Приймач електромагнітної енергії з покриттям для штучних діелетричних систем і пристроїв

1. Приймач електромагнітної енергії для хімічної обробки, який включає матричний матеріал, що оточує нематричний матеріал, відмінний від матричного матеріалу, і має нижчі діелектричні втрати, ніж нематричний матеріал, причому приймач виконано з можливістю поглинання нематричним матеріалом електромагнітної енергії, прикладеної до цього приймача, у більшій кількості ніж матричним матеріалом, генерування нематричним матеріалом тепла у матричному матеріалі, а поверхня приймача електромагнітної енергії має покриття з матеріалу, здатного на взаємодію з прикладеною електромагнітною енергією на щонайменше одній частоті і на поглинання першим електромагнітної енергії з можливістю генерування тепла. 2. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що форма зазначеного покриття вибрана з групи, яку утворюють повне покриття на всіх поверхнях приймача електромагнітної енергії, повне покриття поверхні, часткове покриття поверхні, часткове покриття всіх поверхонь приймача електромагнітної енергії, покриття з малюнком, покриття однорідним матеріалом, покриття композитним матеріалом, часткове покриття більш, ніж одним матеріалом, покриття з малюнком більш, ніж одним матеріалом, покриття багатьма шарами з різних матеріалів і їх комбінації. 3. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що масова частка зазначеного нематричного матеріалу становить більше 0,00001 % і менше 50 %. 4. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що масова частка зазначеного нематричного матеріалу становить більше 50 % і менше 99,9 %. 2 (19) 1 3 ний термообробкою тальку протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню тальку у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою цеоліту протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню цеолітного матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою Brucite протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню Brucite у незворотні кристалічну і/або скляну фази і матеріал, одержаний термообробкою Gibbsite протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню глинистого матеріалу у незворотні кристалічну фази глинистого матеріалу, вибраного з групи, яку складають монтморилоніт, пластична глина, іліт, дикіт, алоїт, слюда, цеоліт, коалініт, ілітна глина, пірофоліт, енделіт, бентоніт, хлорит, FeO, CuO Cu2O, MnO2 Mn2O5, NiO, Fe2O3, Fe3O4, CuO-MnO2, Cu2O-MnO2, Li2O-Cu2O, Li2O-CuO, U2OMnO2, SiC, WC, TiC, TiCx-yОy, TiC1-x, ТіО2, нестехіометричний оксид титану, Li2O-NiO, TiO2, легований дивалентним катіоном, ТіО2, легований тривален+4 тним аніоном, Fe, легований Ті , ТіО, Ті2О3, нестехіометричний оксид цирконію, анатаза, бетаглинозем, альфа-глинозем, Na-бета-глинозем, Liбета-глинозем, (Nа,Lі)-бета-глинозем, карбон, графіт, ZnO, CuS, FeS, CoO, алюмінат кальцію, деревне вугілля, Ni, Co, Fe, сплав NiFe, МgТіО3, МnТіО3, NіТiO3, СоТiO3, FeTiO3, LiNbO3, МnТiO3-х, МnTiО3-x, МgТіО3-х, GoTiO3-x, FeTiO3-x і їх комбінації. 6. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що є проникним для потоку хімічних компонентів. 7. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю використовуватися у сукупності приймачів електромагнітної енергії для хімічної обробки в середовищі, вибраного з групи, яку складають псевдозріджений шар, пульпа, рідка суміш приймачів електромагнітної енергії і хімічних компонентів потоку, газоподібна суміш подрібнених приймачів електромагнітної енергії і хімічних компонентів потоку, ущільнений шар, тверда суміш подрібнених приймачів електромагнітної енергії і хімічних компонентів потоку і їх комбінації. 8. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що покриття має властивість ставати відбивним при робочій температурі хімічної обробки. 9. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що додатково включає концентратор поля з розташуванням, вибраним з групи, яку складають такі розташування: на покритті, з заглибленням у покриття, у покритті і комбіновано. 10. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що робоча температура для зазначеного приймача електромагнітної енергії вибрана з групи робочих 94690 4 умов, яку складають температура вище точки Кюрі для всіх матеріалів приймачів електромагнітної енергії, температура нижче точки Кюрі для всіх матеріалів приймачів електромагнітної енергії, температура вище точки Кюрі лише для нематричних матеріалів, температура вище точки Кюрі лише для матричних матеріалів, температура вище точки Кюрі для всіх матеріалів приймачів електромагнітної енергії, яка викликає підвищення поглинання, температура вище точки Кюрі для нематричних матеріалів, яка викликає підвищення поглинання, температура вище точки Кюрі для матричних матеріалів, яка викликає підвищення поглинання, температура вище температури втрати термічного контролю (критичної температур) для щонайменше однієї з складових фаз, температура нижче температури втрати термічного контролю (критичної температур) для всіх складових фаз, температура нижче температури активації внутрішніх діелектричних провідних компонентів всіх наявних фаз, температура вище температури активації внутрішніх діелектричних провідних компонентів всіх складових фаз, температура вище точки Кюрі для матеріалів покриття, температура нижче температури активації всіх внутрішніх діелектричних провідних компонентів, температура вище температури активації щонайменше одного внутрішнього діелектричного провідного всіх складових фаз і їх комбінації. 11. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю регулювання його фізичних властивостей товщиною покриття. 12. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю використання в атмосфері, яку вибрано з групи, що складають відновлювальна атмосфера, окислювальна атмосфера, атмосфера під тиском 1 ат, атмосфера під тиском нижче 1 ат, атмосфера під тиском вище 1 ат і їх комбінації. 13. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що має структуру, вибрану з групи, яка складається з хіральної, сфероподібної, спіральної, стрижнеподібної, голчастої, сферичної, еліпсоїдної, дискової, неправильної, пластинчастої форм, а також у вигляді спіральних антенних компонентів для щонайменше однієї довжини хвилі прикладеної електромагнітної енергії, у вигляді антени, призначеної для щонайменше однієї довжини хвилі прикладеної електромагнітної енергії, голкоподібної, крученої, у вигляді rotini, плетеної структури і стільникової структури, багатоклітинної структури, циліндричної, трубчастої, ретикулярної структури, пінної структури, капілярної структури і їх комбінацій. 14. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю функціонувати при прикладанні електромагнітної енергія, що має форму безперервної енергії, імпульсної енергії або їх комбінації. 15. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю функціонувати при прикладанні електромагнітної енергія, що має частоту, вибрану з групи частот, що включають інфрачервону частоту, ультрафіолетову частоту, радіочастоту, мікрохвильову частоту, видиму світлову час 5 тоту, одночастотне джерело, регульовану частоту, багаточастотне джерело та їх комбінацію. 16. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що покриття містить матеріал з каталітичними властивостями. 17. Приймач за п. 16, який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями має молекулярну структуру речовин, вибраних з групи, яку складають аморфні матеріали, кам'яна сіль, цинкова суміш, антифлюорит, рутил, перовськіт, шпінель, зворотна шпінель, арсенід нікелю, корунд, ільменіт, олівін, хлорид цезію, флюорит, силікати, вурцит, похідні структури відомих кристалічних структур, суперструктури кристалічних структур, ортосилікат, метасилікат, гібсит, графіт, цеоліт, карбід, нітрид, монтморилоніт, пірофіліт, міжметалевий напівпровідник, металевий напівпровідник, гранат, псевдоперовськіт, ортоферит, шестигранний ферит, рідкісноземельний гранат і ферит. 18. Приймач за п. 16 який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями має електронні властивості матеріалу, вибраного з групи, яку складають матеріал р-типу, матеріал n-типу, легований катіоном домінантний матеріал р-типу, легований аніоном домінантний матеріал р-типу, легований катіоном домінантний матеріал n-типу, легований аніоном домінантний матеріал n-типу і їх комбінації. 19. Приймач за п. 16, який відрізняється тим, що форма матеріалу з каталітичними властивостями вибрана з групи, яку складають каталізатор, що утворює повне покриття на всіх поверхнях приймача електромагнітної енергії, каталізатор, які є каталізатором з можливістю використання на поверхні приймача електромагнітної енергії, каталізатор здатний утворювати часткове покриття на всіх поверхнях приймача електромагнітної енергії, каталізатор, який може бути каталізатором на покритті на приймачі електромагнітної енергії, каталізатор, що складається з подрібнених компонентів, на поверхні приймача електромагнітної енергії, каталізатор, що складається з подрібнених компонентів і міститься у покритті на приймачі електромагнітної енергії, каталізатор, що складається з подрібнених компонентів і міститься на покритті на приймачі електромагнітної енергії, каталізатор, що утворює повне покриття всіх поверхонь приймача електромагнітної енергії, яке є додатковим покриттям між каталізатором і приймачем електромагнітної енергії, каталізаторами, що утворюють часткове покриття всіх поверхонь приймача електромагнітної енергії, яке є додатковим покриттям між каталізатором і приймачем електромагнітної енергії, і їх комбінації. 20. Приймач за п. 16, який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями є композитом, вибраним з групи каталітичних композитів, яку складають два або більше каталізаторів, що виконують одну функцію, два або більше каталізаторів, з яких щонайменше один виконує іншу функцію, ніж інший каталізатор, два або більше каталізаторів, з яких щонайменше один є металевим компонентом, два або більше каталізаторів, з яких щонайменше один має точку Кюрі, і їх комбінації. 94690 6 21. Приймач за п. 16, який відрізняється тим, що має бар'єрне покриття між матеріалом покриття з каталітичними властивостями і приймачем для відвертання руйнівної хімічної реакції між зазначеними матеріалом покриття з каталітичними властивостями і приймачем електромагнітної енергії, для сприяння відвертанню отруєння каталізатора або сприяння відвертанню або їх комбінації. 22. Приймач за п. 16, який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями виконано з можливістю функціонування в сукупності із матричним та нематричним матеріалами, дозволяючи виконання їх функцій. 