 6; z дорівнює 0, якщо y дорівнює 0, та z дорівнює 1, якщо y дорівнює 1-6. [0017] В ще одному аспекті підкладки та маркування даного винаходу щонайменше одну сіль (наприклад, одна, дві, три або більше різних солей), яка змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник (не зважаючи на те, чи знаходиться полімер на підкладці), можна вибрати з солей металів та (переважно четвертинних) амонієвих солей. Наприклад, щонайменше одна сіль може включати щонайменше одну сіль металу, такого як лужний або лужноземельний метал (наприклад, Li, Na), наприклад, одна або декілька з перхлорату літію, нітрату літію, тетрафторборату літію, броміду літію, хлориду літію, карбонату натрію, хлориду натрію, нітрату натрію та/або одна або декілька (органічно заміщені) амонієвих солей, таких як солі тетраалкіламонію, наприклад, одну або декілька з тетрабутиламонію перхлорату, тетрабутиламонію хлориду, тетрабутиламонію тетрафторборату та тетрабутиламонію броміду. [0018] В ще одному додатковому аспекті підкладки/маркування даного винаходу щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, для забезпечення модифікуючої смоли для зміни положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа рідкокристалічна композиція-попередник, може містити щонайменше два ненасичені вуглецьвуглецеві звя'зки, та/або щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, може містити щонайменше один гетероатом, переважно вибраний з O, N та S, та зокрема O та/або N. Наприклад, щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, для забезпечення модифікуючої смоли може містити одну або декілька груп (наприклад, одну, дві, три, чотири, пя'ть, шість або більше груп) формули H2C=CH-C(O)- або H2C=C(CH3)-C(O)-. Необмежуючі приклади відповідних мономерів включають поліефіракрилати, 3 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 модифіковані поліефіракрилати (такі як, наприклад, модифіковані аміном поліефіракрилати), складні поліефіракрилати, модифіковані складні поліефіракрилати (такі як, наприклад, модифіковані аміном складні поліефіракрилати), гексафункціональні складні поліефіракрилати, тетрафункцональні складні поліефіракрилати, ароматичні дифункціональні уретанакрилати, аліфатичні дифункціональні уретанакрилати, аліфатичні трифункціональні уретанакрилати, аліфатичні гексафункціональні уретанакрилати, уретанмоноакрилати, аліфатичні діакрилати, бісфенолу A епоксіакрилати, модифіковані бісфенолу A епоксіакрилати, епоксіакрилати, модифіковані епоксіакрилати (такі як, наприклад, модифіковані жирною кислотою епоксіакрилати), акрилові олігомери, олігомери вуглеводню-акрилату, етоксильовані фенолакрилати, поліетиленглікольдіакрилати, пропоксильовані неопентилглікольдіакрилати, діакрильовані похідні бісфенолу A, дипропіленглікольдіакрилати, гександіолдіакрилати, трипропіленглікольдіакрилати, поліефірні тетраакрилати, дитриметилолпропантетраакрилати, дипентаеритритолгексаакрилати, суміші пентаеритритолтрита тетракрилати, дипропіленглікольдіакрилати, гександіолдіакрилати, етоксильовані триметилoлпропантриакрилати та трипропіленглікольдіакрилати. [0019] В іншому аспекті підкладки/маркування даного винаходу модифікуюча смола для зміни положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє (солевмісна) отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, може містити отверділу під випроміненням смолу, наприклад, смолу, отверділу під дією УФ. Інший тип смоли, який може використовуватися в даному винаході, представляє собою водні смоли, такі як поліамідні смоли, наприклад, CAS №175893-71-7, CAS №303013-12-9, CAS №393802-62-5, CAS №122380-38-5, CAS №9003-39-8. [0020] В іншому аспекті модифікуюча смола може пересувати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє солевмісна отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, на щонайменше приблизно 5 нм та/або може пересувати положення для коротших довжин хвилі та/або пересунуте положення смуги вибіркового відбиття може бути у видимому діапазоні. В звязку з цим, слід відзначити, що п"ересунення положення смуги вибіркового відбиття," як застосовується у даному документі та в прикладеній формулі винаходу, означає пересунення λмакс., як вимірюється за допомогою аналітичного спектрального пристрою, який вимірює відбиття зразка в інфрачервоному-близькому інфрачервоному-видимому-УФ діапазоні спектра, такого як пристрій LabSpec Pro, виробництва Analytical Spectral Devices Inc., Боулдер, Колорадо. [0021] В ще одному аспекті щонайменше одна з однієї або декількох ділянок підкладки, яка несе модифікуючу смолу, може бути в формі щонайменше одного з зображення, картини, логотипу, знаків та схеми, яка представляє код, вибраний з одного або декількох з 1-вимірного штрих-коду, багаторівневого 1-вимірного штрих-коду, 2-вимірного штрих-коду, 3-вимірного штрих-коду та матриці даних, та/або щонайменше частина отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, може бути у формі щонайменше одного з зображення, картини, логотипу, знаків та схеми, яка представляє код, вибраний з одного або декількох з 1-вимірного штрих-коду, багаторівневого 1-вимірного штрих-коду, 2-вимірного штрих-коду, 3-вимірного штрих-коду та матриці даних. [0022] В ще одному додатковому аспекті підкладка даного винаходу може бути або містить щонайменше одне з етикетки, упаковки, картриджу, контейнера або капсули, які містять фармацевтичні речовини, харчові добавки, продукти харчування або напої (такі як, наприклад, кава, чай, молоко, шоколад тощо), банкноти, кредитної картки, марки, акцизної марки, заставного документа, паспорта, ідентифікаційної карти, посвідчення водія, картки доступу, проїзного квитка, квитка-запрошення, ваучера, плівки чорнил, відбиваючої плівки, алюмінієвої фольги та комерційні товари. Маркування за даним винаходом можна також створити на підкладці, такій як, наприклад, плівка або пласт поліетилентерефталату (PET) або поліолефіну, такий як поліетилен для подальшого перенесення на постійну підкладку (наприклад, одну з підкладок, вказаних в попередньому реченні). [0023] Даний винахід додатково пропонує спосіб, який забезпечує маркування на підкладці. Спосіб містить нанесення хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, що твердне, на поверхню підкладки, яка несе в одній або декількох ділянках поверхні підкладки модифікуючу смолу, отриману з одного або декількох мономерів, які полімеризують. Хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, що твердне, містить щонайменше одну сіль, яка змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник (якщо в хіральному рідкокристалічному стані), у порівнянні з положенням смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, яка не містить щонайменше одну сіль. Крім того, модифікуюча смола здатна змінювати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє солевмісна отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, на підкладці в одній 4 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 або декількох ділянках, в яких вона присутня. Хіральну рідкокристалічну композиціюпопередник, що твердне, наносять таким чином, що композиція покриває щонайменше частину однієї або декількох ділянок, які несуть модифікуючу смолу, та також покриває щонайменше одну ділянку поверхні підкладки, яка не несе модифікуючу смолу. Спосіб додатково включає нагрівання нанесеної хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, щоб перевести її в хіральний рідкокристалічний стан, та твердіння композиції в хіральному рідкокристалічному стані (наприклад, опроміненням, таким як УФ-опромінення). [0024] В одному аспекті способу даного винаходу хіральну рідкокристалічну композиціюпопередник можна нагріти до температури від приблизно 55°C до приблизно 150°C, щоб перевести хіральну рідкокристалічну композицію-попередник в хіральний рідкокристалічний стан. [0025] В іншому аспекті способу хіральну рідкокристалічну композицію-попередник можна наносити на підкладку шляхом щонайменше одного з покриття розпиленням, покриття ножовим пристроєм, покриття розкатуванням, трафаретного покриття, покриття наливом, глибокий друк, флексографії, трафаретного друку, тампонного друку та струменевого друку (наприклад, безперервного струменевого друку, крапельно-імпульсного струменевого друку, клапанноструменевого друку) та/або може бути нанесене у формі щонайменше одного з зображення, картини, логотипу, знаків та схеми, яка представляє код, вибраний з одного або декількох з 1вимірного штрих-коду, багаторівневого 1-вимірного штрих-коду, 2-вимірного штрих-коду, 3вимірного штрих-коду та матриці даних. [0026] В ще одному аспекті модифікуюча смола може бути присутня в щонайменше одній з однієї або декількох ділянок в формі щонайменше одного з зображення, картини, логотипу, знаків та схеми, яка представляє код, вибраний з одного або декількох з 1-вимірного штрихкоду, багаторівневого 1-вимірного штрих-коду, 2-вимірного штрих-коду, 3-мірного штрих-коду та матриці даних та/або міг би бути забезпечений на підкладці шляхом щонайменше одного з безперервного струменевого друку, крапельно-імпульсного струменевого друку, клапанноструменевого друку, покриття розпиленням, флексографії, глибокого друку, офсетного друку, офсетного друку без зволоження, високого друку, тампонного друку та растрового друку. [0027] В ще одному додатковому аспекті підкладка може бути або може містити щонайменше одне з етикетки, упаковки, картриджа, контейнера або капсули, які містять фармацевтичні речовини, харчові добавки, продукти харчування або напої (такий як, наприклад, кава, чай, молоко, шоколад тощо), банкноти, кредитної картки, марки, акцизної марки, заставного документа, паспорта, ідентифікаційної картки, посвідчення водія, картки доступу, проїзного квитка, квитка-запрошення, ваучера, плівки чорнил, відбиваючої плівки, алюмінієвої фольги та комерційних товарів. [0028] В іншому аспекті модифікуюча смола може бути здатною пересувати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє (солевмісна) отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, на підкладці на щонайменше приблизно 5 нм. [0029] В іншому аспекті способу даного винаходу хіральна рідкокристалічна композиціяпопередник може містити (i) одну або декілька (наприклад, дві, три, чотири, пя'ть або більше, та зокрема щонайменше дві) різних нематичних сполук A та (ii) одну або декілька (наприклад, дві, три, чотири, пя'ть або більше) різних хіральних сполук-допантів B, які здатні викликати холестеричний стан у хіральної рідкокристалічної композиції-попередника при нагріванні. Крім того, як одна або декілька нематичних сполук A, так і одна або декілька хіральних сполукдопантів B можуть містити щонайменше одну сполуку, яка містить щонайменше одну групу, яку полімеризують. Наприклад, всі з однієї або декількох нематичних сполук A та всі з однієї або декількох хіральних сполук-допантів B можуть містити щонайменше одну групу, яку полімеризують. Щонайменше одна група, яку полімеризують, може, наприклад, містити групу, яка здатна приймати участь у вільнорадикальній полімеризації, та зокрема (переважно активованому) ненасиченому вуглець-вуглецевому звя'зку, таку як, наприклад, група формули H2C=CH-C(O)-. [0030] В іншому аспекті способу даного винаходу хіральна рідкокристалічна композиціяпопередник може містити щонайменше одну хіральну сполуку-допант B формули (I): 5 UA 109466 C2 5 (I), де кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкіл та C1-C6алкоксі; кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули (i) - (iii): (i) –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (ii) –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (iii) –C(O)-D2-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; D1 означає групу формули , 10 D2 означає групу формули 15 20 25 30 35 , кожен з m, n, o, p, q, r, s та t незалежно означає 0, 1 або 2; y означає 0, 1, 2, 3, 4, 5 або 6; z дорівнює 0, якщо y дорівнює 0, та z