Завантажити PDF файл.

Текст

Сенсор газу, що містить нагрівач, виконаний з резистивного плівкового шару і газочутливий резистор з провідного плівкового шару, покритого шаром напівпровідникового адсорбенту, які відокремлені один від одного ізолюючим плівковим шаром і нанесені з одного боку діелектричної під 34267 плеча і другий нагрівач розміщені з протилежного боку діелектричної підкладки, дозволяє за допомогою змінних резисторів збалансувати вимірювальний міст, газочутливі резистори якого знаходяться в однаковому середовищі, і, таким чином, надалі зменшити вплив параметрів газового середовища, що містить аналізований газ, на опір одного з газочутливи х резисторів, а, отже, і на вихідну напругу сенсора, шляхом подачі на другий газочутливий резистор близького за параметрами газового середовища, в якому відсутній аналізований газ, і в результаті підвищити точність вимірювання концентрації аналізованого газу. На фіг. 1 зображена функціональна схема сенсора газу, на фіг. 2 - діелектрична підкладка з плівковими елементами - вид зверху, а на фіг. 3 розріз по А-А, де: 1 - резистор першого, 2 - резистор другого плеча, 3 - резистор третього плеча, 4 резистор четвертого плеча, 5 - перший нагрівач, 6 - другий нагрівач, 7 - вимірювальний міст, 8 - підкладка, 9 - джерело живлення, 10 - схема термокомпенсації, 11 - диференційний підсилювач, 12 трубопровід, 13 - резистивний плівковий шар, 14 провідний плівковий шар, 15 - плівковий шар напівпровідникового адсорбенту, 16 - ізолюючий плівковий шар, 17 - електроди. Сенсор газу містить вимірювальний міст 7, в кожне плече якого включений резистор 1-4, при цьому резистор першого 1 і другого 2 плеч є газочутливими, а резистори третього 3 і четвертого 4 плеч є змінними. Резистори першого 1 і другого 2 плеч виконані з провідного плівкового шару 14 у вигляді, наприклад, зустрічноштирьових електродів 17, покритого шаром напівпровідникового адсорбенту 15 і нанесені на поверхні покритих ізолюючим плівковим шаром 16 відповідно першого 5 і другого 6 нагрівачів, виконаних з резистивного плівкового шару 13 у вигляді, наприклад, меандру і розміщених на протилежних боках діелектричної підкладки 8. Діелектрична підкладка 8 з плівковою структурою одним боком, наприклад , з боку газочутливого резистора другого плеча 2, герметично приєднана, наприклад, до трубопроводу 12. Нагрівачі 5 і 6 під'єднані до схеми термокомпенсації 10. Джерело живлення 9 під'єднано до діагоналі живлення вимірювального моста 7, диференційний підсилювач 11 - до його вимірювальної діагоналі, а схема термокомпенсації 10 - до нагрівачів 5 і 6. Подача напруги з схеми термокомпенсації 10 на нагрівачі 4 і 5 забезпечує встановлення і стабілізацію робочої температури, відповідно газочутливих резисторів першого 1 та другого 2 плеч, при якій спостерігається найкраща чутливість плівкого шару напівпровідникового адсорбента 15 до певного газу. При подачі газового середовища до газочутливи х резисторів першого 1 та другого 2 плеч їх опори змінюються і набувають значеннь R 1 і R2 відповідно. За допомогою регулювання опорів змінних резисторів третього 3 і четвертого 4 плеч встановлюється баланс вимірювального моста, умова якого визначається формулою R1 R 4 = R 2 R3 третього плеча 3; R4 - опір резистора четвертого плеча 4. Наступна подача газового середовища, що містить аналізований газ, до резистора першого плеча 1 приводить до зміни його опору R 1 на величину DR1,причому ця зміна обумовлена впливом аналізованого газу DR1¢ і впливом інших параметрів газового середовища ,а саме, температурою і складом DR1¢¢. Подача через трубопровід 12 однакового за параметрами середовища, в якому відсутній аналізований газ, приводить до зміни його опору R2 на величину DR2, яка обумовлена впливом параметрів цього середовища. В результаті на вимірювальній діагоналі моста з'являється напруга розбалансу вимірювального моста DU, яка визначається формулою DU = U0× ( ' '' DR1 ×R2 + DR1× R2 -R1× DR2 ) ' ' ' R1 +DR1 +DR1+ R2 +DR2 × (R1+ R2) , де: U0 - напруга джерела живлення вимірювального моста 7; DR1¢ - кінцевий опір резистора першого плеча 1 ; DR1¢¢ - кінцевий опір резистора першого плеча 1; DR2 - кінцевий опір резистора другого плеча 2. Оскільки опір напівпровідникового адсорбенту має експоненційну залежність від температури і концентрації активних компонентів газової суміші, то для відносних змін величин опорів газочутливих резисторів, викликаних впливом всіх параметрів газових середовищ, крім концентрації аналізованого газу, буде справедливе співвідношення або інакше ' DR1' DR 2 = R1 R2 ' DR 1' × R 2 = R1 × DR 2 Порівняння першої і останньої формул показує, що всі параметри газових середовищ, крім концентрації аналізованого газу, не впливають на величину напруги розбалансу вимірювального моста 7 DU, a , отже, відбувається їх компенсація. Напруга DU з вимірювальної діагоналі поступає на диференційний підсилювач 11. На виході диференційного підсилювача 11 напруга Uвих є функцією від концентрації аналізованого газу в середовищі і дорівнює U вих = DU × K , де: К - коефіцієнт підсилення диференційного підсилювача. Якщо параметри газових середовищ є близькими за величиною, але не збігаються, що і спостерігається при практичних вимірюваннях, компенсація буде неповною, однак похибка, обумовлена впливом параметрів газового середовища, зменшується, отже, підвищується точність виміру концентрації газу. Сенсор газу можна реалізувати для виміру і контролю в газовій промисловості, в екології, в технологічних циклах хімічної промисловості, де має місце обробка в газовому середовищі. . де: R1 - опір резистора першого плеча 1; R2 - опір резистора другого плеча 2; R3 - опір резистора 2 34267 Фіг. 1 Фіг. 2 3 34267 Фіг. 3 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк. Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 4

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Gas sensor

Автори англійською

Hotra Zenon Yuriiovych, Hotra Oleksandra Zenonivna, Klepatski Dariush, Lopatynskyi Ivan Yevstakhovych, Tokarev Ihor Serhiiovych

Назва патенту російською

Сенсор газа

Автори російською

Готра Зенон Юрьевич, Готра Александра Зеноновна, Клепацки Дариуш, Лопатинский Иван Евстахьевич, Токарев Игорь Сергеевич

МПК / Мітки

МПК: G01N 30/00

Мітки: сенсор, газу

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-34267-sensor-gazu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Сенсор газу</a>

Подібні патенти