23. Приймач за п. 16, який відрізняється тим, що матеріал покриття з каталітичними властивостями вибраний з групи, яку складають дорогоцінний метал, Fe, Co, Ni, Pt, Pd, Au, Ag, халькогенід, металевий сплав, борид, базований на сплаві Fe, сплав дорогоцінних металів, штучний діелектрик, штучний діелектричний матеріал, в якому об'єм фракції нематричних компонентів становить менше 50 %, штучний діелектричний матеріал, в якому об'єм фракції нематричних компонентів становить не менше 50 %, сплав Co, сплав Ni, антиферомагнетик, антифероелектрик, парамагнетик, матеріал з точкою Кюрі, скляний матеріал, металевий матеріал, матеріал, що здатний генерувати термоіонні емісії, термоелектричний матеріал, металокераміка, керамічна глазур з металевими частками, феримагнетик, фероелектрик, феромагнетик, напівпровідний, провідний твердий іонний провідник, нестехіометричний карбід, нестехіометричний оксид, оксикарбід, оксинітрид, карбонітрид, оксид, нітрид, міжметалевий матеріал, гідроксид, термолюмінесцентний матеріал, флуоресцентний матеріал, борид, матеріал з низькою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, матеріал з високою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, силіцид нітрид, алюмінід, матеріал з високою діелектричною константою і високими діелектричними втратами, матеріал з високою діелектричною константою і помірними діелектричними втратами, карбід, оксид, анатаза, сульфід, сульфат, карбонат, FeO, CuO Cu2O, MnO2 Mn2O5, NiO, Fe2O3, Fe3O4, CuO-MnO2, U2O-NiO, TiO2, легований дивалентним катіоном, ТіО2, легований три+4 валентним катіоном, Fe2O3, легований Тi , Сu2ОМnО2, Li2O-Cu2O, Li2O-CuO, Li2O-MnO2, SiC, WC, ТіС, ТіСх-уОу, TiC1-x, ТіО2, нестехіометричний оксид титану, ТіО, Ті2О3, нестехіометричний оксид цирконію, анатаза, бета-глинозем, альфа-глинозем, Na-бета-глинозем, Li-бета-глинозем, (Na,Lі)-бетаглинозем, карбон, графіт, ZnO, CuS, FeS, CoO, алюмінат кальцію, деревне вугілля, Ni, Co, Fe, сплав NiFe, MgTiO3, MnTiO3, NiTiO3, СoТiO3, FeTiO3, LiNbO3, MnTiO3, NiTiO3, МgТіО3-х, CoTiO3-x, FeTiO3-x, ZnO1-x, SmLiO2, LaLiO2, LaNaO2, SmNaO2, (SmLiO2)0,8(CaOMgO)0,2, (LaLi2)0,7(SrOMgO)0,3, (NdLiO2)0,8(CaMgO)0,2, легований стронцієм оксид лантану на оксиді магнію, матеріал, одержаний термообробкою глиномінералу протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що пе 7 решкоджає повному перетворенню глинистого матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою тальку протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню тальку у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою цеоліту протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню цеолітного матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою Brucite протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню Brucite у незворотні кристалічну і/або скляну фази, і матеріал, одержаний термообробкою Gibbsite протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню глинистого матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази або їх комбінації. 24. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що покриття на приймачі електромагнітної енергії виконано з можливістю його використання як реагенту з хімічними компонентами потоку для одержання бажаних продуктів або для обробки забруднювачів і одержання чистого повітря, яке може бути вивільнене у довкілля. 25. Приймач за п. 24, який відрізняється тим, що покриттям можуть бути карбоновмісні компоненти, здатні реагувати з хімічними компонентами потоку для одержання гідрогену, хімічні компоненти високого порядку, хімічні компоненти нижчого порядку, моноксид карбону, діоксид карбону або їх комбінації. 26. Приймач за п. 24, який відрізняється тим, що покриття може містити реагент, вибраний з групи, яку складають Na-бета-глинозем, Li-бетаглинозем, NaOH, LiOH, CaCO3, Са(ОН)2, гаммаглинозем, альфа-глинозем, літієві комплекси, літієвий комплекс, частково адсорбований на частково кальцинованому бокситі, натрієвий комплекс, частково адсорбований на частково кальцинованому бокситі, кремнезем, легований катіоном кремнезем або їх комбінації, для хімічної реакції з хімічними компонентами потоку, що містить флуорові компоненти, хлорні компоненти, сульфурові компонент і їх комбінації. 27. Приймач за п. 24, який відрізняється тим, що покриття додатково містить реагент, вибраний з групи, яку складають сечовина, аміак, ціаноуронова кислота, карбамат амонію, бікарбонат амонію, суміш аміаку і бікарбонату амонію, форміат амонію, оксіалат амонію, джерело гідроксильних радикалів, джерело гідрогенних радикалів, молоко, цукор, маляс, полісахариди, відновлювальні агенти і їх комбінації, для хімічної реакції з хімічними компонентами потоку, що містять, оксид нітрогену 94690 8 або оксиди нітрогену для одержання нітрогену (N2). 28. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що виконаний так, щоб при використанні температура щонайменше частини матричного матеріалу перевищувала температуру нематричного матеріалу. 29. Приймач за п. 1, який відрізняється тим, що нематричним матеріалом є матеріал, здатний створювати відбиття після генерування тепла у матричному матеріалі 30. Приймач за п. 29 який відрізняється тим, що форма зазначеного покриття вибрана з групи, яку утворюють повне покриття на всіх поверхнях приймача електромагнітної енергії, повне покриття поверхні, часткове покриття поверхні, часткове покриття всіх поверхонь приймача електромагнітної енергії, покриття з малюнком, покриття однорідним матеріалом, покриття композитним матеріалом, часткове покриття більш, ніж одним матеріалом, покриття з малюнком більш, ніж одним матеріалом, покриття багатьма шарами з різних матеріалів і їх комбінації. 31. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що є проникним для потоку хімічних компонентів. 32. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що покриття виготовлене з матеріалу, вибраного з групи, яку складають металеві і аморфні матеріали, полікристалічний матеріал, антиферомагнетик, антифероелектрик, парамагнетик, матеріал з точкою Кюрі, скляний матеріал, металевий матеріал, феримагнетик, фероелектрик, феромагнетик, напівпровідник, нестохіометричний провідник, провідник, твердий іонний провідник, нестехіометричний карбід, нестехіометричний оксид, оксикарбід, матеріал, що генерує термоіонну емісію, термоелектричний матеріал, металокераміка, керамічна глазур з металевими частками, оксинітрид, карбонітрид, міжметалевий матеріал, гідроксид, нестехіометричний нітрид, термолюмінесцентний матеріал, композит, органічні полімери, матричний композит, керамічний матричний композит, металевий матричний композит, кристалічні форми кремнезему, плавлений кремнезем, кварц, органічні співполімери, аморфні органічні полімери, кристалічні органічні полімери, полікарбонат, поліпропілен, полістирол, поліетилен, поліестер, політетрафторетилен, нестехіометрична ільменітна структура, флуоресцентний матеріал, штучний діелектричний матеріал, штучний діелектричний матеріал з об'ємною фракцією нематричних компонентів нижче 50 %, штучний діелектричний матеріал з об'ємною фракцією нематричних компонентів не нижче 50 %, борид, матеріал з низькою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, матеріал з високою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, силіцид, нітрид, алюмінід, матеріал з високою діелектричною константою і високими діелектричними втратами, матеріал з високою діелектричною константою і помірними діелектричними втратами, карбід, оксид, анатаза, сульфід, сульфат, кристалічні форми кремнезему, карбонат, скляна кераміка, фотохроматичний матеріал, термохроматичний матеріал, фазороздільне скло, іонний провідник, матеріал, одержаний термообробкою глиноміне 9 ралу протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню глинистого матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою тальку протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню тальку у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою цеоліту протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню цеолітного матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою Brucite протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню Brucite у незворотні кристалічну і/або скляну фази, і матеріал, одержаний термообробкою Gibbsite протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню глинистого матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази або їх комбінації. 33. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю використовуватися у сукупності приймачів електромагнітної енергії для хімічної обробки в середовищі, вибраному з групи, яку складають псевдозріджений шар, пульпа, рідка суміш приймачів електромагнітної енергії і хімічних компонентів потоку, газоподібна суміш подрібнених приймачів електромагнітної енергії і хімічних компонентів потоку, ущільнений шар, тверда суміш подрібнених приймачів електромагнітної енергії і хімічних компонентів потоку і їх комбінації. 34. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що додатково включає концентратор поля з розташуванням, вибраним з групи, яку складають такі розташування: на покритті, з заглибленням у покриття, усередині покриття і комбіновано. 35. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що покриття містить матеріал з каталітичними властивостями. 36. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що виконаний так, щоб при використанні температура щонайменше частини матричного матеріалу перевищувала температуру нематричного матеріалу. 37. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю функціонування при прикладанні електромагнітної енергії, що має частоту, вибрану з групи частот, що включає інфрачервону частоту, ультрафіолетову частоту, радіочастоту, мікрохвильову частоту, видиму світлову частоту, одночастотне джерело, регульовану частоту, багаточастотне джерело та їх комбінацію. 38. Приймач за п. 35, який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями вибраний з групи матеріалів, яку складають фотокаталітич 94690 10 ний матеріал, що здатний активуватися електромагнітною енергією в ультрафіолетовому діапазоні, фотокаталітичний матеріал, що здатний активуватися електромагнітною енергією в інфрачервоному діапазоні, фотокаталітичний матеріал, що здатний активуватися електромагнітною енергією у мікрохвильовому діапазоні, фотокаталітичний матеріал, що здатний активуватися електромагнітною енергією у радіочастотному діапазоні, і їх комбінації. 39. Приймач за п. 35, який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями має молекулярну структуру речовин, вибраних з групи, яку складають аморфні матеріали, кам'яна сіль, цинкова суміш, антифлюорит, рутил, перовськіт, шпінель, зворотна шпінель, арсенід нікелю, корунд, ільменіт, олівін, хлорид цезію, флюорит, силікати, вурцит, похідні структури відомих кристалічних структур, суперструктури кристалічних структур, ортосилікат, метасилікат, гібсит, графіт, цеоліт, карбід, нітрид, монтморилоніт, пірофіліт, міжметалевий напівпровідник, металевий напівпровідник, гранат, псевдоперовськіт, ортоферит, шестигранний ферит, рідкісноземельний гранат і ферит. 