дорівнює 1, якщо y дорівнює 1-6. [0031] В ще одному аспекті способу даного винаходу щонайменше одну сіль (наприклад, одну, дві, три або більше різних солей), яка змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник (незважаючи на те, чи є присутнім полімер на підкладі), можна вибрати з солей металів та (переважно четвертинних) амонієвих солей. Наприклад, щонайменше одна сіль може включати щонайменше одну сіль металу, такого як лужний або лужноземельний метал (наприклад, Li, Na), наприклад, одну або декілька з перхлорату літію, нітрату літію, тетрафторборату літію, броміду літію, хлориду літію, карбонату натрію, хлориду натрію, нітрату натрію, та/або одну або декілька (органічно заміщених) амонієвих солей, таких як солі тетраалкіламонію, наприклад, одна або декілька з тетрабутиламонію перхлорату, тетрабутиламонію хлориду, тетрабутиламонію тетрафторборату та тетрабутиламонію броміду. [0032] В одному аспекті одна або декілька солей можуть містити метал, такий як, наприклад, лужний метал та/або лужноземельний метал. Наприклад, метал можна вибрати з одного або декількох з Li, Na. [0033] В ще одному додатковому аспекті способу даного винаходу щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, для забезпечення модифікуючої смоли для зміни положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє (солевмісна) отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, може містити щонайменше два ненасичені вуглецьвуглецеві звя'зки, та/або щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, може містити щонайменше один гетероатом, вибраний з O, N та S, та зокрема O та/або N. Наприклад, щонайменше один з одного або декількох мономерів, які 6 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 полімеризують, для забезпечення модифікуючої смоли може містити одну або декілька груп (наприклад, одну, дві, три, чотири, пя'ть, шість або більше груп) формули H2C=CH-C(O)- або H2C=C(CH3)-C(O)-. Необмежуючі приклади відповідних мономерів включають поліефіракрилати, модифіковані поліефіракрилати (такі як, наприклад, модифіковані аміном поліефіракрилати), складні поліефіракрилати, модифіковані складні поліефіракрилати (такі як, наприклад, модифіковані аміном складні поліефіракрилати), гексафункціональні складні поліефіракрилати, тетрафункціональні складні поліефіракрилати, ароматичні дифункціональні уретанакрилати, аліфатичні дифункціональні уретанакрилати, аліфатичні трифункціональні уретанакрилати, аліфатичні гексафункціональні уретанакрилати, уретанмоноакрилати, аліфатичні діакрилати, бісфенолу A епоксіакрилати, модифіковані бісфенолу A епоксіакрилати, епоксіакрилати, модифіковані епоксіакрилати (такі як, наприклад, жирною кислотою модифіковані епоксіакрилати), акрилові олігомери, вуглеводневі акрилатні олігомери, етоксильовані фенолакрилати, поліетиленглікольдіакрилати, пропоксильовані неопентилглікольдіакрилати, діакрильовані похідні бісфенолу A, дипропіленглікольдіакрилати, гександіолдіакрилати, трипропіленглікольдіакрилати, поліефіртетраакрилати, дитриметилолпропантетраакрилати, дипентаеритритолгексаакрилати, суміші пентаеритритолтрита тетраакрилати, дипропіленгліколю діакрилати, гександіолдіакрилати, етоксильовані триметилолпропантриакрилати та трипропіленглікольдіакрилати. Інший тип смоли, який можна використовувати в даному винаході, представляє собою водні смоли, такі як поліамідні смоли, наприклад, CAS №175893-71-7, CAS №303013-12-9, CAS №393802-62-5, CAS №122380-38-5, CAS №9003-39-8. [0034] В іншому аспекті способу даного винаходу модифікуюча смола може містити отверділу під опроміненням смолу, наприклад, смолу, отверділу під дією УФ. В іншому аспекті способу даного винаходу модифікуюча смола може містити водну смолу, яку можна висушити звичайними засобами, такими як тепло. [0035] Даний винахід додатково забезпечує підкладку, яка забезпечується маркуванням, де підкладку отримують способом даного винаходу, як вказано вище (включаючи його різні аспекти). [0036] Даний винахід також забезпечує спосіб пересування положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє хіральний рідкокристалічний попередник, отриманий з композиції, що містить (i) одну або декілька нематичних сполук, (ii) одну або декілька хіральних сполукдопантів, які здатні викликати холестеричний стан у хірального рідкокристалічного попередника, та (iii) щонайменше одну сіль, яка змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція, у порівнянні з положенням смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція, яка не містить щонайменше одну сіль. Спосіб включає контакт композиції хірального рідкокристалічного попередника з модифікуючою смолою, яку отримують з одного або декількох мономерів, які полімеризують, щонайменше один з мономерів містить гетероатом, вибраний з O, N та S, та здатен змінювати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник. Хіральну рідкокристалічну композицію-попередник потім нагрівають до температури від приблизно 55°C до приблизно 150°C, щоб перевести її в хіральний рідкокристалічний стан. Потім хіральна рідкокристалічна композиція-попередник твердіє. [0037] В одному аспекті способу положення смуги вибіркового відбиття може бути пересунене на щонайменше приблизно 5 нм. Інші аспекти способу, такі як, наприклад, аспекти, які відповідають компонентам (i), (ii) та (iii), включають такі, що вказані вище стосовно підкладки/маркування даного винаходу. Стислий опис графічних матеріалів [0038] Даний винахід додатково описаний в докладному описі, який йде далі, з посиланням на ряд графічних матеріалів шляхом необмежуючих прикладів ілюстративних варіантів здійснення даного винаходу, де: - фіг. 1 представляє собою діаграму, яка показує положення смуги вибіркового відбиття (λмакс.) отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, придатної для застосування в даному винаході, в залежності від концентрації хірального допанта, який міститься в ній, на основі сухої речовини; - фіг. 2 представляє собою діаграму, яка показує положення смуги вибіркового відбиття (λмакс.) отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, придатної для застосування в даному винаході, в залежності від кількості мілімоль солі на грам сухої речовини; - фіг. 3 показує фотографію та відповідну діаграму, які ілюструють ефект першої модифікуючої смоли (отверділої) на смугу вибіркового відбиття (λмакс.) з першої солевмісної 7 UA 109466 C2 отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, придатної для застосування в даному винаході (приклад 1); 5 - фіг. 4 показує фотографію та відповідну діаграму, які ілюструють ефект другої модифікуючої смоли на положення смуги вибіркового відбиття (λмакс.) з першої отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, застосованої в прикладі 1 (приклад 2); - фіг. 5 показує фотографію та відповідну діаграму, які ілюструють ефект першої модифікуючої смоли, застосованої в прикладі 1, на положення смуги вибіркового відбиття (λмакс.) з другої солевмісної отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника (приклад 3); 10 15 - фіг. 6 показує фотографію та відповідну діаграму, які ілюструють ефект другої модифікуючої смоли, застосованої в прикладі 2, на положення смуги вибіркового відбиття (λмакс.) з другої отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, застосованої в прикладі 3 (приклад 4); - фіг. 7 показує обє'кт даного винаходу, в якому застосовують модифікуючу смолу для утворення ідеального суміщення у порівнянні з іншими технологіями, які існують. Детальний опис даного винаходу 20 25 30 35 40 45 50 55 [0039] Конкретні варіанти, показані в даному документі, наведені лише в якості прикладу та для цілей пояснювального опису варіантів здійснення даного винаходу та представлені для забезпечення того, що вважається найбільш застосовуваним, та для легкого розуміння опису принципів та концептуальних аспектів даного винаходу. В звя'зку з цим не робиться жодних спроб, щоб показати структурні деталі даного винаходу більш конкретно, ніж це необхідно для загального розуміння даного винаходу, тому опис, взятий з графічними матеріалами, робить очевидним фахівцям даної галузі техніки як деякі форми даного винаходу можна втілити на практиці. [0040] Підкладка для застосування в даному винаході конкретно не обмежений та може бути різних типів. Підкладка може, наприклад, складатись (головним чином) з або містити одне або декілька з металу (наприклад, в формі контейнера, такого як банка, капсула або закритий картридж для утримання різних матеріалів, таких як, наприклад, харчові добавки, фармацевтичні речовини, напої або продукти харчування), тканини, покриття та їх еквівалентів, скла (наприклад, в формі контейнера, такого як пляшка для утримання різних матеріалів, таких як, наприклад, харчові добавки, фармацевтичні речовини, напої або продукти харчування), картону (наприклад, в формі упаковки), паперу та полімерного матеріалу, такого як, наприклад, ПЕТ або поліетилен (наприклад, в формі контейнера або в якості частини захисту документа). Слід зазначити, що ці матеріали підкладки надані виключно в ілюстративних цілях, без обмеження обсягу даного винаходу. Загалом, будь-яка підкладка (яка є необовя'зково пласкою та може бути нерівною), поверхня якої є нерозчинною або лише трохи розчинною в розчиннику(ах), які застосовують в хіральній рідкокристалічній композиції-попереднику, є придатною підкладкою для мети даного винаходу. [0041] Підкладка може переважно мати темну або чорну поверхню або фон, на який композицію-попередник необхідно нанести. Не звя'зуючись жодною теорією, припускають, що у випадку темного або чорного фону світло, передане холестеричним рідкокристалічним матеріалом, значною мірою поглинається фоном, таким чином будь-яке залишкове зворотне розсіяння з фону не порушує сприйняття власного відбиття холестеричного рідкокристалічного матеріалу неозброєним оком. На відміну від цього, на підкладці із світлою або білою поверхнею або фоном колір відбиття холестеричного рідкокристалічного матеріалу менш видимий при порівнянні з чорним або темним фоном, внаслідок сильного зворотного розсіювання від фону. Проте, навіть у випадку світлого або білого фону холестеричний рідкокристалічний матеріал може бути визнаний за допомогою фільтра кругової поляризації, оскільки він селективно відбиває лише один з двох можливих компонентів світла з круговою поляризацією, відповідно до його хіральної спіральної структури. Підкладка за даним винаходом може додатково містити додаткові елементи захисту, такі як органічні та/або неорганічні пігменти, фарби, пластинки, кольорозмінні елементи, магнітні пігменти тощо. [0042] Хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, яку застосовують для отримання маркування за даним винаходом та яку наносять (наприклад, осаджують) на щонайменше частину щонайменше однієї поверхні підкладки (та на щонайменше частину модифікуючої смоли на щонайменше одній поверхні підкладки), переважно містить суміш (i) однієї або декількох нематичних сполук A та (ii) однієї або декількох холестеричних (тобто, хіральних 8 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 допантів) сполук B (включаючи холестерин), які здатні викликати холестеричний стан у композиції. Крок гвинтової структури спіралі отриманого холестеричного стану залежить від відповідного співвідношення нематичних та холестеричних сполук. Як правило, (загальна) концентрація однієї або декількох нематичних сполук A в хіральній рідкокристалічній композиціїпопереднику для застосування в даному винаході буде від приблизно чотирьох до приблизно пя'тидесяти раз вище (загальної) концентрації однієї або декількох холестеричних сполук B. Часто хіральна рідкокристалічна композиція-попередник з високою концентрацією холестеричних сполук є небажаною (хоча можлива в багатьох випадках), оскільки одна або декілька холестеричних сполук, як правило, кристалізуються, таким чином роблячи неможливим