Назальний аплікатор для внутрішньо-назальної лазерної іррадіації крові

1. Назальний аплікатор для інтраназального опромінення крові лазером, який складається з корпуса (1) напівпровідникового лазерного пристрою, оснащеного зовні кліпсою (3) для носа, і насадки (5) для носа, з'єднаних між собою перехідником (2) лазерного пристрою, що має по обидва боки порожнисті кінці, причому по центру перехідника (2) лазерного пристрою й насадки (5) для 3 46363 4 променя розташовується в приладі, а лазерний тори фолікулів і т.д. Сенсори, які сприймають лапромінь проходить через світловод довжиною 2м, зерну стимуляцію, - це, імовірно, розгалужені нерщо введений у катетер у вені. Недоліком цього вові гілочки / dissociative nerve twigs/ біля мікроарспособу є знову ж таки пряме втручання катетером терії. Коли стимулюючі сигнали надходять у мозок, у кровообіг. Це пошкоджує кровоносні судини і при вони обробляються мозком і передаються у відпоцьому можна легко занести інфекцію. Описана відні частини мозку, і тим самим сприяють синтезу терапія внутрісудинного лазерного опромінення є мозкових, енцефалітних нервових нуклеїнових дорогою та може застосовуватися для невеликої кислот та реплікації ДНК, а також регулюють дію групи людей. ензимів, підсилюють кровопостачання мозку, стиНедоліки вищезгаданих способів усуває замулюють функції нервових клітин головного мозку, пропоноване технічне рішення, засноване на теоживлення, заміну, відновлення і регенерацію ретичній базі кров'яної реології, правилах про фуушкоджених клітин, усувають патологічні зміни та нкції організму й теорії лазерної біології. процеси. Відповідно до запропонованого технічного рішен2. Через трансдукцію та виділення лазерної ня, спосіб опромінення носової порожнини лазеенергії, нервово-ендокринна секреторна система ром (лазерним променем) з довжиною хвилі 650нм стимулюється й регулюється, включаючи інсулін, і низькою інтенсивністю можна реалізувати за достатеві гормони (тестостерон, естрадіол, Пролан Б помогою назального аплікатора. /лютеїнізуючий гормон/, гормон, що стимулює фоПропонується і є ціллю нашого захисту - аплілікули), PRL, SOD, тироїдні гормони, групу Т лімкатор, за допомогою якого лазерний промінь апліфоцитів, імуноглобулін, олексин та інші. Дана рекуєтся на систему кровообігу без застосування гуляція має характеристики інтеграції та дублькатетера або іншого втручання в систему кровоотропізму бігу. 3. У традиційній китайській медицині вважаСуттю технічного рішення є назальний аплікають, що голова складається з енергії "Yang". тор для інтраназального опромінення крові лазе"Du Mai" складається з енергії "Yang Mai", ром, що складається з корпуса напівпровідниково"Ren Mai" складається з енергії "Yin Mai". го лазерного пристрою, на якому зовні присутня "Du Mai" та "Ren Mai" зустрічаються на обличкліпса для носу, і насадки для носу, що зручно чі. з'єднуються між собою перехідником лазерного Ніс розташований у центрі голови і через ньопристрою, який має по обидва боки порожнисті го проходять такі меридіани, як: кінці, причому по центру перехідника лазерного "Du Mai", пристрою та насадки для носу проходить світло"Shou Zu Yang Ming Jing" вод, який виходить в отвір насадки для носу. "Zu Tai Yang Jing". Суть технічного рішення полягає також у тому, Тому стимулювання в носі за допомогою лазещо джерело лазерного випромінювання зручно ра відкриває "Jing Luo" (нервова мережа) і підсирозташовується в корпусі напівпровідникового лює циркуляцію крові "Qi" (енергія або життєва лазерного пристрою, або ж альтернативно поза сила), внаслідок чого відбувається лікування багакорпусом напівпровідникового лазерного притьох хвороб. строю, причому світловод проходить від джерела Позитивна дія та переваги напівпровідникової випромінювання по отвір насадки для носу. лазерної терапії за допомогою назального аплікаНасадка для носу й перехідник виконані знімтора, відповідно до даного рішення, полягають у ними. Насадку для носу можна замінити ковпачком наступному: без отвору для захисту перехідника, яким закінчу- просте та легке використання порожнини ноється активна складова аплікатора. су; Численні дослідники намагаються зрозуміти - надійна гігієна, оскільки кожен пацієнт має принципи опромінення низькою енергією, вивчасвою насадку для носу; ють різні аспекти в таких галузях як фотонна фізи- назальний аплікатор маленький, легко перека, біофізика, анатомія, фізіологія, біохімія, імуноноситься; логія, медична радіологія, візуалізація та - можливість застосування як у домашніх умомолекулярна біологія та інші, але вони, все ж, завах, так і у лікарні; лишаються не зовсім зрозумілими. На цей час іс- висока якість назального аплікатора; нуютьѐ три загальноприйняті теорії (запозичена з - недороге лікування. дозволу авторів з роботи «Клінічне дослідження Окрім специфічного впливу, опромінення крові результатів терапії із застосуванням SLT напівпза допомогою назального аплікатора виявляється ровідникового лазерного терапевтичного апарата у загальному виразному поліпшені загального стаза допомогою опромінення носової порожнини ну, поліпшені сну, позитивному впливі на настрій і через Single Photon Emission Computed зниженні прийому ліків. Tomography», Shaowei Jia, MD, Ph; Yu Shi, MD; Опис малюнків на кресленнях Zhou Gao, MD, Peking University Shenzhen На Фіг.1 зображений приклад назального апліHospital): катора для інтраназального опромінення крові 1. Енергія, що вивільняє лазером, є типом лазером з насадками для носу. стимуляції. Дана стимуляція діє локально на ткаНа Фіг.2 зображений ковпачок для захисту пенини та/або на мультисенсори васкулярної стінки, рехідника лазерного пристрою. Приклади реалізазбуджуючи їх таким чином, а також на нервовоції м'язові волокна, вільні закінчення нервів, кров'яні Приклад 1 тільця, / Pacinis corpsules, Krause and bulb/ рецеп 5 46363 6 Приклад виконання назального аплікатора для 4 тягнеться від джерела по отвір насадки 5 для інтраназального опромінення крові лазером, що носу. зображений на Фіг.1, складається з корпусу 1 напіПриклад 3 впровідникового лазерного пристрою, оснащеного Назальний аплікатор для інтраназального зовні кліпсою 3 для носу, та насадки 5 для носу, опромінення крові лазером був використаний для зручно з'єднаних між собою перехідником 2 лазертранскутанного опромінення поверхні шкіри, а таного пристрою, що має по обидва боки порожнисті кож підшкірних шарів при тісному контакті зі шкікінці, причому по центру перехідника 2 лазерного рою, причому задана довжина хвилі проникає в пристрою та насадки 5 для носу проходить світлотканину відносно глибоко і це відповідає теорії та вод 4, який виходить в отвір насадки 5 для носу. практиці суміщення опромінення крові з локальним Джерело лазерного випромінювання знахоопроміненням. Потужність лазерного джерела є диться в корпусі 1 напівпровідникового лазерного низькою, однак вона достатня для досягнення ліпристрою. кувального ефекту. Насадка 5 для носу та перехідник 2 лазерного Промислова придатність пристрою виконані знімними. Насадку 5 для носа Назальний аплікатор відповідно до даного ріможна замінити ковпачком 6 без отвору для захисшення може застосовуватись в практичній медиту перехідника 2 лазерного пристрою (Фіг.2). цині для лікування різних захворювань, таких як Насадку 5 для носу вводять у ніздрю та закріцукрових діабет, захворювання печінки, кардіовасплюють від випадання кліпсою 2 для носу. Спочаткулярні захворювання, захворювання імунної сиску опромінення лазером виконують раз на день по теми. Починаються дослідження й перевірка мож5 хвилин з дозою 3мВт, поступово переходячи до ливості його застосування й у лікуванні 30 хвилин, потім дозу збільшують до 4мВт. У важонкологічних та інших захворювань. ких випадках опромінення виконують 2 рази в день Перелік позначень по 30 хвилин з дозою 5мВт, через місяць перехо1 корпус напівпровідникового лазерного придять на один сеанс у день. строю Приклад 2 2 перехідник Назальний аплікатор для інтраназального 3 кліпса для носу опромінення крові лазером подібний до описаного 4 світловод в прикладі 1, але джерело лазерного випроміню5 насадка для носу вання розташоване поза корпусом 1 напівпровід6 ковпачок без отвору никового лазерного пристрою, причому світловод 7 Комп’ютерна верстка В. Мацело 46363 8 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601