40. Приймач за п. 35, який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями має електронні властивості матеріалу, вибраного з групи, яку складають матеріал р-типу, матеріал n-типу, легований катіоном домінантний матеріал р-типу, легований аніоном домінантний матеріал р-типу, легований катіоном домінантний матеріал n-типу, легований аніоном домінантний матеріал n-типу і їх комбінації. 41. Приймач за п. 35, який відрізняється тим, що форма матеріалу з каталітичними властивостями вибрана з групи, яку складають каталізатор, що утворює повне покриття на всіх поверхнях приймача електромагнітної енергії, каталізатор, який є конкретним каталізатором на поверхні приймача електромагнітної енергії, каталізатор, що утворює часткове покриття на всіх поверхнях приймача електромагнітної енергії, каталізатор, який є конкретним каталізатором на покритті на приймачі електромагнітної енергії, каталізатор, що складається з подрібнених компонентів, на поверхні приймача електромагнітної енергії, каталізатор, що складається з подрібнених компонентів і міститься у покритті на приймачі електромагнітної енергії, каталізатор, що складається з подрібнених компонентів і міститься на покритті на приймачі електромагнітної енергії, каталізатор, що утворює повне покриття всіх поверхонь приймача електромагнітної енергії, яке є додатковим покриттям між каталізатором і приймачем електромагнітної енергії, каталізатор, що утворює часткове покриття всіх поверхонь приймача електромагнітної енергії, яке є додатковим покриттям між каталізатором і приймачем електромагнітної енергії, і їх комбінації. 42. Приймач за п. 35, який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями є композитом, вибраним з групи каталітичних композитів, яку складають два або більше каталізаторів, що виконують одну функцію, два або більше каталізаторів, з яких щонайменше один виконує іншу фун 11 кцію, ніж інший каталізатор, два або більше каталізаторів, з яких щонайменше один є металевим компонентом, два або більше каталізаторів, з яких щонайменше один має точку Кюрі, і їх комбінації. 43. Приймач за п. 35, який відрізняється тим, що матеріал з каталітичними властивостями вибраний з групи, яку складають дорогоцінний метал, Fe, Co, Ni, Pt, Pd, Au, Ag, халькогенід, металевий сплав, борид, базований на сплаві Fe, сплав дорогоцінних металів, штучний діелектрик, штучний діелектричний матеріал, в якому об'єм фракції нематричних компонентів становить менше 50 %, штучний діелектричний матеріал, в якому об'єм фракції нематричних компонентів становить не менше 50 %, сплав Co, сплав Ni, антиферомагнетик, антифероелектрик, парамагнетик, матеріал з точкою Кюрі, скляний матеріал, металевий матеріал, нестохіометричний матеріал, матеріал, що генерує термоіонні емісії, термоелектричний матеріал, металокераміка, керамічна глазур з металевими частками, феримагнетик, фероелектрик, феромагнетик, напівпровідний, провідний твердий іонний провідник, нестехіометричний карбід, нестехіометричний оксид, оксикарбід, оксинітрид, карбонітрид, оксид, нітрид, міжметалевий матеріал, гідроксид, термолюмінесцентний матеріал, флуоресцентний матеріал, борид, матеріал з низькою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, матеріал з високою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, силіцид нітрид, алюмінід, матеріал з високою діелектричною константою і високими діелектричними втратами, матеріал з високою діелектричною константою і помірними діелектричними втратами, карбід, оксид, анатаза, сульфід, сульфат, карбонат, FeO, CuO Cu2O, MnO2 Mn2O5, NiO, Fe2O3, Fe3O4, CuO-MnO2, U2O-NiO, TiO2, легований дивалентним катіоном, ТiO2, легований три+4 валентним катіоном, Fe2O3, легований Ті , Cu2OMnO2, Li2O-Cu2O, Li2O-CuO, Li2O-MnO2, SiC, WC, TiC, TiCx-yOy, TiC1-x, ТiO2, нестехіометричний оксид титану, ТіО, Тi2О3, нестехіометричний оксид цирконію, анатаза, бета-глинозем, альфа-глинозем, Na-бета-глинозем, Li-бета-глинозем, (Na,Lі)-бетаглинозем, карбон, графіт, ZnO, CuS, FeS, СоО, алюмінат кальцію, деревне вугілля, Ni, Co, Fe, сплав NiFe, MgTiO3, MnTiO3, NiTiO3, CoTiO3, FeTiO3, LiNbO3, MnTiO3-x, NiTiO3-x, МgТiO3-x, СоТiO3-x, FeTiO3-x, ZnO1-x, SmLiO2, LaLiO2, LaNaO2, SmNaO2, (SmLiO2)0,8(CaOMgO)0,2, (LaLi2)0,7(SrOMgO)0,3, (NdLiO2)0,8(CaMgO)0,2, легований стронцієм оксид лантану на оксиді магнію, матеріал, одержаний термообробкою глиномінералу протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню глинистого матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою тальку протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню тальку у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, 94690 12 одержаний термообробкою цеоліту протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню цеолітного матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази, матеріал, одержаний термообробкою Brucite протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню Brucite у незворотні кристалічну і/або скляну фази, і матеріал, одержаний термообробкою Gibbsite протягом належного часу при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і протягом належного часу при температурі нижче температури, що перешкоджає повному перетворенню глинистого матеріалу у незворотні кристалічну і/або скляну фази, причому глинистий мінерал вибрано з групи, яку складають монтморилоніт, пластична глина іліт, дикіт, алоїт, слюда, цеоліт, коалініт, ілітна глина, пірофоліт, енделіт, бентоніт, хлорит і їх комбінації. 44. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю регулювання його фізичних властивостей товщиною покриття. 45. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю використовуватися в атмосфері, яку вибрано з групи, що складають відновлювальна атмосфера, окислювальна атмосфера, атмосфера під тиском 1 ат, атмосфера під тиском нижче 1 ат, атмосфера під тиском вище 1 ат і їх комбінації. 46. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що має структуру, вибрану з групи, яка складається з хіральної, сфероподібної, спіральної, стрижнеподібної, голчастої, сферичної, еліпсоїдної, дискової, неправильної, пластинчастої форм, а також у вигляді спіральних антенних компонентів для щонайменше однієї довжини хвилі прикладеної електромагнітної енергії, у вигляді антени, призначеної для щонайменше однієї довжини хвилі прикладеної електромагнітної енергії, голкоподібної, крученої, у вигляді rotini, плетеної структури і стільникової структури, багатоклітинної структури, циліндричної, трубчастої, ретикулярної структури, пінної структури, капілярної структури і їх комбінацій. 47. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що виконаний з можливістю функціонувати при прикладанні електромагнітної енергії, що має форму безперервної енергії, імпульсної енергії або їх комбінації. 48. Приймач за п. 29, який відрізняється тим, що покриття на приймачі електромагнітної енергії виконано з можливістю його використання як реагенту з хімічними компонентами потоку для одержання бажаних продуктів або для обробки забруднювачів і одержання чистого повітря, яке може бути вивільнене у довкілля. 49. Приймач за п. 48, який відрізняється тим, що покриттям можуть бути карбоновмісні компоненти, здатні реагувати з хімічними компонентами потоку для одержання гідрогену, хімічних компонентів високого порядку, хімічних компоненті нижчого 13 94690 14 порядку, моноксиду карбону, діоксиду карбону або їх комбінацій. 50. Приймач за п. 48, який відрізняється тим, що покриття додатково містить реагент, вибраний з групи, яку складають Na-бета глинозем, Li-бета глинозем, NaOH, LiOH, CaCO3, Са(ОН)2, гаммаглинозем, альфа-глинозем, літієві комплекси, літієвий комплекс, частково адсорбований на частково кальцинованому бокситі, натрієвий комплекс, частково адсорбований на частково кальцинованому бокситі, кремнезем, легований катіоном кремнезем або їх комбінації, для хімічної реакції з хімічними компонентами потоку, що містить флуорові компоненти, хлорні компоненти, сульфурові компонент і їх комбінації. 51. Приймач за п. 48, який відрізняється тим, що покриття додатково містить реагент, вибраний з групи, яку складають сечовина, аміак, ціаноуроно ва кислота, карбамат амонію, бікарбонат амонію, суміш аміаку і бікарбонату амонію, форміат амонію, оксіалат амонію, джерело гідроксильних радикалів, джерело гідрогенних радикалів, молоко, цукор, маляс, полісахариди, відновлювальні агенти і їх комбінації, для хімічної реакції з хімічними компонентами потоку, що містять, оксид нітрогену або оксиди нітрогену для одержання нітрогену (N2). 52. Приймач за п. 35, який відрізняється тим, що має бар'єрне покриття між матеріалом покриття з каталітичними властивостями і приймачем для відвертання руйнівної хімічної реакції між зазначеними матеріалом покриття з каталітичними властивостями і приймачем електромагнітної енергії, для сприяння відвертанню отруєння каталізатора або сприяння відвертанню їх комбінації. Винахід стосується пристрою і способу термічної обробки відпрацьованих газів і проведення реакцій з газами і застосовується для знищення і зниження кількості забруднювачів з потоків відходів і отримання газового продукту реакцією з газами. Зокрема, винахід стосується приймача електромагнітної енергії з покриттям для хімічної обробки, в якому матричні матеріали оточують нематричні матеріали, виготовлені з матеріалу, відмінного від матричного матеріалу, а матричний матеріал є конструкційним матеріалом з нижчими діелектричними втратами порівняно з нематричним матеріалом. Пристрої електричної термічної обробки газів з відходів для зниження забруднення і для проведення термічної реакції газів для синтезу продуктів не використовують природний газ для отримання енергії. Пристрої, що використовують для цього природний газ, утворюють діоксид карбону, моноксид карбону і оксиди нітрогену з джерела енергії. Використання електрики забезпечує більш чисті операції при використанні у таких пристроях, оскільки згадані хімічні сполуки не виділяються з джерела тепла під час операцій. Електричні пристрої, що використовуються для контролю забруднення довкілля, створюють менше забруднення поблизу джерела порівняно з технологіями, заснованими на природному газі. Остаточне забруднення сприяє зниженню кількості тепличних газів і задовольняє вимогам Акту про Чисте Повітря від 1990 р. Існують багато методів електричного нагрівання; тут розгляд концентруватиметься на конструкціях, призначених для забезпечення тепла і реакції за допомогою електромагнітної енергії. Винахід включає пристрій для термічної обробки газів і забруднювачів, який використовує 