отримання бажаного рідкокристалічного стану з конкретними оптичними властивостями. [0043] Нематичні сполуки A, які придатні для застосування в хіральній рідкокристалічній композиції-попереднику, відомі в даній області техніки; якщо застосовуються окремо (тобто без холестеричних сполук), вони упорядковують себе в стані, який характеризується своїм подвійним промінезаломленням. Необмежуючі приклади нематичних сполук A, які придатні для застосування в даному винаході, описані в, наприклад, WO 93/22397, WO 95/22586, EP-B0847432, патенті США №6589445, US 2007/0224341 A1 та JP 2009-300662 A. Всі розкриття цих документів включені посиланням в даний документ. [0044] Переважний клас нематичних сполук для застосування в даному винаході містить одну або декілька (наприклад, 1, 2 або 3) груп, які полімеризують, однакових або відмінних одна від одної, на молекулу. Приклади груп, які полімеризують, включають групи, які здатні приймати участь в вільнорадикальній полімеризація, та зокрема групи, що містять вуглець-вуглецевий подвійний або потрійний звя'зок, такий як, наприклад, акрилатний фрагмент, вініловий фрагмент або ацетиленовий фрагмент. Зокрема переважними в якості груп, які полімеризують, є акрилатні фрагменти. [0045] Нематичні сполуки для застосування в даному винаході додатково можуть містити одну або декілька (наприклад, 1, 2, 3, 4, 5 або 6) необовя'зково заміщених ароматичних груп, переважно фенільні групи. Приклади необовя'зкових замісників ароматичних груп включають такі, які вказані вище в даному документі, як приклади груп-замісників на фенільних кільцях хіральних сполук-допантів формули (I), такі як, наприклад, алкільні та алкоксигрупи. [0046] Приклади груп, які можуть необовя'зково бути присутніми для звя'зування груп, які полімеризують, та арильних (наприклад, фенільних) груп в нематичних сполуках A, включають такі, які проілюстровані в даному документі для хіральних сполук-допантів B формули (I) (включаючи такі формули (IA) та формули (IB), вказані нижче). Наприклад, нематичні сполуки A можуть містити одну або декілька груп формул (i) - (iii), які вказані вище, як значення для A1 та A2 в формулі (I) (та формули (IA) та (IB)), типово звя'зані з необовя'зково заміщеними фенільними групами. Конкретні необмежуючі приклади нематичних сполук, які придатні для застосування в даному винаході, приведені нижче в прикладі. [0047] Одна або декілька холестеричних (тобто хіральних допантів) сполук B для застосування в даному винаході переважно містять щонайменше одну групу, яку полімеризують. [0048] Як вказано вище, придатні приклади однієї або декількох хіральних сполук-допантів B включають такі формули (I): (I), де кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкіл та C1-C6алкоксі; кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули (i) - (iii): (i) –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; 9 UA 109466 C2 (ii) –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (iii) –C(O)-D2-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; D1 означає групу формули , 5 10 D2 означає групу формули , кожен з m, n, o, p, q, r, s та t незалежно означає 0, 1 або 2; y означє 0, 1, 2, 3, 4, 5 або 6; z дорівнює 0, якщо y дорівнює 0, та z дорівнює 1, якщо y дорівнює 1-6. [0049] В одному аспекті одна або декілька хіральних сполук-допантів B можуть містити одну або декілька похідних ізоманніду формули (IA): O ( 1m R ) O H O ( 3o R ) O A O 1 ( 2n R ) A 2 O H O ( 4p R ) O 15 20 (IA), де кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкіл та C1-C6алкоксі; кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули (i)-(iii): (i) –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (ii) –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (iii) –C(O)-D2-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; D1 означає групу формули (R5)q (R6)r , D2 означає групу формули (R7)s (R8)t 25 , m, n, o, p, q, r, s та t кожне незалежно означає 0, 1 або 2; y означає 0, 1, 2, 3, 4, 5 або 6; z дорівнює 0, якщо y дорівнює 0, та z дорівнює 1, якщо y дорівнює 1-6. [0050] В одному варіанті здійснення сполук формули (IA) (та сполук формули (I)) кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкіл. В альтернативному варіанті 10 UA 109466 C2 5 10 15 здійснення кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 в формулі (IA) (та в формулі (I)) незалежно означає C1-C6алкоксі. [0051] В іншому варіанті здійснення сполук формули (I) та формули (IA) кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; кожен з R1, R2, R3 та R4 незалежно означає C1-C6алкіл; та кожен з m, n, o та p незалежно означає 0, 1 або 2. В ще одному варіанті здійснення кожен з A1 та A2 в формулі (I) та формулі (IA) незалежно означає групу формули –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; кожен з R1, R2, R3 та R4 незалежно означає C1C6алкоксі; та кожен з m, n, o та p незалежно означає 0, 1 або 2. [0052] В іншому варіанті здійснення сполук формули (IA) (та формули (I)) кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2 та/або формули –C(O)D2-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; та кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1C6алкіл. В альтернативному варіанті здійснення кожен з A1 та A2 в формулі (IA) (та в формулі (I)) незалежно означає групу формули –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2 та/або групу формули –C(O)-D2-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; та кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкоксі. [0053] В іншому аспекті одна або декілька хіральних сполук-допантів B можуть містити одну або декілька похідних ізосорбіду, представлених формулою (IB): O ( 1m R ) O H O ( 3o R ) O A O 1 ( 2n R ) A 2 O H O ( 4p R ) O 20 25 (IB), де кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкіл та C1-C6алкоксі; кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули (i) - (iii): (i) –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (ii) –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (iii) –C(O)-D2-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; D1 означає групу формули (R5)q (R6)r , D2 означає групу формули (R7)s (R8)t 30 35 40 , кожен з m, n, o, p, q, r, s та t незалежно означає 0, 1 або 2; y означає 0, 1, 2, 3, 4, 5 або 6; z дорівнює 0, якщо y дорівнює 0, та z дорівнює 1, якщо y дорівнює 1-6. [0054] В одному варіанті здійснення сполук формули (IB), кожен зR1, R2, R3, R4, R5,R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкіл. В альтернативному варіанті здійснення кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 в формулі (IB) незалежно означає C1-C6алкоксі. [0055] В іншому варіанті здійснення сполук формули (IB) кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; кожен з R1, R2, R3 та R4 незалежно означає C1C6алкіл; та кожен з m, n, o та p незалежно означає 0, 1 або 2. У ще одному варіанті здійснення кожен зA1 та A2 в формулі (IB) незалежно означає групу формули –[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; кожен з R1, R2, R3 та R4 незалежно означає C1-C6алкоксі; та m, n, o та p кожне незалежно означає 0, 1 або 2. [0056] В іншому варіанті здійснення сполук формули (IB) кожен з A1 та A2 незалежно означає групу формули –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2 та/або формули –C(O)-D2-O–[(CH2)y-O]z 11 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 C(O)-CH=CH2; та кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкіл. В альтернативному варіанті здійснення кожен з A1 та A2 в формулі (IB) незалежно означає групу формули –C(O)-D1-O–[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2 та/або групу формули –C(O)-D2-O–[(CH2)y-O]zC(O)-CH=CH2; та кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає C1-C6алкоксі. [0057] В переважному варіанті здійснення алкільні та алкоксигрупи R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 в формулах (I), (IA) та (IB) можуть містити 3, 4, 6 або 7 атомів вуглецю, та зокрема 4 або 6 атомів вуглецю. [0058] Приклади алкільних груп, що містять 3 або 4 атоми вуглецю, включають ізопропіл та бутил. Приклади алкільних груп, що містять 6 або 7 атомів вуглецю, включають гексил, 2метилпентил, 3-метилпентил, 2,2-диметилпентил та 2,3- диметилпентил. [0059] Приклади алкоксигруп, що містять 3 або 4 атоми вуглецю, включають ізопропоксі, бут1-оксі, бут-2-оксі та трет-бутоксі. Приклади алкоксигруп, що містять 6 або 7 атомів вуглецю, включають гекс-1-оксі, гекс-2-оксі, гекс-3-оксі, 2-метилпент-1-оксі, 2-метилпент-2-оксі, 2метилпент-3-оксі, 2-метилпент-4-оксі, 4-метилпент-1-оксі, 3-метилпент-1-оксі, 3-метилпент-2оксі, 3-метилпент-3-оксі, 2,2-диметилпент-1-оксі, 2,2-диметилпент-3-оксі, 2,2-диметилпент-4оксі, 4,4-диметилпент-1-оксі, 2,3-диметилпент-1-оксі, 2,3-диметилпент-2-оксі, 2,3-диметилпент3-оксі, 2,3-диметилпент-4-оксі та 3,4-диметилпент-1-оксі. [0060] Необмежуючі конкретні приклади хіральних сполук-допантів B формули (I) для застосування в даному винаході забезпечені в прикладах нижче. [0061] Одна або декілька хіральних сполук-допантів B будуть, як правило, присутні з загальною концентрацією від приблизно 0,1 % до приблизно 30 % за вагою, наприклад, від приблизно 0,1 % до приблизно 25 % або від приблизно 0,1 % до приблизно 20 % за вагою, від загальної ваги композиції. Наприклад, у випадку струменевого друку найкращі результати завжди будуть отримані з концентраціями від 3 % до 10 % за вагою, наприклад, від 5 % до 8 % за вагою, від загальної ваги полімерної композиції. Одна або декілька нематичних сполук A зазвичай будуть присутні в концентрації від приблизно 30 % до приблизно 50 % за вагою від загальної ваги полімерної композиції. [0062] Один компонент хіральної рідкокристалічної композиції-попередника для застосування в даному винаході представляє собою сіль, та зокрема сіль, яка здатна змінювати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник (в хіральному рідкокристалічному стані), у порівнянні з положенням смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція без солі. Відносно смуги вибіркового відбиття, яку проявляє хіральний рідкий кристал, пояснення в патенті США № 7742136 або US 20100025641, повне розкриття яких спеціально включене посиланням в даний документ, може, наприклад, бути згадане. [0063] Величина, на яку положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє дана отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, може бути зміщена завдяки присутності солі, залежить від різних факторів, таких як, поряд з іншими, катіон солі, аніон солі та концентрація солі на грам сухої речовини. В звя'зку з цим на приклади нижче можна посилатись. Як правило, переважною є присутність солі в даному хіральному рідкокристалічному попереднику в концентрації, яка пересуває положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, на щонайменше приблизно 5 нм, наприклад, на щонайменше приблизно 10 нм, на щонайменше приблизно 20 нм, на щонайменше приблизно 30 нм, на щонайменше приблизно 40 нм або на щонайменше приблизно 50 нм. Придатні (загальні) концентрації солі зазвичай знаходяться в діапазоні від приблизно 0,01 % до приблизно 10 % за вагою, наприклад, від приблизно 0,1 % до приблизно 5 % за вагою, на основі вмісту твердих речовин хіральної рідкокристалічної композиції-попередника. [0064] Необмежуючі приклади придатних солей включають солі, які містять катіон металу (метали основної групи, перехідні метали, лантаноїди та актиноїди). Наприклад, метал може бути лужним або лужноземельним металом, таким як, наприклад, Li, Na. Додаткові необмежуючі приклади придатних солей включають четвертинні амонієві солі, такі як солі тетраалкіламонію. Приклади придатних аніонів включають с"тандартні” іони, такі як, наприклад, галогенід (наприклад, фторид, хлорид, бромід, йодид), перхлорат, нітрат, нітрит, сульфат, сульфонат, сульфіт, карбонат, бікарбонат, ціанід, ціанат та тіоціанат, а також комплексні іони, такі