Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Способ получения синтетического воска путем этерификации синтетических высокомоле­кулярных жирных кислот моноэтаноламида синте­тических жирных кислот фракции C10—С16в при­сутствии окиси цинка при температуре 150—170 °С и остаточном давлении 150—500 мм рт.ст., отличающийся тем, что, с целью снижения пыленакопления восковых пленок, окись цинка смеши­вают с высокомолекулярными жирными кисло­тами при температуре 100—110 °C и остаточном давлении 450—550 мм рт.ст. в течение ЗО—60 мин до подачи в реактор моноэтаноламидов.

Текст

Изобретение касается производства восков, в частности получения синтетического воска, используемого для изготовления полирующих средств, например обувных кремов. Цель - снижение пыленакопления восковых пленок. Для этого ведут этерификацию синтетических высокомолекулярных кислот моноэтаноламидами синтетических жирных кислот фракции 0(0-С16 при температуре 150-170°С и остаточном давлении 150-500 мм рт.ст, в присутствии окиси цинка, которую до реакции предвари-*1 тельно смешивают с высокомолекулярными жирными кислотами при температуре 100—110°С и остаточном давлении 450 550 мм рт.ст. Эти условия позволяют снизить в 2 раза пыпенакопление полирующих средств. 1 таил. (Л с Изобретение относится к производству синтетических восков, используемых Для изготовления полирующих средств, в частности обувных кремов. Целью изобретения является понижение пыленакопления восковых пленок. .В расплавленные синтетические жирные кислоты вводят окись цинка при температуре 100—110°С и остаточном давлении 450-550 мм рт.ст..и перемешивают в течение 30-60 мин, после чего добавляют моноэтаналамиды и осуществляют процесс этерификации при температуре Ї50-170 С и остаточном давлении 150-500 мм рт.ст. в течение 3 ч. Процесс этернфикации осуществля10-91 / "• т ют в герметичном аппарате с мешалкой, аппарат соединен с вакуумной линией, имеет подогрев до нужных температур. На первом этапе удаление воды из смеси жирных кислот и окиси цинка осуществляют в результате нагрева реакционной массы до 100-110°С и снижения давления до 450-550 мм рт.ст. На втором этапе удаление воды из реакцион!нон массы, т.е. после введения моноэтаноламидов C t 0 - C ! 6 осуществляют в результате нагрева реакционной мас' сы до 15О-17О°С при остаточном давлении 150-500 мм рт.ст. П р и м е р 1. В реактор помещают 55 г расплавленных СМК 35 00 СЛ СЛ 1635500 0,5 г окиси цинка и при температуре 100°С и остаточном давлении "• 450 мм р т . с т , перемешивают в течение 60 мин. Но завершении выделения воды , в реакционную массу вводят 45 г моноэтаноламидов C ( 0 - C t g , поднимают температуру и осуществляют процесс этерификации при температуре 1Ь0°С и остаточном давлении 150 мм р т . с т . в те- ю чение 3 ч . П р и м е р 2 . В реактор помещают 55 г расплавленных С К С^-С^д и Ж 0,5 г окиси цинка, поднимают температуру до 110°С и при остаточном дав- 15 лении 550 мм рт.ст, массу перемешива-. ют в течение 30 мин до прекращения выделения воды. Затем вводят 45 г моноэтаноламидов С< 0 -С 1 б и при температуре 170°С 20 и остаточном давлении 500 мм р т . с т . проводят этерификацито в течение 3 ч . П р и м е р З . В реактор помещают 55 г расплавленных С К C^-C^Q и Ж 0,5 г окиси цинка при 105°С и оста25 точном давлении 500 мм р т . с т . , массу ! перемешивают в течение 40 мин» Затем вводят 45 г моноэтаноламидов С

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Process for the preparation of synthetic wax

Автори англійською

Kotelnykov Borys Pavlovych, Khrystych Antonina Ihnatiivna, Rakhmatullin Albert Mazhutovych, Kasparavichus Cheslavas Broniaus, Mukhamedzianov Ravyl Zyhanshynovych

Назва патенту російською

Способ получения синтетического воска

Автори російською

Котельников Борис Павлович, Христич Антонина Игнатьевна, Рахматуллин Альберт Мазгутович, Каспаравичус Чеславас Броняус, Мухамедзянов Равиль Зиганшинович

МПК / Мітки

МПК: C07C 69/26, B01J 23/06, C07C 67/08

Мітки: одержання, синтетичного, спосіб, воска

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-1343-sposib-oderzhannya-sintetichnogo-voska.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб одержання синтетичного воска</a>

Подібні патенти