1) почергово геометрії порожнини і приймача електромагнітної енергії для забезпечення більш гомогенної взаємодії прикладеної електромагнітної енергії в об'ємі приймача електромагнітної енергії незалежно від потоку і діаметра відвідного каналу, 2) методи теплопередачі для поліпшення загаль ного теплового ККД пристрою, 3) структуру приймача електромагнітної енергії, в якій відбиття є головним режимом взаємодії з прикладеною електромагнітною енергією і яка забезпечує проникнення енергії в приймач, 4) композитні матеріали у приймачі електромагнітної енергії, 5) простий метод контролю температури в залежності від концентрації енергії у приймачі електромагнітної енергії і 6) концентратори поля для концентрування щільності прикладеної електромагнітної енергії. Геометрія порожнини у цих пристроях впливає на оптичні властивості електромагнітної енергії у приймачі електромагнітної енергії. Електромагніта енергія, ультрафіолетова, інфрачервона, мікрохвильова або радіочастотна енергія мають такі ж оптичні властивості, як і візуальний спектр, при взаємодії з геометричними формами і поверхнями, схожими з лінзами. Електромагнітна енергія у приймачі електромагнітної енергії може або конвергувати, або дивергувати залежно від геометричної форми приймача електромагнітної енергії згідно з тими ж принципами, що визначають дію оптичних лінз. Крім того, режими проходження електромагнітної енергії залежать від геометрії порожнини. Ці режими визначають розподілення електромагнітної енергії у порожнині і є різними для циліндричних і прямокутних порожнин [див. Handbook of Microwave Engineering]. Електромагнітна енергія, що надходить перпендикулярно до периметра круглого поперечного перетину циліндричного приймача електромагнітної енергії, у першу чергу концентрується у цьому перетині. Внаслідок цієї концентрації матеріал усередині приймача електромагнітної енергії поглинає більше енергії, ніж матеріал поблизу поверхні, причому діелектричні властивості матеріалу усередині перетину змінюються. Ця концентрація енергії може примусити матеріал, розташований усередині приймача електромагнітної енергії між центром і периметром, поглинати більше енергії, знижуючи цим глибину проникнення у матеріал, 15 зумовлену геометрією приймача електромагнітної енергії. Оптичні властивості прямокутних порожнин і плоских поверхонь є різними. Прямокутні порожнини з приймачем електромагнітної енергії, які мають прямокутну геометрію і плоскі поверхні, матимуть оптичні властивості плоскої поверхні. Плоскі поверхні не концентрують і не розсіюють енергію на відміну від кривих поверхонь, наприклад увігнутих і опуклих. Коли електромагнітна енергія надходить на плоску поверхню, поглинання енергії у приймачі електромагнітної енергії визначається лише властивостями матеріалів і не зазнає впливу енергії, яка концентрується скривленими геометріями. Енергія, що надходить на приймач з плоскими поверхнями, не концентрується у структурі з однорідного матеріалу і глибина проникнення залежить від потужності енергії, електричних і магнітних полів усередині приймача електромагнітної енергії. Навпаки, енергія, що надходить на приймач з скривленою геометрією може концентруватись у приймачі електромагнітної енергії з однорідного матеріалу і глибина проникнення енергії залежить від здатності скривленої поверхні концентрувати енергію усередині приймача електромагнітної енергії. Загальний енергетичний ККД таких пристроїв для термічної обробки газів може бути поліпшений удосконаленням процесу теплопередачі для захоплення енергії, яка втрачається внаслідок охолодження електронної лампи, що є джерелом прикладеної електромагнітної енергії. У промислових операціях мікрохвильового сушіння тепло, отримане від охолодження магнетронів повітрям, надходить до предметів, що висушуються. Таке синергічне сушіння з використанням гарячого повітря і мікрохвиль підвищує ККД. процесу. Для термообробки газів можуть бути використані інші композитні матеріали і структури електромагнітних приймачів. Такими композитними матеріалами і структурами є штучні діелектрики. Штучні діелектричні структури з'явились у 1940-х і використовувались для фокусування радіохвиль для зв'язку (Koch). Штучні діелектрики використовують провідні металеві плати, стрижні, сфери і диски (вториннофазні матеріали), заглиблені у матриці з низькою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами для підвищення коефіцієнта рефракції і зменшення цим розміру лінз для отримання бажаних оптичних властивостей. Вториннофазний матеріал відбиває і використовує дифузне відбиття для передачі електромагнітної енергії. Ці плати, стрижні, сфери і диски можуть бути організовані у сітчасту структуру для отримання ізотропічності або анізотропічності. Коли провідні елементи вбудовують у матрицю з низькою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, вплив цього на коефіцієнт втрат у матриці є незначним, а діелектрична константа композитних лінз збільшується. Однак, ці ефекти є обмеженими і залежать від розміру, форми, провідності і частки об'єму матеріалу, заглибленого у матрицю з низькими діелектричними втратами і низькою діелектричною константою, від матеріалу, а також від довжини 94690 16 хвилі опромінювання. Діелектрична сила і комплексна діелектрична константа матеріалу матриці відіграє важливу роль у конструкції штучних діелектричних лінз. З іншого боку вибір матеріалів матриці з різними діелектричними властивостями і введення вториннофазних матеріалів, наприклад, напівпровідників, фероелектриків, феромагнетиків, антифероелектриків, антиферомагнетиків з вищими діелектричними втратами і діелектриків з вищими втратами на електропровідність забезпечують поглинання мікрохвильової енергії і генерування тепла у штучному діелектрику. Штучні діелектрики з високими втратами були продемонстровані у 1950-х і знайшли застосування у мікрохвильовому спіканні керамічних деталей, у розігріванні пакетованих харчових продуктів, в апаратах для смаження харчових продуктів, у виробах масового споживання і в операціях склеювання текучими клеями. Структура штучних діелектриків визначає їх електромагнітні властивості. Коли об'єм фракції вториннофазного матеріалу у штучному діелектрику досягає певного рівня, штучний діелектрик починає відбивати електромагнітну енергію, екрануючи штучний діелектрик від поглинання електромагнітної енергії. Об'ємна фракція вториннофазного матеріалу, при якій штучний діелектрик екранує електромагнітну енергію, залежить від відбивної здатності вториннофазних матеріалів і їх форми і температури. Якщо контролювати відбиття, відбивна здатність приймача електромагнітної енергії може бути використана для контролю температури приймача електромагнітної енергії. Відбивну здатність використовують для отримання структур з самообмеженням температури. Отримання відбивної здатності у діелектриках описане у Von Hippie's "Dielectrics and Waves". На таких принципах був створений пристрій з самообмеженням температури і була створена теорія самообмеження температури у матеріалах з температурами Кюрі. Здатність відбивати електромагнітну енергію залежить від провідності матеріалів. Метали є електропровідними при кімнатній температурі і здатні відбивати електромагнітну енергію. Напівпровідники і іонні провідники мають низьку провідність при кімнатній температурі. При підвищених температурах провідність напівпровідників і іонних провідників підвищується, і ці матеріали починають відбивати електромагнітну енергію при підвищених температурах. Кількісно відбивна здатність матеріалу при підвищеній температурі залежить також від довжини хвилі і кута надходження електромагнітної енергії. Штучні діелектричні структури можна використати для отримання дифузного відбиття, або розсіювання у приймачі електромагнітної енергії. Вториннофазні матеріали, наприклад, метали, можуть відбивати або при кімнатній температурі, або при підвищеній температурі внаслідок 1) підвищення провідності, як у напівпровідниках і іонних провідниках і/або 2) перевищення температури Кюрі, як у фероелектриках і феромагнетиках. Таке дифузне відбиття може бути використане для контролю температуру даного приймача електромагнітної енергії з штучною діелектричною структурою. 17 Незалежно від структури приймача електромагнітної енергії і його матеріалів, прикладена енергія маю проникати у структуру і матеріал або матеріали конструкції для об'ємної взаємодії між приймачем електромагнітної енергії і прикладеною енергією. Інакше розглядаються структури приймачів електромагнітної енергії у пристрої для термічної обробки газів. Стільникові, пінні, плетені структури і структури пакувальних матеріалів як конструкційний матеріал або мають підвищену діелектричну провідність при підвищених температурах, або мають температуру Кюрі нижче робочої і починають відбивати. Якщо матеріал починає відбивати, то структура приймача електромагнітної енергії може або а) діяти як хвилепровід з розмірами, що не дозволяє прикладеній енергії проникнути, оскільки частота прикладеної енергії буде нижчою за частоту зрізу для структури приймача електромагнітної енергії або b) екрануватиме електромагнітну енергію від проникнення в приймач. Handbook of Microwave Engineering Handbook пояснює мікрохвильову теорію більш детально. Наприклад, гранулярні структури у приймачі електромагнітної енергії, описані у патенті США 4 718 358, для обробки газів визначають умови, коли структура приймача електромагнітної енергії не дозволяє електромагнітній енергії проникати в об'єм приймача електромагнітної енергії. Здається, автори патенту 4 718 358 вважають найкращими гранульовані багатошарові абсорбуючі матеріали з товщиною шарів 5-10 мм, загалом, 100-300 мм. Одним з бажаних абсорбуючих матеріалів є SiC у гранульованій формі. При кімнатній температурі напівпровідникова кераміка з карбіду кремнію має незначне проникнення, приблизно 10 см при кімнатній температурі і, залежно від чистоти SiC, глибина проникнення може стати нижче 2 см. При підвищеній температурі карбід кремнію стає більш провідним і тому має навіть нижчу глибину проникнення. Якщо вважати гранули сферичними, то 10-міліметрові кульки SiC можна пакувати у циліндричні порожнини з утворенням щільно пакованих кубічних структур. Порожнинна частина об'єму щільно пакованої кубічної структури SiC становить лише 26%. Найбільший порожній простір у цьому гранульованому пакуванні сферами SiC 10 мм у щільно пакованій кубічній структурі буде зайнятий так званими восьмикутними утвореннями, тобто порожнинами між шістьма сферами - чотирма дотичними одна до одної в одній площині, однією над і однією під ними з утворенням порожнини між чотирма кульками, що лежать в одній площині. Найбільший діаметр восьмикутника становитиме приблизно 6 мм. Пристрій згідно з 4 718 358 з відкритими