як, наприклад, тетрафторборат. Звичайно, суміші двох або більше солей (наприклад, дві, три, чотири або більше солей) можна також застосовувати. Якщо присутні дві або більше солей, вони можуть містити або можуть не містити однаковий катіон та/або однаковий аніон. [0065] Модифікуючу смолу для застосування в даному винаході, зокрема, не обмежують, оскільки вона здатна змінювати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, на підкладці на помітну величину. У звя'зку з 12 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 цим переважним є те, що смола здатна пересувати положення смуги вибіркового відбиття на щонайменше приблизно 5 нм, наприклад, на щонайменше приблизно 10 нм, на щонайменше приблизно 20 нм, на щонайменше приблизно 30 нм, на щонайменше приблизно 40 нм або на щонайменше приблизно 50 нм. Ця здатність залежить від різних факторів, таких як, поряд з іншими, компоненти хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, наприклад, сіль(і) та хіральна легуюча речовина(и), які містяться в ній, та присутність або відсутність функціональних груп в модифікуючій смолі (та таким чином на її поверхні). [0066] Приклади модифікуючих смол, які є придатними для застосування в даному винаході, включають отримані з (одного, двох, трьох, чотирьох або більше) мономерів, які полімеризують, які включають один або декілька (наприклад, два або три) гетероатомів, вибраних з, наприклад, O, N або S. У звя'зку з цим, має бути зрозуміло, що мономери, які полімеризують, не обмежені тими, які полімеризують вільнорадикальною полімеризацією. Швидше ці мономери також включають, наприклад, мономери, які полімеризують катіонною та/або аніонною полімеризацією та/або поліконденсацією. Відповідно, необмежуючі приклади смол, які є придатними для цілей даного винаходу, включають органічні смоли, такі як поліакрилати, поліметакрилати, полівінілефіри, складні полівінілефіри, складні поліефіри, поліефіри, поліаміди, поліуретани, полікарбонати, полісульфони, фенольні смоли, епоксісмоли та змішані форми цих смол. Змішані неорганічні/органічні смоли, такі як силікони (наприклад, поліорганосилоксани) є придатними також. Один конкретний тип смоли, яку можна використовувати в даному винаході, представляє собою водні смоли, такі як, наприклад, поліамідні смоли (наприклад CAS №175893-71-7, CAS №303013-12-9, CAS №393802-62-5, CAS №122380-38-5, CAS №9003-39-8). [0067] Необмежуючі приклади модифікуючих смол для застосування в даному винаході також включають отримані з одного або декількох мономерів, вибраних з поліефіракрилатів, модифікованих поліефіракрилатів (таких як, наприклад, модифіковані аміном поліефіракрилати), складних поліефіракрилатів, модифікованих складних поліефіракрилатів (таких як, наприклад, модифіковані аміном складні поліефіракрилати), гексафункціональних складних поліефіракрилатів, тетрафункціональних складних поліефіракрилатів, ароматичних дифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних дифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних трифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних гексафункціональних уретанакрилатів, уретанмоноакрилатів, аліфатичних діакрилатів, бісфенолу A епоксіакрилатів, модифікованих бісфенолу A епоксіакрилатів, епоксіакрилатів, модифікованих епоксіакрилатів (таких як, наприклад, модифіковані жирною кислотою епоксіакрилати), акрилових олігомерів, вуглеводневих акрилатних олігомерів, етоксильованих фенолакрилатів, поліетиленглікольдіакрилатів, пропоксильованих неопентилглікольдіакрилатів, діакрильованих похідних бісфенолу A, дипропіленглікольдіакрилатів, гександіолдiакрилатів, трипропіленглікольдіакрилатів, поліефіртетраакрилатів, дитриметилолпропантетраакрилатів, дипентаеритритолгексаакрилатів, сумішей пентаеритритолтрита тетраакрилатів, дипропіленглікольдіакрилатів, гександіолдiакрилатів, етоксильованих триметилолпропантриакрилатів та трипропіленглікольдіакрилатів (необовя'зково в комбінації з одним або декількома мономерами, які відрізняються від вказаних вище мономерів). [0068] Зрозуміло, що модифікуюча смола для застосування в даному винаході не повинна бути повністю отверділою (полімеризованою) або застиглою перед її контактом з хіральною рідкокристалічною композицією-попередником, оскільки вона здатна утримувати компоненти та, зокрема, розчинник, який може бути (та, як правило, буде) присутнім в хіральній рідкокристалічній (неотверділа) композиції-попереднику (наприклад, що модифікуюча смола не розчиняється таким чином до будь-якої значної величини). Отвердіння модифікуючої смоли, яка лише частково твердне, може бути завершено, наприклад, разом з отвердінням хірального рідкокристалічного попередника (наприклад, шляхом УФ-опромінення). [0069] Іншою великою перевагою над існуючим рівнем техніки (як показано в, наприклад, WO 2001/024106, WO 2008/127950, повні розкриття яких включені посиланням в даний документ) є можливість створювати ідеальне суміщення без застосування методики масок. Під ідеальним суміщенням розуміють можливість отримувати за дуже мало етапів та/або етапів процесу(ів) один шар рідкокристалічного полімеру, де присутні дві або більше зон з одночасно різними властивостями пересування кольору та/або різними положеннями смуги вибіркового відбиття, та ці зони можуть бути повністю суміжними як без інтервалу, так і перекриття між ними, як показано на фіг. 7. Ця перевага виникає через той факт, що рідкокристалічну композицію-попередник наносять в один етап, та її властивості локально модифікують модифікуючою смолою. Для отримання подібного результату без даного способу необхідно наносити та отверджувати дві або більше рідкокристалічні композиції-попередники послідовними кроками з дуже високою точністю для того, щоб покрити ними суміжні області без 13 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 інтервалів або перекриттів (як показано на фіг. 7). Даний спосіб дозволяє безпосереднє створення логотипа, маркування, кодування, штрих-коду, схеми, матриці даних, яка містить різну інформацію та/або колір одночасно. Можливості, надані даним cпособом, включають застосування сумішей модифікуючих смол (наприклад, сумішей двох, трьох, чотирьох або більше модифікуючих смол), як в формі отверділих фізичних сумішей двох або декількох модифікуючих смол, так і в формі двох або декількох різних модифікуючих смол, які (окремо) присутні в різних місцях поверхні підкладки. Альтернативно або додатково, дві або декілька різних хіральних рідкокристалічних композицій-попередників, які відрізняються, наприклад, концентрацією солі(ей), що міститься в них, та/або відрізняються за вмістом в них різних солей, можна також застосовувати. Це збільшує велику кількість можливих комбінацій хіральних рідкокристалічних композицій-попередників та модифікуючих смол, які можуть бути присутні на поверхні однієї підкладки. Дана велика кількість можливих комбінацій дозволяє, серед іншого, можливість створення конкретного коду та/або маркування, яке складно підробити, оскільки будь-хто, хто хоче відтворити її, повинен знати точну композицію хіральної рідкокристалічної композиції-попередника, тип, кількість та концентрацію солі(ей), яка міститься в ній, та природу модифікуючої смоли(смол). Включення додаткових конкретних елементів захисту, таких як, наприклад, елементи ближнього інфрачервоного, інфрачервоного та/або УФ-захисту (відомі лише виробнику маркування) в рідкокристалічній композиції-попереднику та/або в модифікуючій смолі, роблять підробку навіть більш складною. Відповідно, даний винахід також припускає та охоплює застосування хіральної рідкокристалічної композиції-попередника та модифікуючих смол, які містять такі додаткові конкретні елементи захисту. [0070] Крім того, в деяких випадках може бути бажаним навмисно покривати практично всю (або щонайменше велику частину) поверхню підкладки першим матеріалом з (модифікуючої) смоли з модифікуючими властивостями та потім наносити на одній або декількох ділянках таким чином покритої поверхні другу модифікуючу смолу (або навіть дві або більше різних модифікуючих смол на різних ділянках), де перша та друга (та третя і т. д.) смоли відрізняються за своєю здатністю пересувати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник (або дві або більше різні отверділі хіральні рідкокристалічні композиції-попередники). [0071] До того ж слід розуміти, що даний винахід не обмежується видимим діапазоном електромагнітного спектра. Наприклад, модифікуюча смола може пересувати всю або частину смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиціяпопередник, з ІЧ-діапазону у видимий діапазон, або з видимого діапазону в УФ-діапазон, або з ІЧ-діапазону в УФ-діапазон. [0072] Хіральну рідкокристалічну композицію-попередник можна наносити на поверхню підкладки будь-яким придатним способом, таким як, наприклад, покриття розпиленням, покриття ножовим пристроєм, покриття розкатуванням, трафаретне покриття, покриття наливом, глибокий друк, флексографія, офсетний друк, офсетний друк без зволоження, високий друк, растровий друк, тампонний друк та струменевий друк (наприклад, безперервний струменевий друк, крапельно-імпульсний струменевий друк, клапанно-струменевий друк). В одному з варіантів здійснення даного винаходу нанесення (наприклад, розміщення) композиції для отримання маркування або шару та/або композиції для отримання модифікуючої смоли проводять за допомогою техніки друку, такої як, наприклад, струменевий друк (безперервний, крапельно-імпульсний тощо), флексографія, тампонний друк, ротаційний глибокий друк, растровий друк тощо. Звичайно, інші техніки друку, відомі фахівцям в даній галузі друку, можна також застосовувати. В одному з переважних варіантів здійснення даного винаходу друк флексографією використовують як для нанесення смоли, так і для нанесення хіральної рідкокристалічної композиції-попередника. В іншому переважному варіанті здійснення даного винаходу техніки струменевого друку застосовують як для нанесення модифікуючої смоли, так і для нанесення хіральної рідкокристалічної композиції-попередника. Припускають також, що дві різні техніки можна використовувати відповідно для нанесення модифікуючої смоли та хіральної рідкокристалічної композиції-попередника. Промислові струменеві пристрої для друку, зазвичай застосовувані для нумерації, кодування та маркування на лініях обробки та друкарських машинах, є особливо придатними.