Спосіб підвищення вольт-ватної чутливості анізотропних оптикотермоелементів

Спосіб підвищення вольт-ватної чутливості анізотропних оптикотермоелементів, який полягає в тому, що анізотропний оптикотермоелемент розміщують у зоні дії зовнішнього магнітного поля з вектором магнітної індукції, який направлено ортогонально до векторів градієнта температури та поперечної термоерс, причому ці три вектори утворюють правосторонню систему координат для випадку іі2г/Міі>1 та лівосторонню - для i W i - h ^ l . де ції, Ц 2 - рухливість носіїв заряду матеріалу 2 анізотропного оптикотермоелемента в кристалографічних напрямках з максимальним та мінімальним значеннями коефіцієнтів термоерс Корисна модель відноситься до термоелектрики і знайде застосування в приладобудуванні у галузі створення різноманітних датчиків променевої енергії в широкому спектральному та енергетичному діапазонах Він призначений для підвищення вольтватної чутливості анізотропних термоелементів, які працюють у режимах поверхневого і об'ємного поглинання та оптичної прозорості Існуючі способи підвищення вольтватної чутливості термоелементів використовують різноманітні методи, в тому числі і легування відомих анізотропних матеріалів таких, як CdSb, ZnSb, CdAs2, Ві та інших різноманітними домішками в процесі їх отримання [1] Цей спосіб дозволяє підвищити вольтватну чутливість на 30-50%, причому також зростає і коефіцієнт оптичного поглинання легованих матеріалів, що веде до зменшення густини енергії, яка реєструється Із відомих аналогів найбільш близьким за технічною суттю є спосіб підвищення чутливості термоелементів за рахунок накладання механічних напруг в певному напрямку [2] Це приводить до зростання чутливості на 30-70% (Т=300 К), але такий спосіб характеризується малою відтворюваністю параметрів і складністю застосовуваної апаратури Тому досить актуальним завданням є створення способу підвищення вольтватної чутливості анізотропних оптикотермоелементів, який характеризується відтворюваністю своїх параметрів та простотою у роботі Вказане завдання вирішується тим, що анізотропний оптикотермоелемент розміщується у зоні дії зовнішнього магнітного поля з вектором магнітної індукції, який направлено ортогонально до векторів градієнту температури та поперечної термоерс, причому ці три вектора утворюють правосторонню систему координат для випадку М22 / Мі 1 >1 т а лівосторонню - для М22/М11 1 та лівосторонню - для М22 /Ми М 2 • рухливість носіїв заряду 2 матеріалу анізотропного оптикотермоелемента в кристалографічних напрямках з максимальним та мінімальним значенням коефіцієнтів термоерс Тому ознака, яка не міститься ні в одному з відо ео (О О) 6411 мих аналогів "анізотропний оптикотермоелемент розміщується у полі ди зовнішнього магнітного поля з вектором магнітної індукції, яка направлено ортогонально до векторів градієнту температури та поперечної термоерс, причому ці три вектора утворюють правосторонню систему координат для випадку М22 / Мі 1 > 1 т а лівосторонню - для М22 /Ми 1 П Р И правосторонній системі цих трьох векторів (фіг 2), для випадку р 2 2 /Мц 1 Фіг. 2 Фіг. 1