частинами шириною 6 мм працює при приблизно 900°С, коли діелектрична провідність SiC значно підвищується у порівнянні з діелектричною провідністю при кімнатній температурі, і тому можна ставити під сумнів здатність мікрохвильової енергії при 2,45 ГГц і довжині хвилі приблизно 13 см проникати крізь щільно упаковану кубічну структуру гранул SiC і нагрівати об'єм SiC на глибину 100-300 мм. Працюють упаковані сфери SiC при температурі 900°С як сукупність неве 94690 18 ликих хвилепроводів з розмірами нижче частоти зрізу прикладеного електромагнітного опромінювання? Якщо так, структура приймача електромагнітної енергії не дозволить прикладеній енергії проникнути у весь об'єм гранул SiC. Такий тип структури екранує електромагнітну енергію, як це відбувається у побутових мікрохвильових печах. Або мають упаковані сфери SiC при температурі 900°С скінченну глибину проникнення, яка не дозволяє об'ємного прогрівання всієї маси гранул SiC і не пропускає електромагнітну енергію через об'єм маси SiC для взаємодії з газом для поліпшення реакцій? Останній аргумент за скінченну глибину проникнення у цьому приймачі електромагнітної енергії скоріше підтверджує імовірність нагрівання скінченного об'єму гранул SiC поблизу поверхні опромінюванням, ніж можливість проникнення тепла теплопровідністю через SiC до решти об'єму гранул SiC, оскільки SiC має високу теплопровідність. Можна сперечатись про те, що прикладена електромагнітна енергія з вищим рівнем потужності може потрапити до гранул SiC у спробі нагріти весь об'єм, однак, глибина проникнення може зменшитись при підвищеному рівні прикладеної потужності. Більший рівень потужності викличе мігрування глибини проникнення до поверхні, на яку спочатку падає прикладена електромагнітна енергія, коли SiC стане більш провідним при підвищеній температурі. Підвищення провідності може надати матеріалу здатність відбивати спрямовану на нього енергію. Інші структури, наприклад, стільникові, пінні і плетені також викликають сумніви щодо приблизної глибини проникнення, як було відзначено вище. Такі структури, виготовлені з напівпровідників, фероелектриків, феромагнетиків, антифероелектриків і антиферомагнетиків, матимуть незначну глибину проникнення. Графіт, антрацит, магнетит (Fe3O4), MnO2 є матеріалами, що мають глибину проникнення менше 1 мм при кімнатній температурі. Коли такі структури, як стільникові, пінні і плетені, мають покриття з такого матеріалу, структури або матимуть незначну глибину проникнення або діятимуть як хвилепроводи з розмірами нижче частоти зрізу незалежно від а) матеріалу або матеріалів, що утворюють підложку для покриття і b) конструкції приймача електромагнітної енергії. Отже, такий приймач мусить мати належну конструкцію, яка забезпечує об'ємну взаємодію з електромагнітною енергією з урахуванням матеріалів конструкції, структури і ефективності покриття. Винахід взагалі є поліпшеною конструкцією, яка забезпечує більш однорідне розподілення енергії завдяки 1) формі геометрії порожнини, 2) розташуванню джерел прикладеної енергії і 3) глибини проникнення приймача електромагнітної енергії. Більш однорідне розподілення енергії у приймачі електромагнітної енергії згідно з винаходом забезпечує об'ємне розподілення прикладеної електромагнітної енергії для а) генерування тепла, b) забезпечення взаємодії з хімічними компонентами для знищення забруднювачів і сприяння хімічній реакції за допомогою приймача електромагнітної енергії, с) генерування флуоресценції і d) генерування термолюмінісценції. 19 Порожнини можуть бути багатокутними, з поперечними перетинами неправильної форми, з чотирма або більше боками, бажано, прямокутними у площині поперечного перетину, перпендикулярного до напрямку газового потоку. Бажано, щоб прямокутна форма мала розташування джерела енергії на протилежних поверхнях найдовших паралельних сторін. Шириною є найменша відстань у прямокутному поперечному перетині неправильної форми. Ширина визначає однорідність розподілення енергії конструкцією, яка базується на глибині проникнення у приймач прикладеної електромагнітної енергії. Глибина проникнення приймача електромагнітної енергії використовується замість глибини проникнення матеріалу, оскільки приймач має порожнисті частини, конструкційні матеріал, матеріали або композити і певну структуру. Глибина проникнення приймача електромагнітної енергії визначається подібно до глибини проникнення для матеріалу, як це було визначено раніше як значення 1/е, що є еквівалентним поглинанню або розсіюванню 67% енергії. Геометрія порожнини разом з розташуванням джерел енергії і глибиною проникнення приймача електромагнітної енергії відіграють у пристрої важливу роль. Оскільки джерела енергії розташовуються на протилежних поверхнях неправильного прямокутника, півширина, тобто відстань від центру площини поперечного перетину до боку порожнини, де розташоване джерело енергії, згідно з винаходом, визначається як ширина взаємодії. Ширина взаємодії є подібною до глибини проникнення і використовується для бісекції приймача електромагнітної енергії навпіл для визначення глибини проникнення приймача електромагнітної енергії через півширину порожнини і поверхню приймача електромагнітної енергії, найближчої до розташування джерела енергії, описаного вище. Ширина взаємодії використовується для визначення кількості енергії, наявної для взаємодії у приймачі електромагнітної енергії, для реалізації методів сприяння хімічній реакції і знищення забруднювачів, в той час, як глибина проникнення електромагнітної енергії звичайно дає приблизну оцінку послаблення потужності у матеріалі. Послаблення у матеріалі може бути результатом а) поглинання енергії для генерування тепла або b) відбиття прикладеної енергії. Згідно з винаходом, глибина проникнення приймача електромагнітної енергії може бути використана для забезпечення знищення забруднювачів або реакційних газів 1) методом, що, головним чином, забезпечує тепло для термічної обробки, 2) методом, що, головним чином, використовує прикладену електромагнітну енергію для взаємодії з газоподібними/подрібненими компонентами і здійснення хімічної реакції або знищення забруднювачів, 3) методом, що дає флуоресцентне випромінювання, 4) методом, що дає термолюмінесцентне випромінювання, 5) методом, що забезпечує розсіювання прикладеної електромагнітної енергії для концентрування цієї енергії або 6) комбінацією цих методів. Комбінація методів у даному випадку є най 94690 20 кращим рішенням. Наведені далі приклади ілюструють ці методи: Приклад 1: Якщо потрібною є термічна обробка як головний метод забезпечення хімічної реакції або знищення забруднювачів, необхідною є адсорбція електромагнітної енергії електромагнітним приймачем для генерування тепла у кількості, необхідній для термічного спалювання (600-1000°С) або для каталітичної обробки (300-600°С). Для забезпечення об'ємного нагрівання у приймачі електромагнітної енергії прикладеною електромагнітною енергією при робочій температурі, ця енергія має проникати на усій ширині взаємодії усередині порожнини. Отже, електромагнітна енергія має бути поглинута приймачем електромагнітної енергії, і глибина проникнення приймача електромагнітної енергії при робочій температурі має забезпечувати об'ємне нагрівання прикладеною електромагнітною енергією на ширині взаємодії. Для термічної обробки, як основного метода, при якому порожнина для цього пристрою має форму неправильного багатокутника, а розташування джерела електромагнітної енергії є таким, що було зазначене вище, глибина проникнення приймача електромагнітної енергії має становити приблизно одну третину повної ширини приймача електромагнітної енергії. Якщо глибина проникнення приймача електромагнітної енергії становить приблизно 1/3 його ширини, це дозволяє у порожнині приблизно 50% повної енергії від джерел енергії, розташованих на протилежних боках, потрапляти у ширину взаємодії і бути поглинутими матеріалом приймача електромагнітної енергії або матеріалами конструкції Приклад 2: Якщо взаємодія електромагнітної енергії з газоподібними компонентами є головним методом обробки газів для хімічної реакції або знищення забруднювачів, то для забезпечення об'ємної взаємодії електромагнітної енергії з газоподібними компонентами при робочій температурі прикладена енергія має проникати на ширину взаємодії у порожнині. Отже, електромагнітна енергія має бути здатна проникнути у приймач, і глибина цього проникнення при робочій температурі має забезпечувати об'ємну взаємодію прикладеної електромагнітної енергії з газоподібними або подрібненими компонентами для обробки на ширині взаємодії. Згідно з цим методом приймач може бути використаний для створення турбулентності, щоб гази краще змішувались для кращого перетворення реагентів у компоненти продукту. Для об'ємної взаємодії електромагнітної енергії з газоподібними компонентами, при якій порожнина для цього пристрою має форму неправильного багатокутника, а розташування джерела електромагнітної енергії є таким, що було зазначене вище, глибина проникнення приймача електромагнітної енергії не є важливою, якщо приймач електромагнітної енергії конструктивно не призначений розсіювати прикладену електромагнітну енергію. Глибина проникнення приймача електромагнітної енергії визначається матеріалом або матеріалами, прозорими для прикладеної електромагнітної енергії для максимізації кількості прикладеної енергії, що використовується для активування реакції. Крім того, приймачі 21 електромагнітної енергії можуть використовувати концентратори поля для підсилення електромагнітної енергії (використання концентраторів поля розглядається нижче). Глибина проникнення приймача електромагнітної енергії у цьому методі для реакції газів або знищення забруднювачів може перевищувати всю ширину приймача електромагнітної енергії і дозволяє приблизно 50% повної енергії у порожнині від джерел енергії, розташованих на протилежних боках, проникати на ширину взаємодії для взаємодії між прикладеною енергією, і газоподібними/подрібненими компонентами. Однак, якщо бажаним є розсіювання прикладеної енергії, то глибина проникнення має становити приблизно 1/3 ширини приймача електромагнітної енергії. Приклад 3: Якщо бажаною є комбінація методів обробки, можуть бути необхідними адсорбція, передача, відбиття і розсіювання електромагнітної енергії або енергій приймачем електромагнітної енергії. Поглинання прикладеної електромагнітної енергії у приймачі електромагнітної енергії може або генерувати тепло, або викликати флуоресцентне випромінювання, термолюмінесцентне випромінювання або сприяти генеруванню флуоресцентного випромінювання. Наприклад, для генерування фосфоресцентного випромінювання у приймачі електромагнітної енергії або у концентраторі поля для взаємодії між фосфоресцентним випромінюванням