Переважні струменеві пристрої для друку включають односоплові струменеві пристрої для друку безперервної подачі (також називають як растрові пристрої для друку або пристроями для багаторівневого друку з відхиленням) та струменеві друкувальні пристрої з подачею на вимогу, зокрема клапанно-струменеві друкувальні пристрої. Товщина нанесеної композиції рідкокристалічного полімера після твердіння згідно з описаними вище техніками нанесення буде, як правило, складати щонайменше приблизно 1 мкм, наприклад, щонайменше приблизно 3 мкм або щонайменше приблизно 4 мкм, та буде, як 14 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 правило, складати не більше ніж приблизно 20 мкм, наприклад, не більш ніж приблизно 15 мкм, не більше ніж приблизно 10 мкм або не більше ніж приблизно 6 мкм. Товщина нанесеної модифікуючої смоли після твердіння згідно з описаними вище техніками нанесення буде, як правило, складати щонайменше приблизно 1 мкм, наприклад, щонайменше приблизно 3 мкм або щонайменше приблизно 5 мкм, але буде, як правило, складати не більше ніж приблизно 10 мкм. [0073] Зокрема, якщо полімерну композицію для застосування в даному винаході (тобто композиція для отримання хірального рідкокристалічного попередника або композиція для отримання модифікуючої смоли) необхідно наносити способами друку, вказаними вище, композиція буде, як правило, містити розчинник для доведення її вя'зкості до значення, яке є придатним для застосовуваної техніки нанесення (друку). Типові значення вя'зкості для чорнил для флексографського друку знаходяться в діапазоні від приблизно 40 секунд до приблизно 120 секунд, використовуючи, наприклад, чашковий віскозиметр №4 згідно DIN. Придатні розчинники відомі фахівцям у даній галузі. Необмежуючі їх приклади включають з низькою в'язкістю, слабко полярні та апротонні органічні розчинники, такі як, наприклад, метилетилкетон (MEK), ацетон, циклогексанон, етилацетат, етил-3-етоксипропіонат, та суміші двох або більше з них. [0074] Крім того, зокрема, якщо полімерну композицію для застосування в даному винаході (тобто композиція для отримання хірального рідкокристалічного попередника або композиція для отримання модифікуючої смоли) необхідно наносити шляхом (безперервного) струменевого друку, полімерна композиція буде, як правило, також містити щонайменше один засіб, що підвищує провідність, відомий фахівцям в даній галузі. [0075] Якщо хіральну рідкокристалічну композицію-попередник та/або композицію для отримання модифікуючої смоли для застосування в даному винаході необхідно отвердити/полімеризувати УФ-опроміненням, композиція буде також містити щонайменше один фотоініціатор. Необмежуючі приклади багатьох придатних фотоініціаторів включають αгідроксикетони, такі як 1-гідроксициклогексилфенілкетон та суміш (наприклад, приблизно 1:1) 1гідроксициклогексилфенілкетону та одного або декількох з бензофенону, 2-гідроксі-2-метил-1феніл-1-пропанону та 2-гідроксі-1-[4-(2-гідроксіетокси)феніл]-2-метил-1-пропанону; фенілгліоксилати, такі як метилбензоїлформіат та суміш оксифенілоцтової кислоти 2-[2-оксо-2фенілацетоксіетоксі]-етилового складного ефіру та оксифенілоцтового 2-[2-гідроксіетоксі]етилового складного ефіру; бензилдиметилкеталі, такі як альфа, альфа-диметоксі-альфафенілацетофенон; α-амінокетони, такі як 2-бензил-2-(диметиламіно)-1-[4-(4-морфолініл)феніл]1-бутанон та 2-метил-1-[4-(метилтіо)феніл]-2-(4-морфолініл)-1-пропанoн; фосфіноксид та фосфіноксидні похідні, такі як дифеніл-(2,4,6-триметилбензоїл)-фосфіноксид; феніл-біс(2,4,6триметилбензоїл), виробництва Ciba, та також похідні тіоксантону, такі як Speedcure ITX (CAS 142770-42-1), Speedcure DETX (CAS 82799-44-8), Speedcure CPTX (CAS 5495-84-1-2 або CAS 83846-86-0), виробництва Lambson. [0076] Якщо полімерну композицію для застосування в даному винаході (тобто композицію для отримання хірального рідкокристалічного попередника або композицію для отримання модифікуючої смоли) необхідно отвердити способом, який відрізняється від опромінення УФсвітлом, таким як, наприклад, за допомогою частинок з високою енергією (наприклад, електронні пучки), рентгенівські промені, гама-промені тощо, без застосування фотоініціатора можно, звичайно, обійтись. [0077] Також може бути можливим або навіть бажаним отвердіти головним чином композицію для отримання модифікуючої смоли термічно. У даному випадку композиція буде, як правило, містити щонайменше один ініціатор термічної полімеризації, такий як, наприклад, пероксид або азосполука. Інші приклади ініціаторів термічної полімеризації добре відомі фахівцям в даній галузі техніки. [0078] Хіральна рідкокристалічна композиція-попередник та композиція для забезпечення модифікуючої смоли для застосування в даному винаході можуть також містити різноманітні інші необовя'зкові компоненти, які придатні та/або бажані для досягнення конкретної бажаної властивості композиції, та, загалом, можуть містити будь-які компоненти/речовини, які не впливають негативно на обовя'зкову властивість композиції значною мірою. Необмежуючі приклади таких необовя'зкових компонентів представляють собою смоли, силанові сполуки, підчилювачі адгезії, сенсибілізатори фотоініціаторів (якщо є) тощо. Наприклад, головним чином хіральна рідкокристалічна композиція-попередник для застосування в даному винаході може містити одну або декілька силанових сполук. Необмежуючі приклади придатних силанових сполук необовя'зково включають силани, які полімеризують, такі як формули R1R2R3-Si-R4, де кожен з R1, R2 та R3 незалежно представляює собою алкоксі та алкоксіалкоксі всього з від 1 до приблизно 6 атомами вуглецю, та R4 представляє собою вініл, аліл, (C1-10)алкіл, 15 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 (мет)акрилоксі(C1-6)алкіл та гліцидилоксі(C1-6)алкіл, такий як, наприклад, вінілтриетоксисилан, вінілтриметоксисилан, вінілтрис(2-метоксіетокси)силан, 3-метакрилоксипропілтриметоксисилан, октилтриетоксисилан та 3-гліцидилоксипропілтриетоксисилан з сімейства Dynasylan®, виробництва Evonik. [0079] Концентрація однієї або декількох силанових сполук, якщо присутня, в рідкокристалічній композиції-попереднику буде, як правило, складати від приблизно 0,5 % до приблизно 5 % за вагою від загальної ваги композиції. [0080] Для посилення захисту маркування або шару за даним винаходом композиція для отримання модифікуючої смоли та/або композиції для отримання хірального рідкокристалічного попередника для застосування в даному винаході може додатково містити один або декілька пігментів та/або барвників, які поглинають у видимій або невидимій області електромагнітного спектра, та/або один або декілька пігментів та/або барвників, які є люмінесцентними, та/або один або декілька магнітних пігментів. Необмежуючі приклади придатних пігментів та/або барвників, які поглинають у видимій або невидимій області електромагнітного спектра, включають фталоціанінові похідні. Необмежуючі приклади придатних люмінесцентних пігментів та/або барвників включають похідні лантаноїдів. Необмежуючі приклади придатних магнітних пігментів включають частинки перехідних оксидів металів, такі як оксиди заліза та хрому. Присутність пігменту(ів) та/або барвника(ів) буде підвищувати та посилювати захист маркування від підробки. [0081] Після нанесення (наприклад, розміщення) хіральної рідкокристалічної композиціїпопередника за даним винаходом на підкладку полімерну композицію переводять в хіральний рідкокристалічний стан зі специфічними оптичними властивостями. Вираз с"пецифічні оптичні властивості” слід розуміти як стан рідкого кристала зі специфічним кроком гвинтової структури спіралі, який відбиває конкретний діапазон довжин хвиль (смуга вибіркового відбиття). Для цього хіральну рідкристалічну композицію-попередник нагрівають, розчинник, який міститься в композиції, якщо є, випарюють, та активація бажаного хірального рідкокристалічного стану має місце. Температура, яку застосовують для випарювання розчинника та для активації утворення рідкокристалічного стану залежить від компонентів хіральної рідкокристалічної композиціїпопередника та буде в багатьох випадках в діапазоні від приблизно 55°C до приблизно 150°C, наприклад, від приблизно 55°C до приблизно 100°C, переважно від приблизно 60°C до приблизно 100°C. Приклади придатних джерел нагрівання включають звичайні нагрівальні засоби, такі як плита, піч, потік гарячого повітря та, зокрема, джерела опромінення, такі як, наприклад, ІЧ-лампа. Потрібний час нагрівання залежить від деяких факторів, таких як, наприклад, компоненти полімерної композиції, тип нагрівального пристрою та інтенсивність нагрівання (потужність нагрівального пристрою). В багатьох випадках час нагрівання від приблизно 0,1 с, приблизно 0,5 с або від приблизно 1 секунди до приблизно 30 секунд, такий як, наприклад, не більше ніж приблизно 20 секунд, не більше ніж приблизно 10 секунд або не більше ніж приблизно 5 секунд, буде достатнім. [0082] Маркування за даним винаходом в кінці отримують твердінням та/або полімеризацією (всієї) композиції в хіральному рідкокристалічному стані. Фіксація або тверднення типово будуть здійснювати опроміненням УФ-світлом, яке індукує полімеризацію груп, які полімеризують, присутні в полімерній композиції. [0083] Відповідно, весь спосіб для отримання маркування даного винаходу має містити наступні етапи: - нанесення модифікуючої смоли на підкладку; - проведення отвердіння та/або сушки нанесеної модифікуючої смоли щонайменше частково, наприклад, повністю; - нанесення солевмісної рідкокристалічної композиції-попередника на частину підкладки, яка має на собі модифікуючу смолу; - нагрівання нанесеної рідкокристалічної композиції-попередника для переведення її в холестеричний стан; - проведення отвердіння нагрітої рідкокристалічної композиції-попередника (та необовя'зково завершення отвердіння та/або сушки модифікуючої смоли) для отримання маркування за даним винаходом. [0084] Маркування за даним винаходом може бути включене, наприклад, в елемент захисту, елемент автентичності, елемент розпізнання або елемент відслідковування та простежування. [0085] Наступні приклади спрямовані на ілюстрацію даного винаходу без його обмеження. Приклади Отримання хіральної рідкокристалічної композиції-попередника 16 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 [0086] Хіральну рідкокристалічну композицію-попередник (I) отримали наступним чином, відсотки вказані за вагою від загальної ваги композиції: [0087] Хіральну сполуку-допант B формули (I), показану вище (4,75 %), нематичну сполуку A1 (14 %), нематичну сполуку A2 (14 %) та циклогексанон (66,45 %) помістили в колбу, яку потім нагрівали, доки не отримали розчин. До розчину додали 2-метил-1[4-(метилтіо)феніл]-2морфолінoпропан-1-он (Irgacure 907® від Ciba, фотоініціатор, 0,6 %) та ізопропілтіоксантон (фотоініціатор, 0,2 %). Кінцеву суміш перемішували, доки не досягли повного розчинення, щоб отримати хіральну рідкокристалічну композицію-попередник (I). Отримання шару отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника [0088] Вищевказаною композицією (I) покривали підкладку (прозора ПЕТ-плівка, товщина 125 мкм) та отриманий шар нагрівали до приблизно 80°C протягом приблизно 30 секунд для випаровування розчинника та для появи холестеричної рідкокристалічної фази, тобто стану, який показує специфічну смугу відбиття, положення якої залежить від концентрації хіральної сполуки-допанту B в композиції. Потім композицію отвердівали шляхом опромінення УФ2 лампою (ртутна лампа низького тиску з УФ-випроміненням 10 мВ/см ) протягом приблизно 1 секунди для заморожування холестеричної рідкокристалічної фази за допомогою сополімеризації груп, які полімеризують, сполук A1, A2 та B. Після отвердіння композиція практично не містила розчинник (лише залишкові кількості циклогексанону були присутні) та містила вищевказані компоненти (в полімеризованій формі) в наступних вагових відсотках від загальної ваги композиції: 41,725 % Сполука A1 (нематичний попередник) 41,725 % Сполука A2 (нематичний попередник) 14,16 % Сполука B (хіральний допант) 2,39 % фотоініціатор [0089] Концентрація хіральної сполуки-допанта B в холестеричному рідкокристалічному попереднику дозволяє контролювати положення смуги вибіркового відбиття та як його результат колір отверділого шару хірального рідкокристалічного попередника. Це проілюстровано фіг. 1, яка представляє собою діаграму довжини хвилі максимального нормального відбиття в залежності від концентрації хіральної легуючої сполуки B в сухій композиції. З 14,16 % хіральної сполуки-допанту B довжина хвилі максимального нормального відбиття композиції складає приблизно 510 нм, що дає зеленувато-голубий колір відповідного шару. Як показано на фіг. 1, збільшення (зменшення) концентрації хіральної сполуки-допанту B в композиції приводить до зменшення (збільшення) довжини хвилі максимального нормального відбиття. Додавання солі до хіральної рідкокристалічної композиції-попередника [0090] Дві різні солі, а саме LiClO4 та LiBr, додавали до вищезгаданої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника (I). Фіг. 2 ілюструє ефект співвідношення моль солі до моль хіральної сполуки-допанту B на положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція. Як видно з фіг. 2, LiClO4 та LiBr мають відносно сильний вплив на положення смуги вибіркового відбиття. Отримання комбінацій отверділого хірального рідкокристалічного попередника/модифікуючої смоли (1) Отримання солевмісних композицій [0091] Вищевказану композицію (I) модифікували додаванням до неї двох різних солей, а саме LiClO4 та LiBr, в наступних вагових процентах (від загальної ваги композиції, що містить розчинник, відсоток розчинника, показаний вище, зменшується відповідно відсотку доданої солі): 50 Композиція (Ia): 0,66 % LiClO4 Композиція (Ib): 0,55 % LiBr [0092] Вищевказані відсотки відображують різну молекулярну вагу солей та дають в результаті приблизно однакові мольні відсотоки кожної солі в композиціях (Ia) та (Ib). [0093] Крім того, наступні композиції для отримання модифікуючої смоли були отримані (в % за вагою від загальної ваги композиції). Композиція (IIa): 55 17 UA 109466 C2 65 % метилетилкетону 33 % Ebecryl 83 1 % Irgacure 907 0,5 % ізопропілтіоксантону 0,5 % Irgacure 500 5 (Ebecryl 83 представляє багатофункціональний акрилат) Композиція (IIb): 65 % метилетилкетону 33 % Ebecryl 1608 1 % Irgacure 907 0,5 % ізопропілтіоксантону 0,5 % Irgacure 500 10 розчинник мономер, що твердне під УФ-випроміненням, CYTEC фотоініціатор, CIBA фотоініціатор фотоініціатор, CIBA собою з низькою вя'зкістю модифікований аміном розчинник мономер, що твердне під УФ-випроміненням, CYTEC фотоініціатор, CIBA фотоініціатор фотоініціатор, CIBA (Ebecryl 1608 представляє собою очищений бісфенол A епоксидіакрилат, розведений пропоксильованим гліцеринтриакрилатом) (2) Загальна процедура для отримання маркування [0094] За допомогою мікропіпетки краплину в 2 мкл композиції (IIa) або (IIb) розташовують на одному боці підкладки (прозора ПЕТ-плівка, товщина 125 мкм). Підкладку поміщають на нагрівальну плиту (80°C) для швидкого випаровування розчинника, присутнього в композиції УФ-смоли. 15 20 25 30 35 40 45 [0095] Через приблизно 30 секунд нагрівання розчинник випаровується, та розташовану смолу отвердівають за допомогою УФ-лампи (ртутна лампа низького тиску з УФ2 опромінюванням 10 мВ/см ) протягом приблизно 1 секунди. Підкладку тепер локально покривають з одного боку отверділою УФ-смолою на круглу ділянку від приблизно 5 до 10 мм в діаметрі в залежності від вя'зкості композиції УФ-смоли. [0096] Один бік підкладки, який несе УФ-смолу, шар приблизно 10 мкм товщини однієї з рідкокристалічних композицій-попередників, вказаних вище (композиція (Ia) або (Ib)), наносять на всю поверхню підкладки за допомогою ручного пристрою для нанесення покриття. [0097] Покритий зразок потім швидко поміщають на нагрівальну плиту (80°C) для випаровування розчинника та появи холестеричної рідкокристалічної фази. [0098] Через приблизно 30 секунд нагрівання розчинник випаровується, та рідкокристалічну композицію-попередник отвердівають за допомогою УФ-лампи (ртутна лампа низького тиску з 2 УФ-опромінюванням 10 мВ/см ) протягом приблизно 1 секунди. Товщина таким чином отверділого шару холестеричного рідкокристалічного полімеру становить приблизно 3,3 мкм. [0099] Наступні комбінації композицій були застосовані: Приклад 1: Композиція (Ia)/Композиція (IIa) – дивись фіг. 3 Приклад 2: Композиція (Ia)/Композиція (IIb) – дивись фіг. 4 Приклад 3: Композиція (Ib)/Композиція (IIa) – дивись фіг. 5 Приклад 4: Композиція (Ib)/Композиція (IIb) – дивись фіг. 6 [0100] На фігурах 3-6 фотографія зверху показує фактичний зразок ПЕТ-плівки з приблизно круглою ділянкою, де розмістили модифікуючу смолу, отриману з композиції (IIa) або композиції (IIb) (на звороті зразка знаходиться чорний папір, який дає темний фон та кращу візуалізацію різниці кольорів). Діаграма нижче картинки показує відносне відбиття як функцію довжини хвилі як для області з нанесеною модифікуючою смолою, отриманою з композиції (IIa) або композиції (IIb) (покритою отверділим хіральним рідкокристалічним попередником, отриманого з композиції (Ia) або композиції (Ib)), так і області, де лише присутній отверділий хіральний рідкокристалічний попередник. Фіг. 7 представляє собою діаграму, відповідну діаграмам на фігурах 3-6 (без фотографії). [0101] Як можна побачити з фіг. 3 (приклад 1), положення смуги вибіркового відбиття в області 2 відповідає положенню смуги вибіркового відбиття, яку можна будо розрахувати на основі діаграми на фіг. 2 (LiClO4 крива), тобто, приблизно 660 нм. Проте, в області 1 розташована модифікуюча смола, отримана з композиції (IIa), значно пересуває положення смуги вибіркового відбиття до більш короткого діапазону довжин хвиль (506 нм), що є 18 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 приблизно таким самим, як положення смуги вибіркового відбиття шару, отриманого з композиції (Ia) без додавання солі (дивись фіг. 1 для концентрації хіральної легуючої речовини 14,16 % за вагою). Відповідно, у даному випадку розташована модифікуюча смола (отримана з композиції (IIa)) фактично скасовує ефект присутності LiClO4 на положення смуги вибіркового відбиття (колір) отверділого шару хірального рідкокристалічного попередника. [0102] Як можна побачити з фіг. 4 (приклад 2) при порівнянні з фіг. 3, модифікуюча смола, отримана з композиції (IIa), є більш ефективною, ніж модифікуюча смола, отримана з композиції (IIb), відносно її модифікуючих властивостей, хоча остання все ще викликає значне пересування положення смуги вибіркового відбиття отверділого шару хірального рідкокристалічного попередника (до приблизно 580 на). [0103] Розглядаючи приклади 3 та 4, у випадку присутності LiBr розташована модифікуюча смола, отримана з композиції (IIa), є ефективною відносно її модифікуючих властивостей та є більш ефективною у випадку присутності LiClO4, але попередня все ще забезпечує значне пересування в напрямку коротших довжин хвиль (фіг. 5). Фактично те саме стосується смоли, отриманої з композиції (IIb), дивись фіг. 6. [0104] Вищенаведені приклади демонструють, що додавання солі в рідкокристалічну композицію-попередник може використовуватися для пересування положення смуги вибіркового відбиття відповідного отверділого полімеру контрольованим чином та що як тип солі, так і її концентрація можуть впливати на ефект пересування солі (на додаток до зміни концентрації хіральної легуючої речовини). Вищенаведені приклади також показують, що ефект пересування солі може бути частково або повністю оборотним (контрольованим чином) шляхом контактування хіральної рідкокристалічної композиції-попередника з отверділою (акрилатною) смолою перед отвердінням рідкокристалічного попередника. [0105] Наступні сполуки можуть, наприклад, бути застосовані в вищевказаних прикладах в якості хіральної сполуки-допанту B формули (I): (3R,3 aR,6 R,6 aR)-гексагідрофуро[3,2-b]фуран-3,6-дііл-біс(4-(4-(акрилоїлоксі)-3метоксибензоїлоксі)-3-метоксибензоат); (3R,3 aR,6 R,6 aR)-6-(4-(4-(акрилоїлоксі)-3-метоксибензоїлоксі)-3-метоксибензоїлоксі)гексагідрофуро[3,2-b]фуран-3-іл-4-(4-(акрилоїлоксі)бензоїлоксі)-3-метоксибензоат; (3R,3 aR,6 R,6 aR)-гексагідрофуро[3,2-b]фуран-3,6-дііл-біс(4-(4(акрилоїлоксі)бензоїлоксі)бензоат); (3R,3 aR,6 R,6 aR)-гексагідрофуро[3,2-b]фуран-3,6-дііл-біс(4-(4-(акрилоїлоксі)бутоксі)бензоат); (3R,3 aR,6 R,6 aR)-гексагідрофуро[3,2-b]фуран-3,6-дііл-біс(4-(акрилоїлоксі)-2-метилбензоат); (3R,3 aR,6 S,6 aR)-гексагідрофуро[3,2-b]фуран-3,6-дііл-біс(4-(4-(акрилоїлоксі)бензоїлоксі)-3метоксибензоат); (3R,3 aR,6 R,6 aR)-гексагідрофуро[3,2-b]фуран-3,6-дііл-біс(4-(4-(акрилоїлоксі)-3метоксибензоїлoксі)бензоат); (3R,3 aR,6 R,6 aR)-гексагідрофуро[3,2-b]фуран-3,6-дііл-біс(4-(4(акрилоїлоксі)бензоїлоксі)-3метоксибензоат); 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2,5-біс-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2,5диметилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2,5-диметилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4(акрилоїлоксі)-3-метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метокси-5-метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4(акрилоїлоксі)-3-метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)3-метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)3-метоксибензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 19 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}бензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3метоксибензоїл]оксі}бензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2,5-диметилбензоїл)-5-O-(4-{[4(акрилоїлоксі)-3-метоксибензоїл]оксі}-3-метилбензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2-метилбензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3метоксибензоїл]оксі}-3-метилбензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метокси-5-метилбензоїл]оксі}-2-метилбензоїл)-5-O-(4-{[4(акрилоїлоксі)-5-метокси-2-метилбензоїл]оксі}-3-метилбензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3етоксибензоїл]оксі}бензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-етоксі-5-метилбензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3етоксибензоїл]оксі}бензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-етоксі-5-метилбензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-5етоксі-2-метилбензоїл]оксі}бензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3-етоксибензоїл]оксі}бензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2метилбензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2,5-диметилбензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)2-метилбензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-маніт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2,5-диметилбензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dманіт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-етоксибензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dманіт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dманіт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-етоксибензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dманіт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-етоксибензоїл]оксі}-3-метилбензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dманіт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-етоксибензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dманіт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3-метоксибензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dманіт; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3-метоксибензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dглюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2,5диметилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2,5-диметилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4(акрилоїлоксі)-3-метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксі-5-метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4(акрилоїлоксі)-3-метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)3-метилбензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)3-метоксибензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}бензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3метоксибензоїл]оксі}бензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2,5-диметилбензоїл)-5-O-(4-{[4(акрилоїлоксі)-3-метоксибензоїл]оксі}-3-метилбензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2-метилбензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3 20 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 