і газоподібними/подрібненими компонентами для прискорення реакції може бути використане ультрафіолетове (УФ) джерело енергії. Прикладена УФ енергія може також взаємодіяти з газоподібними/подрібненими компонентами. Відповідним матеріалом для приймача електромагнітної енергії або концентратора поля може бути фосфоресцентний матеріал. Глибина проникнення приймача електромагнітної енергії має забезпечувати проникнення прикладеної УФ енергії у приймач для об'ємної взаємодії а) з приймачем електромагнітної енергії для генерування флуоресцентного випромінювання і/або b) безпосередньо між прикладеною УФ енергією і газоподібними/подрібненими компонентами. Тому, якщо УФ і мікрохвильова енергії прикладені до одного приймача електромагнітної енергії, може відбутись взаємодія між цими енергіями, матеріалом конструкцій приймача електромагнітної енергії, концентратором поля і газоподібними компонентами (або подрібненими). УФ енергія, прикладена до порожнини, може взаємодіяти, як уже відзначалось, але мікрохвильова енергія а) може викликати термолюмінісценцію у фосфоресцентних матеріалах b) може генерувати тепло у приймачі електромагнітної енергії мікрохвильовою енергією і/або с) може підсилювати фосфоресцентне випромінювання, викликане прикладеною УФ енергією. Крім того, якщо прикладеною то того ж приймача електромагнітною енергією є лише мікрохвильова енергія, то можуть виникнути інші взаємодії. Мікрохвильова енергія а) повністю поглинається для термічної обробки газів, b) може бути абсорбована частково і взаємодіяти з газоподібним компонентами, с) може бути використана для нагрівання приймача електромагнітної енергії і 94690 22 генерування термофосфоресценції від УФ випромінювання, яке взаємодіє з газоподібними компонентами або d) забезпечувати комбінацію зазначених взаємодій. Цей приклад демонструє потенційну складність взаємодії прикладеної електромагнітної енергії, флуоресцентного випромінювання і термолюмінесцентного випромінювання з матеріалом конструкції приймача електромагнітної енергії і конструкцією приймача електромагнітної енергії. Як уже відзначалось, матеріал або матеріали конструкції, а також структура приймача електромагнітної енергії впливає на здатність прикладеної електромагнітної енергії або енергій проникати і взаємодіяти з приймачем електромагнітної енергії а) для генерування тепла, b) для взаємодії з газоподібними/подрібненими компонентами, с) для генерування флюоресценції і d) для генерування термолюмінісценції. Подібним чином, здатність флуоресцентного і термолюмінесцентного випромінювання проникати на скінченну глибину у структуру приймача електромагнітної енергії структур і взаємодіяти з газоподібними/подрібненими компонентами у повітряному потоці для здійснення хімічної реакції або знищення забруднювачів може бути важливим фактором при конструюванні приймача електромагнітної енергії. Флуоресцентне випромінювання може бути фосфоресценцією, білим накалюванням або полями, генерованими термоіонними або термовипромінювання. У цьому прикладі є важливими передача, поглинання, відбиття і розсіювання енергії кожної довжини хвилі у приймачі електромагнітної енергії. Бажано будувати приймач з більш, ніж одного конструкційного матеріалу, що дозволить прикладеній електромагнітній енергії з різною довжиною хвилі проникати і об'ємно взаємодіяти з приймачем електромагнітної енергії. Конструкція приймача електромагнітної енергії і конструкційні матеріали для нього необхідно вибирати такими, щоб відвернути екранування конструкціями приймача прикладеної електромагнітної енергії і енергій з різними довжинами хвилі. Передача, поглинання, відбивна здатність і розсіювання у приймачі електромагнітної енергії залежать від об'ємної щільності матеріалів конструкції, а також розмірів пористості, структурою і кількістю пор у матеріалах конструкції. Винахід взагалі є поліпшеною конструкцією, що використовує геометрію порожнини, яка має поперечний перетин, перпендикулярний до потоку газу, неправильної форми з 4 або більше боками, бажано прямокутної. У випадку прямокутної форми джерела енергії розташовуються на протилежних поверхнях найдовших паралельних сторін поперечного перетину, перпендикулярного до потоку газу. Розташування джерел енергії і геометрія порожнин і приймача електромагнітної енергії не дозволяють пристрою концентрувати енергію, спрощуючи цим для конструкції приймача електромагнітної енергії взаємодію з прикладеною електромагнітною енергією і забезпечуючи більш однорідне розподілення електромагнітної енергії у порожнині. 23 Коли приймач електромагнітної енергії призначається для конкретного метода обробки газового потоку, його конструкція визначається лише глибиною проникнення приймача електромагнітної енергії, яка залежить від обраної ширини взаємодії приймача електромагнітної енергії, оскільки енергія не концентрується. Отже, після обрання метода обробки газового потоку і кількісного визначення потужності прикладеної електромагнітної енергії або енергій і визначення ширини взаємодії для зниження статичного тиску у пристрої, конструкційні матеріали приймача електромагнітної енергії і його структура можуть залишатись незмінними, якщо пристрій призначається для більших потоків і більш широкого відвідного каналу у промислових застосуваннях. Для пристосування до більших потоків або більш широких відвідних каналів, необхідно лише збільшити довжину неправильного багатокутного поперечного перетину, де розташовані джерело або джерела енергії. На відміну від циліндричних порожнин, здатність до поглинання матеріалу приймача електромагнітної енергії або матеріалу конструкції можна не змінювати для пристосування до більших потоків або більш широких відвідних каналів комерційних і промислових установок для об'ємного нагрівання або взаємодії прикладеної енергії з газами у приймачі електромагнітної енергії. Конструкція пристрою згідно з винаходом забезпечує належну термічну обробку забруднювачів. Оскільки ця конструкція спрощує генерування тепла у приймачі електромагнітної енергії для різних значень потоків і ширини каналу, можна легко побудувати пристрій для належної термічної обробки газів з урахуванням робочої температури і з оцінюванням довжини гарячої зони при бажаній тривалості перебування при робочій температурі і турбулентності у приймачі електромагнітної енергії. Для зниження втрат тепла може бути передбачена теплоізоляція навколо приймача електромагнітної енергії. Для цього найбільш придатними є матеріали, прозорі для електромагнітної енергією або енергій, аерогельної структури з більш, ніж 96%-ою пористістю і об'ємною щільністю 4%. Довжина гарячої зони визначається в осьовому напрямку повітряного потоку, який визначається шириною пристрою. Взагалі, згідно з винаходом, площина поперечного перетину порожнини є перпендикулярною до повітряного потоку, а ширину взаємодії приймача електромагнітної енергії вибирають такою, щоб забезпечити у цьому пристрої більш однорідне розподілення енергії при даній прикладеній потужності. З більш однорідним розподіленням енергії винахід дозволяє реалізувати кращий метод для конкретної обробки газоподібних і подрібнених компонентів порівняно з методами обробки у пристроях з циліндричною геометрією для концентрації електромагнітної енергії. Згідно з винаходом, глибина проникнення у приймач прикладеної електромагнітної енергії або енергій дозволяє реалізувати методи знищення забруднення і здійснення реакції з газами/подрібненими компонентами. Коли глибина проникнення приймача електромагнітної енергії становить 1/3 повної ширини приймача 94690 24 електромагнітної енергії або більше, метод обробки газів/подрібнених компонентів може бути 1) термічною обробкою, 2) комбінацією термічної, флуоресцентної, термолюмінесцентної обробок і взаємодії між прикладеною енергією або енергіями і газом або подрібненими компонентами у повітряному потоці або 3) при використанні розсіювання прикладеної енергії концентруванням прикладеної енергії без суттєвого нагрівання приймача електромагнітної енергії, як, наприклад, у приймачі електромагнітної енергії з низькими втратами і низькою діелектричною константою, побудованому з металевих сфер і плавленого кремнезему, причому пристрій може виконувати обробку взаємодією між прикладеною енергією або енергіями і газом або подрібненими компонентами у повітряному потоці. Така конструкція є кращою за існуючі, в яких використано циліндричну геометрію. Така геометрія схильна концентрувати енергію у приймачі електромагнітної енергії, а це породжує проблеми при роботі пристрою. Однією з них є те, що концентрована енергія створює умови для втрати термічного контролю, що може призвести до розплавлення матеріалу або матеріалів приймача електромагнітної енергії і накопичення рідкого матеріалу у цьому приймачі. Іншою проблемою є те, що концентрування енергія не дозволяє прикладеній енергії об'ємно нагрівати приймач. Така концентрація вимагає певної абсорбуючої властивості від матеріалу конструкції приймача електромагнітної енергії для протидії такій концентрації, однак це може не допомогти. Крім того, приймачі електромагнітної енергії у циліндричних порожнинах важче пристосовувати до більших потоків і ширини каналу внаслідок поглинання. Ще однією проблемою є те, що концентрація енергії може викликати шкідливу реакцію між композитними матеріалами і покриттям підложок. Така реакція може спричинити розплавлення матеріалів при евтектичній температурі, зробити матеріали крихкими і порушити взаємодію між прикладеною енергією і приймачем електромагнітної енергії для подальшої роботи. Іншим аспектом винаходу є процес теплопередачі для підвищення ККД пристроїв для обробки газів для хімічної реакції або знищення забруднювачів. Комерційні магнетрони звичайно мають ККД 65-70%, тобто 30-35% енергії системи втрачаються. Процес теплопередачі згідно з винаходом дозволяє використати цю енергію. У процесі теплопередачі тепло надходить від електронної лампи або ламп, що його виробляють, постачаючи енергію до вхідних хімічних компонентів потоку, що може містити гази і подрібнені компоненти. Процес використовує тепло від ламп для попереднього нагрівання компонентів потоку або їх частини, перед їх входженням у пристрій. Цей процес теплопередачі забезпечує попереднє нагрівання вхідних хімічних компонентів потоку і знижує вартість операцій пристрою. Тепло від електронної лампи або ламп може вступити у процес теплообміну з вхідними хімічними компонентами потоку через охолодження ребер комерційних магнетронів, теплопроводів, термоелектричних пристроїв або через системи охолодження, які забез 25 печують циркуляцію рідини навколо електронної лампи і вивільняють тепло через радіатор. Після попереднього нагрівання вхідних хімічних компонентів потоку теплом від електронної лампи ці