метоксибензоїл]оксі}-3-метилбензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксі-5-метилбензоїл]оксі}-2-метилбензоїл)-5-O-(4-{[4(акрилоїлоксі)-5-метоксі-2-метилбензоїл]оксі}-3-метилбензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3етоксибензоїл]оксі}бензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-етоксі-5-метилбензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3етоксибензоїл]оксі}бензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)бензоїл]оксі}-2-етоксі-5-метилбензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-5етоксі-2-метилбензоїл]оксі}бензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-3-етоксибензоїл]оксі}бензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2метилбензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2,5-диметилбензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-5-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)2-метилбензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-D-глюцитол; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2,5-диметилбензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dглюцитол; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-етоксибензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dглюцитол; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-метоксибензоїл]оксі}-2-етоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dглюцитол; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-етоксибензоїл]оксі}-2-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dглюцитол; 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-етоксибензоїл]оксі}-3-метилбензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dглюцитол та 2,5-біс-O-(4-{[4-(акрилоїлоксі)-2-етоксибензоїл]оксі}-3-метоксибензоїл)-1,4:3,6-діангідро-Dглюцитол. [0106] В якості нематичної сполуки A1 у вищевказаних прикладах наступні сполуки можуть, наприклад, бути застосовані: 4-[[[4-[(1-оксо-2-пропен-1-іл)оксі]бутоксі]карбоніл]оксі]-1,1'-(2-метил-1,4-феніленовий) складний ефір бензойної кислоти; 2-метоксибензол-1,4-дііл-біс[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)бензоат]; 4-{[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)бензоїл]оксі}-2-метоксифеніл-4-({[4(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-2-метилбензоат; 2-метоксибензол-1,4-дііл-біс[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-2-метилбензоат]; 2-метилбензол-1,4-дііл-біс[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-2-метилбензоат]; 4-{[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)бензоїл]оксі}-2-метилфеніл-4-({[4(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-3-метоксибензоат; 2-метилбензол-1,4-дііл-біс[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)бензоат]; 2-метилбензол-1,4-дііл-біс[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-3-метоксибензоат]; 4-{[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-3-метоксибензоїл]оксі}-2-метилфеніл-4-({[4(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-3,5-диметоксибензоат; 2-метилбензол-1,4-дііл-біс[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-3,5-диметоксибензоат]; 2-метоксибензол-1,4-дііл-біс[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-3,5диметоксибензоат] та 4-{[4-({[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-3-метоксибензоїл]оксі}-2-метоксифеніл-4-({[4(акрилоїлоксі)бутоксі]карбоніл}оксі)-3,5-диметоксибензоат. [0107] В якості нематичної сполуки A2 у вищевказаних прикладах наступні сполуки можуть, наприклад, бути застосовані: 2-метил-1,4-фенілен-біс(4-(4-(акрилоїлоксі)бутоксі)-бензоат); 4-({4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]бензоїл}оксі)-3-метилфеніл-4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-2метилбензоат; 4-({4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]бензоїл}оксі)-3-метилфеніл-4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3метилбензоат; 2-метилбензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-2-метилбензоат}; 4-({4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-2-метилбензоїл}оксі)-3-метилфеніл-4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]2,5-диметилбензоат; 2-метилбензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-2,5-диметилбензоат}; 2-метилбензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]бензоат}; 4-({4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3,5-диметилбензоїл}оксі)-3-метилфеніл-4-[4(акрилоїлоксі)бутоксі]-2,5-диметилбензоат; 2-метилбензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3,5-диметилбензоат}; 21 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 2-метоксибензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3,5-диметилбензоат}; 4-({4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3-метилбензоїл}оксі)-2-метоксифеніл-4-[4(акрилоїлоксі)бутоксі]-3,5-диметилбензоат; 2-метоксибензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3-метилбензоат}; 4-({4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]бензоїл}оксі)-3-метоксифеніл-4-[4-(акрилоїлоксі)-бутоксі]-3метилбензоат; 4-({4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]бензоїл}оксі)-3-метоксифеніл-4-[4-(акрилоїлоксі)-бутоксі]-2,5диметилбензоат; 2-метоксибензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-2-метоксибензоат}; 2-метоксибензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3,5-диметоксибензоат}; 2-метоксибензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3-метоксибензоат}; 2-етоксибензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]бензоат}; 2-етоксибензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-2-метилбензоат}; 2-(пропан-2-ілоксі)бензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]бензоат}; 4-({4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]бензоїл}оксі)-2-(пропан-2-ілоксі)феніл-4-[4(акрилоїлоксі)бутоксі]-2-метилбензоат; 2-(пропан-2-ілоксі)бензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-2-метилбензоат}; 2-(пропан-2-ілоксі)бензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-2,5-диметилбензоат}; 2-(пропан-2-ілоксі)бензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3,5-диметилбензоат} та 2-(пропан-2-ілоксі)бензол-1,4-дііл-біс{4-[4-(акрилоїлоксі)бутоксі]-3,5-диметоксибензоат}. [0108] Відзначають, що попередні приклади були забезпечені лише з метою пояснення та жодним чином не тлумачаться як такі, що обмежують даний винахід. Хоча даний винахід був описаний з посиланням на типовий варіант здійснення, розуміють, що слова, які були застосовані в даному документі, представляють собою слова опису та ілюстрації, а не слова обмеження. Зміни можуть бути зроблені в обє'мі прикладеної формули винаходу, як у попередньо поданій так і у зміненій, без відхилення від обсягу та сутності даного винаходу в його аспектах. Хоча даний винахід був описаний в даному документі з посиланням на конкретні засоби, матеріали та варіанти здійснення, даний винахід не обмежений конкретними варіантами, розкритими в даному документі; скоріш, даний винахід розповсюджується на всі функціонально еквівалентні структури, способи та застосування, такі як знаходяться в обсязі прикладеної формули винаходу. [0109] Все розкриття паралельно поданої попередньої заявки США під назвою С"прощений контроль властивостей пересування кольору хірального рідкокристалічного полімеру” (документ патентного повіреного: V38990) включене посиланням в даний документ. ФОРМУЛА ВИНАХОДУ 1. Підкладка, яка має на собі маркування або шар, що містить отверділу хіральну рідкокристалічну композицію-попередник, де хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить щонайменше одну сіль, яка змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція, у порівнянні з положенням смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція, яка не містить щонайменше одну сіль, та де модифікуюча смола, отримана з одного або декількох мономерів, які полімеризують, розміщена між підкладкою та маркуванням або шаром та у контакті з маркуванням або шаром на одній або декількох їх ділянках, модифікуюча смола змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, що містить щонайменше одну сіль, на підкладці на одній або декількох ділянках. 2. Підкладка за п. 1, де хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить (і) одну або декілька нематичних сполук А та (іі) одну або декілька хіральних сполук-допантів В, які здатні викликати холестеричний стан у хіральній рідкокристалічній композиції-попереднику. 3. Підкладка за п. 2, де хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить щонайменше дві сполуки А. 4. Підкладка за будь-яким з пп. 2 та 3, де одна або декілька нематичних сполук А, а також одна або декілька хіральних сполук-допантів В містять щонайменше одну сполуку, яка містить щонайменше одну групу, яку полімеризують. 5. Підкладка за п. 4, де щонайменше одна група, яку полімеризують, містить ненасичений вуглець-вуглецевий зв'язок. 6. Підкладка за п. 5, де щонайменше одна група, яку полімеризують, містить групу формули Н2С=СН-С(О)-. 22 UA 109466 C2 5 7. Підкладка за будь-яким з пп. 2-6, де всі з однієї або декількох нематичних сполук А та всі з однієї або декількох хіральних сполук-допантів В містять щонайменше одну групу, яку полімеризують. 8. Підкладка за будь-яким з пп. 1-7, де хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить щонайменше одну хіральну сполуку-допант В формули (І): O (R1)m O H O A1 (R3)o O O (R2)n O H O O 10 A2 (R4)p , (І) де кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає С1-С6алкіл та С1-С6алкокси; кожен з А1 та А2 незалежно означає групу формули (і) - (ііі): (і) -[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (ii) -C(O)-D1-O-[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (iii) -C(O)-D2-O-[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; D1 означає групу формули (R5)q (R6)r 15 , D2 означає групу формули (R7)s (R8)t 20 25 30 35 , кожен з m, n, о, p, q, r, s та t незалежно означає 0, 1 або 2; у означає 0, 1, 2, 3, 4, 5 або 6; z дорівнює 0, якщо у дорівнює 0, та z дорівнює 1, якщо у дорівнює 1-6. 9. Підкладка за будь-яким з пп. 1-8, де щонайменше одна сіль вибрана з солей металу та солей амонію. 10. Підкладка за п. 9, де щонайменше одна сіль включає щонайменше одне з перхлорату літію, нітрату літію, тетрафторборату літію, броміду літію, хлориду літію, тетрабутиламонію перхлорату, тетрабутиламонію хлориду, тетрабутиламонію тетрафторборату, тетрабутиламонію броміду, карбонату натрію, хлориду натрію та нітрату натрію. 11. Підкладка за п. 9, де щонайменше одна сіль включає сіль металу. 12. Підкладка за п. 11, де метал вибраний з лужних та лужноземельних металів. 13. Підкладка за п. 12, де метал вибраний з Li та Na. 14. Підкладка за п. 13, де метал являє собою Li. 15. Підкладка за будь-яким з пп. 1-14, де щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, для забезпечення модифікуючої смоли містить щонайменше два ненасичені вуглець-вуглецеві зв'язки. 16. Підкладка за будь-яким з пп. 1-15, де щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, для забезпечення модифікуючої смоли містить щонайменше один гетероатом, вибраний з О, N та S. 17. Підкладка за п. 16, де щонайменше гетероатом містить О. 23 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 18. Підкладка за будь-яким з пп. 1-17, де щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, для забезпечення модифікуючої смоли містить щонайменше одну групу формули Н2С=СН-С(О)- або Н2С=С(СН3)-С(О)-. 19. Підкладка за будь-яким з пп. 1-18, де щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, для забезпечення модифікуючої смоли вибраний з поліефіракрилатів, модифікованих поліефіракрилатів, складних поліефіракрилатів, модифікованих складних поліефіракрилатів, гексафункціональних складних поліефіракрилатів, тетрафункціональних складних поліефіракрилатів, ароматичних дифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних дифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних трифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних гексафункціональних уретанакрилатів, уретанмоноакрилатів, аліфатичних діакрилатів, бісфенолу А епоксіакрилатів, модифікованих бісфенолу А епоксіакрилатів, епоксіакрилатів, модифікованих епоксіакрилатів, акрилових олігомерів, вуглеводневих акрилатних олігомерів, етоксильованих фенолакрилатів, поліетиленглікольдіакрилатів, пропоксильованих неопентилглікольдіакрилатів, діалкільованих похідних бісфенолу А, дипропіленглікольдіакрилатів, гександіолдіакрилатів, трипропіленглікольдіакрилатів, поліефіртетраакрилатів, дитриметилолпропантетраакрилатів, дипентаеритритолгексаакрилатів, сумішей пентаеритритолу трита тетраакрилатів, дипропіленглікольдіакрилатів, гександіолдіакрилатів, етоксильованих триметилолпропантриакрилатів та трипропіленглікольдіакрилатів. 