компоненти можуть бути додатково підігріті теплопередачею а) від стінок порожнини, b) від звичайного теплообмінника (рекуператора), розташованого за вихідним кінцем пристрою, або с) від стінок порожнини і звичайного рекуператора. Іншим аспектом винаходу є конструкція приймача електромагнітної енергії, описана як газопроникний макроскопічний штучний діелектрик. Такий приймальний пристрій може мати структуру стільника, піни або плетеної тканини або структуру, що складається з дискретних приймачів електромагнітної енергії. Макроскопічний штучний діелектрик може утворювати конструкцію приймача електромагнітної енергії а) для конкретної геометрії порожнини, b) для конкретної глибини проникнення прикладеної і потім випроміненої енергії с) для самообмеження температури або d) для створення у приймачі електромагнітної енергії з макроскопічного штучного діелектрика бажаного співвідношення самообмеженої температури і потужності концентрованої прикладеної електромагнітної енергії на одній або більше частотах. Цей аспект винаходу відрізняє терміни штучний діелектрик з використанням матеріалу штучного діелектрика і макроскопічний штучний діелектрик приймача електромагнітної енергії. Штучний діелектрик як матеріал використовується для опису випадку, коли виріб виготовлений з композитного матеріалу, що складається з двох або більше матеріалів з різними діелектричними властивостями, причому один з них утворює матрицю, а інший вбудований у цю матрицю без суттєвої хімічної реакції між матрицею і вбудованим матеріалом. Термін "макроскопічний штучний діелектрик" у приймачі електромагнітної енергії використовується для опису приймача електромагнітної енергії, який є а) виробом з конструкційного матеріалу, який має покриття, накладене конкретним чином для створення штучної діелектричної структури з покриття і виробу, b) є плетеною структурою, що містить нитки (або пряжу) з двох або більше різних матеріалів (або ниток), сплетених для утворення штучної діелектричної структури або с) є структурою, що складається з суміші окремих електромагнітних приймальних пристроїв і містить окремі пристрої з різними діелектричними властивостями, які оточують один одного, утворюючи штучну діелектричну структуру. Коли приймач є газопроникною стільниковою структурою з макроскопічного штучного діелектрика як конструкційного матеріалу, стінки деяких комірок стільника можуть мати покриття з матеріалів з різними діелектричними властивостями для утворення макроскопічного штучного діелектрика. Розташування комірок з покритими стінками у стільнику є таким, що прикладена електромагнітна енергія проникає в структуру приймача електромагнітної енергії і або нагріває приймач, або розсіюється для взаємодії з газом/подрібненими компонентами у повітряному потоці. Розташування стінок комірок послаблює прикладену електромаг 94690 26 нітну енергію а) частковим або повним поглинанням прикладеної енергії з генеруванням флуоресцентного випромінювання для нагрівання решти частин приймача електромагнітної енергії і повітряного потоку або b) частковим або повним розсіюванням прикладеної енергії через концентрування прикладеної енергії для взаємодії з повітряним потоком, або для нагрівання решти об'єму приймача електромагнітної енергії. Крім того, макроскопічний штучний діелектрик може бути виготовлений з стільникової структури заповненням деяких комірок іншим матеріалом, причому великі стільникові структури макроскопічного штучного діелектрика можуть бути побудовані з 1) менших окремих електромагнітних приймальних пристроїв, які є невеликими стільниковими елементами з різними діелектричними властивостями і/або провідністю або 2) менших окремих електромагнітних приймальних пристроїв стільникової структури з однаковими діелектричними властивостями, зцементованих разом з матеріалом, який має інші діелектричні властивості і/або провідність. Зрозуміло, що подібні методи створення стільникових макроскопічних штучних діелектриків можуть бути застосовані для створення макроскопічних штучних діелектриків пінної або плетеної структури. Коли приймач з макроскопічного штучного діелектрика є пристроєм з структурою, що складається з окремих приймачів електромагнітної енергії, такий приймач може бути конструкцією, призначеною для комплексної взаємодії з прикладеною енергією або енергіями, як це описано у Прикладі 3. Потенційно кожний окремий приймач може мати індивідуальні характеристики поглинання, передачі, розсіювання і відбиття 1) прикладеної електромагнітної енергії або енергій, 2) подальшого флуоресцентного випромінювання, генерованого прикладеною електромагнітною енергією або енергіями, і 3) подальшого теплового випромінювання, генерованого втратами у діелектрику кожного приймача електромагнітної енергії. Окремі приймачі електромагнітної енергії згідно з винаходом є відомими як одиничні приймачі електромагнітної енергії. Індивідуальні характеристики поглинання, передачі, розсіювання і відбиття в одиничному приймачі електромагнітної енергії визначаються його довжиною, товщиною, формою, композитними матеріалами структури, вибором матеріалів, пористістю, розмірами пор, температурною залежністю діелектричних констант комплексу і теплопровідністю. Оскільки приймачі електромагнітної енергії з макроскопічного штучного діелектрика є сумішшю одиничних приймачів електромагнітної енергії, можна будувати різноманітні електромагнітні приймальні структури. Гнучкість, яку дає застосування одиничних приймачів електромагнітної енергії, розглядається далі. Хоча оптичні властивості макроскопічного штучного діелектрика кожного одиничного приймача електромагнітної енергії можуть бути незалежними, структура макроскопічного штучного діелектрика приймача електромагнітної енергії може визначати взаємодію макроскопічного приймача електромагнітної енергії з 27 прикладеною електромагнітною енергією. Структура макроскопічного штучного діелектрика у приймачі електромагнітної енергії може бути описана як одиничні приймачі електромагнітної енергії, які головним чином відбивають. Відбивна здатність одиничного приймача електромагнітної енергії може визначатись металевими або міжметалевими матеріальними компонентами при кімнатній температурі або такими матеріалами, як напівпровідники, фероелектрики, феромагнетики, антифероелектрики і антиферомагнетик, які починають відбивати при підвищеній температурі. Матеріали, що відбивають, можуть бути а) однорідними, b) композитними, з вториннофазним матеріалом у матриці, який є частково абсорбційним для прикладеної електромагнітної енергії, причому об'єм фракції вториннофазного матеріалу може бути використаний для кількісного контролю відбиття одиничного приймача електромагнітної енергії, або с) покриттям на одиничному приймачі електромагнітної енергії. Довжина, ширина і форма одиничного приймача електромагнітної енергії і відстань між відбивними одиничними приймачами електромагнітної енергії можуть визначатись бажаною відбивною здатністю газопроникного макроскопічного приймача електромагнітної енергії. Форма одиничного приймача електромагнітної енергії визначається призначається для відбиття і може бути хіральною, сфероподібною, спіральною, стрижневою, голчастою, сферичною, еліпсоїдною, дисковою, неправильною, пластинчастою, голкоподібною або мати форму кручених спагеті типу Muller's Spaghetti і Creamette. Форма одиничного приймача електромагнітної енергії може бути конструкцією, призначеною для створення турбулентності у повітряному потоці і сприяння цим перемішуванню реагентів у газоподібному або рідинному потоці. Форма і розмір приймача електромагнітної енергії можуть бути використані для визначення розміру пор у приймачі електромагнітної енергії згідно з розширенням газу при його проходженні через гарячу зону. Температурно залежні матеріали, що використовуються в одиничних електромагнітних приймачах, можу бути використані для самообмеження температури в макроскопічному приймачі електромагнітної енергії і для отримання бажаного співвідношення між самообмеженою температурою і потужністю концентрованої прикладеної електромагнітної енергії на одній або більше частотах. Зазначені структури можуть бути отримані і бажані якості досягнуті через контроль об'єму фракції, розміру і форми одиничних приймачів електромагнітної енергії і передачі, відбиття, поглинання і розсіювання, що визначаються вибором матеріалів для кожного одиничного приймача електромагнітної енергії. Приймач з макроскопічних штучних діелектриків працює на принципах відбиття, дифузного відбиття і розсіювання. Відбивна здатність такого приймача електромагнітної енергії визначається об'ємом і взаємними зв'язками одиничних приймачів електромагнітної енергії, які є переважно відбивними одиничними приймачами електромагнітної енергії у макроскопічному приймачі 94690 28 електромагнітної енергії. Переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії визначаються як одиничні приймачі електромагнітної енергії, переважно відбивні для прикладеної енергії або енергій. Приймач з газопроникного штучного діелектрика містить переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії, оточені одиничними приймачами електромагнітної енергії, які є або переважно прозорими або переважно абсорбційними для прикладеної енергії або енергій. Оскільки об'єм переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії збільшується у макроскопічному приймачі електромагнітної енергії, виникає певний рівень взаємозв'язності переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії з утворенням мережі взаємозв'язків у макроскопічному штучному приймачі електромагнітної енергії. Рівні і кількість взаємозв'язностей залежать від розміру і форми переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії. Здатність прикладеної енергії або енергій проникати у макроскопічний штучний діелектричний приймач залежить не лише від об'єму переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії, але також від рівня і кількості взаємозв'язків. Коли рівень взаємозв'язності переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії в усьому газопроникному макроскопічному приймачі електромагнітної енергії є таким, що максимальна відстань у мережі взаємозв'язків переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії не дозволяє прикладеній енергії проникати або проникати прикладеній енергії найбільшої довжини хвилі, газопроникний макроскопічний приймач сам стає переважно відбивним для а) прикладеної електромагнітної енергії або Ь) прикладеної енергії з найбільшою довжиною хвилі. У деяких випадках є бажаним високий рівень взаємозв'язності. У деяких випадках високий рівень взаємозв'язності є сприятливим. Групи переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії можуть бути розподілені по макроскопічному штучному приймачу