20. Підкладка за будь-яким з пп. 1-19, де модифікуюча смола містить смолу, що отверділа під дією випромінювання. 21. Підкладка за п. 20, де модифікуюча смола, що отверділа під дією випромінювання, містить смолу, що отверділа під дією УФ. 22. Підкладка за будь-яким з пп. 1-14, де модифікуюча смола містить застиглу водну смолу. 23. Підкладка за будь-яким з пп. 1-22, де модифікуюча смола пересуває положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, яка містить щонайменше одну сіль, на щонайменше приблизно 5 нм. 24. Підкладка за будь-яким з пп. 1-23, де модифікуюча смола пересуває положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, яка містить щонайменше одну сіль, на коротші довжини хвиль. 25. Підкладка за будь-яким з пп. 1-24, де щонайменше частина смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, яка була переміщена модифікуючою смолою, знаходиться у видимому діапазоні. 26. Підкладка за будь-яким з пп. 1-25, де щонайменше одна з однієї або декількох ділянок, які несуть модифікуючу смолу, знаходиться в формі щонайменше одного з зображення, картини, логотипа, знаків та схеми, яка представляє код, вибраний з одного або декількох з 1-вимірного штрих-коду, багаторівневого 1-вимірного штрих-коду, 2-вимірного штрих-коду, 3-вимірного штрих-коду та матриці даних. 27. Підкладка за будь-яким з пп. 1-26, де щонайменше частина отверділої хіральної рідкокристалічної композиції-попередника знаходиться в формі щонайменше одного з зображення, картини, логотипа, знаків та схеми, яка представляє код, вибраний з одного або декількох з 1-вимірного штрих-коду, багаторівневого 1-вимірного штрих-коду, 2-вимірного штрих-коду, 3-вимірного штрих-коду та матриці даних. 28. Підкладка за будь-яким з пп. 1-27, де підкладка являє собою або містить щонайменше одне з етикетки, упаковки, картриджа, контейнера або капсули, що містить продукти харчування, харчові добавки, фармацевтичні речовини або напої, банкноти, кредитної картки, марки, акцизної марки, заставного документа, паспорта, ідентифікаційної картки, посвідчення водія, картки доступу, проїзного квитка, квитка-запрошення, ваучера, плівки чорнил, відбиваючої плівки, алюмінієвої фольги та комерційних товарів. 29. Спосіб забезпечення маркування на підкладці, де спосіб включає етапи, на яких: a) наносять на поверхню підкладки, яка несе модифікуючу смолу, отриману з одного або декількох мономерів, які полімеризують, на одній або декількох ділянках поверхні підкладки, хіральну рідкокристалічну композицію-попередник, що твердне, таким чином, що композиція покриває щонайменше частину однієї або декількох ділянок, які несуть модифікуючу смолу, та також покриває щонайменше одну ділянку поверхні, яка не несе модифікуючу смолу, при цьому хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить щонайменше одну сіль, яка змінює положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція, у порівнянні з положенням смуги вибіркового відбиття, яку проявляє композиція, що твердне, яка не містить щонайменше одну сіль; b) нагрівають нанесену композицію для переведення її в хіральний рідкокристалічний стан, та 24 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 с) проводять отвердіння композиції в хіральний рідкокристалічний стан; та де модифікуюча смола пересуває положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, що містить щонайменше одну сіль, на підкладці в одній або декількох ділянках, в яких вона присутня. 30. Спосіб за п. 29, де b) включає нагрівання композиції до температури від приблизно 55 °C до приблизно 150 °C. 31. Спосіб за будь-яким з пп. 29 та 30, де композицію наносять щонайменше одним з покриття розпиленням, покриття ножовим пристроєм, покриття розкатуванням, трафаретного покриття, покриття наливом, глибокого друку, флексографії, растрового друку, тампонного друку, безперервного струменевого друку, крапельно-імпульсного струменевого друку, клапанноструменевого друку. 32. Спосіб за будь-яким з пп. 29-31, де композицію наносять в формі щонайменше одного з зображення, картини, логотипа, знаків та схеми, яка представляє код, вибраний з одного або декількох з 1-вимірного штрих-коду, багаторівневого 1-вимірного штрих-коду, 2-вимірного штрих-коду, 3-вимірного штрих-коду та матриці даних. 33. Спосіб за будь-яким з пп. 29-32, де модифікуюча смола присутня на щонайменше одній з однієї або декількох ділянок в формі щонайменше одного з зображення, картини, логотипа, знаків та схеми, яка представляє код, вибраний з одного або декількох з 1-вимірного штрихкоду, багаторівневого 1-вимірного штрих-коду, 2-вимірного штрих-коду, 3-вимірного штрих-коду та матриці даних. 34. Спосіб за будь-яким з пп. 29-33, де модифікуючу смолу забезпечують на підкладці щонайменше одним з покриття розпиленням, покриття ножовим пристроєм, покриття розкатуванням, трафаретного покриття, покриття наливом, глибокого друку, флексографії, офсетного друку, офсетного друку без зволоження, високого друку, растрового друку, тампонного друку, безперервного струменевого друку, крапельно-імпульсного струменевого друку, клапанно-струменевого друку. 35. Спосіб за будь-яким з пп. 29-34, де підкладка являє собою або містить щонайменше одне з етикетки, упаковки, картриджа, контейнера або капсули, що містить продукти харчування, напої, харчові добавки або фармацевтичні речовини, банкноти, кредитної картки, марки, акцизної марки, заставного документа, паспорта, ідентифікаційної картки, посвідчення водія, картки доступу, проїзного квитка, квитка-запрошення, ваучера, плівки чорнил, відбиваючої плівки, алюмінієвої фольги та комерційних товарів. 36. Спосіб за будь-яким з пп. 29-35, де модифікуюча смола здатна пересувати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа композиція, яка містить щонайменше одну сіль, на підкладці на щонайменше приблизно 5 нм. 37. Спосіб за будь-яким з пп. 29-36, де хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить (і) одну або декілька нематичних сполук А та (іі) одну або декілька хіральних сполукдопантів В, які здатні викликати холестеричний рідкокристалічний стан у хіральній рідкокристалічній композиції-попереднику. 38. Спосіб за п. 37, де хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить щонайменше дві сполуки А. 39. Спосіб за будь-яким з п. 37 та п. 38, де одна або декілька нематичнихсполук А, а також одна або декілька хіральних сполук-допантів В містять щонайменше одну сполуку, що містить щонайменше одну групу, яку полімеризують. 40. Спосіб за п. 39, де щонайменше одна група, яку полімеризують, містить ненасичений вуглець-вуглецевий зв'язок. 41. Спосіб за п. 40, де щонайменше одна група, яку полімеризують, містить групу формули Н2С=СН-С(О)-. 42. Спосіб за будь-яким з пп. 37-41, де всі з однієї або декількох нематичних сполук А та всі з однієї або декількох хіральних сполук-допантів В містять щонайменше одну групу, яку полімеризують. 43. Спосіб за будь-яким з пп. 29-42, де хіральна рідкокристалічна композиція-попередник містить щонайменше одну хіральну сполуку-допант В формули (І): 25 UA 109466 C2 O (R1)m O H O A1 (R3)o O O (R2)n O H O O 5 A2 (R4)p , (І) де кожен з R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 та R8 незалежно означає С1-С6алкіл та С1-С6алкокси; кожен з А1 та А2 незалежно означає групу формули (і) - (ііі): (і) -[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (ii) -C(O)-D1-O-[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; (iii) -C(O)-D2-O-[(CH2)y-O]z-C(O)-CH=CH2; D1 означає групу формули (R5)q (R6)r 10 , D2 означає групу формули (R7)s (R8)t 15 20 25 30 35 , кожен з m, n, о, p, q, r, s та t незалежно означає 0, 1 або 2; у означає 0, 1, 2, 3, 4, 5 або 6; z дорівнює 0, якщо у дорівнює 0, та z дорівнює 1, якщо у дорівнює 1-6. 44. Спосіб за будь-яким з пп. 29-43, де щонайменше одну сіль вибирають з солей металів та солей амонію. 45. Спосіб за п. 44, де щонайменше одна сіль включає щонайменше одне з перхлорату літію, нітрату літію, тетрафторборату літію, броміду літію, хлориду літію, тетрабутиламонію перхлорату, тетрабутиламонію хлориду, тетрабутиламонію тетрафторборату, тетрабутиламонію броміду, карбонату натрію, хлориду натрію та нітрату натрію. 46. Спосіб за п. 44, де щонайменше одна сіль включає сіль металу. 47. Спосіб за п. 46, де метал вибраний з лужних та лужноземельних металів. 48. Спосіб за п. 47, де метал вибраний з Li та Na. 49. Спосіб за п. 48, де метал містить Li. 50. Спосіб за будь-яким з пп. 29-49, де модифікуючу смолу отримують з одного або декількох мономерів, які полімеризують. 51. Спосіб за п. 50, де щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, містить щонайменше два ненасичені вуглець-вуглецеві зв'язки. 52. Спосіб за будь-яким з п. 50 та п. 51, де щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, містить щонайменше один гетероатом, вибраний з О, N та S. 53. Спосіб за п. 52, де щонайменше гетероатом містить О. 54. Спосіб за будь-яким з пп. 50-53, де щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, містить щонайменше одну групу формули Н2С=СН-С(О)- або Н2С=С(СН3)-С(О)-. 55. Спосіб за будь-яким з пп. 50-54, де щонайменше один з одного або декількох мономерів, які полімеризують, вибраний з поліефіракрилатів, модифікованих поліефіракрилатів, складних поліефіракрилатів, модифікованих складних поліефіракрилатів, гексафункціональних складних поліефіракрилатів, тетрафункціональних складних поліефіракрилатів, ароматичних 26 UA 109466 C2 5 10 15 20 25 30 дифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних дифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних трифункціональних уретанакрилатів, аліфатичних гексафункціональних уретанакрилатів, уретанмоноакрилатів, аліфатичних діакрилатів, бісфенолу А епоксіакрилатів, модифікованих бісфенолу А епоксіакрилатів, епоксіакрилатів, модифікованих епоксіакрилатів, акрилових олігомерів, вуглеводневих акрилатних олігомерів, етоксильованих фенолакрилатів, поліетиленглікольдіакрилатів, пропоксильованих неопентилглікольдіакрилатів, діакрильованих похідних бісфенолу А, дипропіленглікольдіакрилатів, гександіолдіакрилатів, трипропіленглікольдіакрилатів, поліефіртетраакрилатів, дитриметилолпропантетраакрилатів, дипентаеритритолгексаакрилатів, сумішей пентаеритритолу три- та тетраакрилатів, дипропіленглікольдіакрилатів, гександіолдіакрилатів, етоксильованих триметилолпропантриакрилатів та трипропіленглікольдіакрилатів. 56. Спосіб за будь-яким з пп. 29-55, де модифікуюча смола містить смолу, що отверділа під дією опромінення. 57. Спосіб за п. 56, де модифікуюча смола, що отверділа під дією опромінення, містить смолу, що отверділа під дією УФ. 58. Спосіб за будь-яким з пп. 29-55, де модифікуюча смола містить водну смолу, що твердне. 59. Підкладка, забезпечена маркуванням, де підкладка отримана способом за будь-яким з пп. 29-58. 60. Спосіб зміни положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, яка містить (і) одну або декілька нематичних сполук, (іі) одну або декілька хіральних сполук-допантів, які здатні викликати холестеричний стан у композиції, що твердне, та (ііі) щонайменше одну сіль, яка змінює положеннясмуги вибіркового відбиття, яку проявляє композиція, що твердне, у порівнянні з положенням смуги вибіркового відбиття, яку проявляє композиція, що твердне, яка не містить щонайменше одну сіль, де спосіб включає контакт композиції з модифікуючою смолою, яка отримана з одного або декількох мономерів, які полімеризують, щонайменше один з мономерів, що містить гетероатом, вибраний з О, N та S, та здатний змінювати положення смуги вибіркового відбиття, яку проявляє отверділа хіральна рідкокристалічна композиція-попередник, яка містить щонайменше одну сіль. 61. Спосіб за п. 60, де положення смуги вибіркового відбиття пересувається модифікуючою смолою на щонайменше приблизно 5 нм. 35 27 UA 109466 C2 28