електромагнітної енергії для сприяння розсіюванню. Переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії можуть бути агреговані для утворення форм і меж, що відбивають одну або більше довжин хвиль прикладеної енергії або енергій. Об'єм фракцій і взаємозв'язність відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії, що оточують переважно абсорбційні або переважно прозорі одиничні приймачі електромагнітної енергії, може бути використаний при конструюванні конкретних структур макроскопічних штучних діелектриків а) для порожнин з резонансом, базованим на довжині хвилі прикладеної енергії у приймачі електромагнітної енергії, b) для розсіювання енергії для взаємодії з газом або подрібненими компонентами, с) для концентрації енергії у концентраторах поля, розташованих на інших одиничних електромагнітних приймачах, d) для концентрації енергії у приймачі електромагнітної енергії для підвищення реактивності між газовим потоком і флуоресцентним випромінюванням, e) щоб мати переважно відбивні одиничні приймачі 29 94690 електромагнітної енергії, розташовані так, щоб утворювати великі спіральні або інші форми з макроскопічним приймачем електромагнітної енергії, f) щоб діяти як екран для відвертання проникнення прикладеного електромагнітної енергії у матеріал усередині порожнини для створення термоізоляції, g) для запобігання витоку з порожнини прикладеної енергії, h) для відбивання прикладеної енергії до інших зон штучного діелектрика для створення вищих температур або для підвищення енергії для реакції або знищення газоподібних/ подрібнених компонентів і і) можливо, для регулювання температури газового потоку. Переваги винаходу порівняно з існуючими пристроями ілюструються наведеними нижче прикладами застосування винаходу. Табл.1 містить дані від декількох приймачів електромагнітної енергії з газопроникних макроскопічних штучних діелектриків, на які діє прикладена електромагнітна енергія частотою 2,45 ГГц у порожнині згідно з винаходом, яка має прямокутний поперечний перетин у площині, перпендикулярній до напрямку газового потоку. Розташування джерел енергії є таким, що було описане вище. У кожному з прикладів у приймачі електромагнітної енергії з газопроникного макроскопічного штучного діелектрика використовуються одиничні приймачі електромагнітної енергії. Через показаний час у порожнину була вставлена термопара типу К. Перед цим вся потужність магнетронів була вимкнута. У цих прикладах одиничні приймачі електромагнітної енергії були виготовлені з алюмосилікатної (AS) кераміки, яка містила 85/15% (за масою) суміш ЕРК Kaolin/KT Ball Clay. Одиничні приймачі електромагнітної енергії, виготовлені з штучних діелектричних матеріалів, мають алюмосилікатну матрицю, виготовлену з 85/15% (за масою) суміші ЕРК Kaolin/KT Ball Clay. Композицію одиничних приймачів електромагнітної енергії, виготовлених з штучних діелектричних матеріалів позначено AS - (об'ємний % вториннофазних матеріалів), тобто AS-12 SiC. Розмір часток кожного вториннофазного матеріалу не перевищував сита меш 325 US. Час появи візуального світіння - тобто червоне світіння - спостерігали візуально. Всі приклади відповідають окремим тестам. 30 Приймач з газопроникного макроскопічного штучного діелектрика був підданий дії приблизно 12,6 кВт потужності від 16800-ватних магнетронів. Розміри поперечного перетину у площині, перпендикулярній до напрямку потоку становили 7 дюймів (17,6 cм) ширини і 14 дюймів (35 cм) довжини. Ширина порожнини становила 22 дюйми (56 cм). По 8 магнетронів були розташовані на протилежних найдовших сторонах поперечного перетину. На кожному боці 8 магнетронів були згруповані у пари, і 4 пари утворювали групу 1 після іншої уздовж ширини порожнини. У цих прикладах згідно з результатами експериментів всі одиничні приймачі електромагнітної енергії мали форму вигнутих спагеті (rotini). Така форма утворює значні вільні об'єми у приймачі електромагнітної енергії з макроскопічним штучним діелектриком, які досягають 70%. Результати експериментів у цих прикладах показують унікальність винаходу і висновки з цих результатів демонструють переваги винаходу над існуючими рішеннями. Дискусія 1: Порівнявши результати Прикладів 4 і 5, можна побачити, що збільшення об'ємного % SiC, який є штучним діелектричним матеріалом одиничних приймачів електромагнітної енергії, знижує час появи червоного світіння і підвищує температуру після 1 год. Макроскопічний приймач Прикладу 4 побудований лише з одиничних приймачів електромагнітної енергії з композицією алюмосилікатної керамічної матриці, що містить 6% (за об'ємом) сита меш 325 SiC, забезпечує появу червоного світіння через 51 хв. і через 1 год. температура у центрі досягає 803°С, а макроскопічний приймач Прикладу 5, побудований лише з одиничних приймачів електромагнітної енергії, має композицію з алюмосилікатною керамічною матрицею, що містить 12% (за об'ємом) сита меш 325 SiC, і забезпечує появу червоного світіння через 27 хв. і через 1 год. температура у центрі досягає 858°С. Порівняння Прикладів 4 і 5 показує, що більший вміст SiC у макроскопічному приймачі електромагнітної енергії дає більшу швидкість нагрівання і вищу температуру макроскопічного приймача електромагнітної енергії. Таблиця 1 % (за масою) кожного типу Час до появи приймача електромагнітної червоного Темп. через Приклад енергії у макроскопічному світіння у 1 год. електромагнітному приймачі пристрої 4 100% AS-6 SiC 51 хв. 803°С 5 100% AS-12 SiC 27 хв. 858°С 6 100% AS 29 хв. >1260°С 7 8 9 50%AS 50% AS-12SiC 50% AS 50% AS-12 SiC 50% AS 50% AS-12 SiC 36 хв. 39 хв. 32 хв. 1006°С 1008°С 1006°С Коментар температура електромагнітного приймача перевищує граничне значення для термопари типу К температура через 3 год. температура через 4,5 год. 31 94690 32 Продовження таблиці 1 Приклад 10 % (за масою) кожного типу Час до появи приймача електромагнітної червоного Темп. через енергії у макроскопічному світіння у 1 год. електромагнітному приймачі пристрої 56% AS 23% AS-30Cr2O3 12% AS-30, хромат 6 хв. 1142°С 6% AS-30 Fe2O3 і хромат 3%AS-30Fe2O3 18% AS-30хромат 19% AS-30 Cr2O3 11 32% AS-30 Ре2О3/30Cr2O3 9% AS-30хромат/ 30Fe2O3 3%AS-30Fe2O3 19%AS-30CaTiO3 Коментар 2 з 16 ламп магнетрону розплавились відбиттям від газопроникного макроскопічного електромагнітного прийма< 2 хв., потім довелось ча. світіння зни- вимкнути Тут великий об'єм і високий рівень кло через 30 хв. взаємозв'язності зумовили високу відбивність макроскопічного електромагнітного приймача Дискусія 2: Порівняння результатів Прикладів 5 і 6 показує, що збільшення об'ємного вмісту SiC, який є штучним діелектричним матеріалом в одиничних електромагнітних приймачах, не дуже впливає на час перед появою червоного світіння і знижує температуру після 1 год. роботи порівняно з одиничними приймачами електромагнітної енергії, виготовленими з алюмосилікатного керамічного матричного матеріалу. Макроскопічний приймач Прикладу 5, побудований лише з одиничних приймачів електромагнітної енергії з композицією, яка містить алюмосилікатну керамічну матрицю, що включає 12% (за об'ємом) сита меш 325 SiC, створює червоне світіння через 27 хв. і через 1 год. роботи має температуру у центрі 858°С, а макроскопічний приймач Прикладу 6, побудований лише з одиничних приймачів електромагнітної енергії з композицією, яка містить алюмосилікатну керамічну матрицю, що включає 0 (за об'ємом) сита меш 325 SiC, створює червоне світіння через 29 хв. і через 1 год. роботи має температуру у центрі 1260°С. Порівняння Прикладів 5 і 6 показує, що 12% SiC у макроскопічному приймачі електромагнітної енергії Прикладу 5 знижують температуру макроскопічного приймача електромагнітної енергії порівняно з таким приймачем, побудованим з одиничних приймачів електромагнітної енергії, що мають лише алюмосилікатну матрицю. Порівняння Дискусій 1 і 2: У Дискусії 1 відзначено, що підвищення об'єму (%) SiC в одиничних електромагнітних приймачах, побудованих з штучного діелектричного матеріалу, підвищує поглинання прикладеної електромагнітної енергії; швидкість нагрівання і температуру після 1 год. роботи. У Дискусії 2 відзначено, що макроскопічний приймач без штучного діелектричного матеріалу (AS vol. % SiC), дає а) приблизно таку ж швидкість нагрівання, як штучний діелектричний матеріал з 12% (об.) SiC і b) вищу температуру, ніж штучний діелектричний матеріал з 12% (об.) SiC. Можна зрозуміти, що підвищення вмісту SiC у штучному матеріалі підвищує поглинання макроскопічних приймачів електромагнітної енергії. Зрозуміло також, що, порівнюючи Приклади 5 і 6, можна дійти висновку, що поглинання прикладеної енергії одиничним приймачем електромагнітної енергії, виготовленим з штучного діелектричного матеріалу, знижує температуру після 1 год. роботи. Таке зниження викликається підвищенням відбивної здатності SiC з підвищенням температури SiC. Дискусія 3: Порівняння Прикладів 7 і 4 дає цікаві результати. Приклад 7 використовує макроскопічний приймач з штучного діелектрика, виготовленого з 50/50 суміші одиничних приймачів електромагнітної енергії двох типів. Один тип одиничного приймача електромагнітної енергії є переважно відбивним і виготовлений з штучного діелектричного матеріалу AS - 12 SiC, використаного у Прикладі 5. Інший тип одиничного приймача електромагнітної енергії є переважно абсорбційним і виготовлений з AS матеріалу, використаного у Прикладі 6. 50/50 суміш цих двох типів одиничних приймачів електромагнітної енергії не створює мережі взаємозв'язків між переважно відбивними одиничними приймачами електромагнітної енергії. Порівняння результатів Прикладів 4 і 7 показує, що повна кількість SiC в макроскопічному приймачі електромагнітної енергії для одиничного приймача електромагнітної енергії, виготовленого з штучного матеріалу AS - 6 SiC у Прикладі 4, приблизно дорівнює повному об'єму SiC у макроскопічному приймачі електромагнітної енергії з штучного діелектрика у Прикладі 7. У Прикладі 7 50/50 суміш AS одиничних приймачів електромагнітної енергії і AS -12% (об.) одиничних приймачів електромагнітної енергії має приблизно такий же об'єм SiC у макроскопічному приймачі електромагнітної енергії, як у Прикладі 4. Однак, Приклад 7 показав менший час до появи червоного світіння, ніж Приклад 4, і вищу температуру після 1 год. (1006°С). Поглинання повним об'ємом SiC у макроскопічному приймачі електромагнітної енергії не може повністю зумовлювати результати Прикладу 7. Саме структура макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучного діелектрика зумовлює 33 гальмування появи червоного світіння і підвищення температури після 1 год. роботи (1006°С). Отже, структура макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучного діелектрика, яка містить переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії, змішані з переважно абсорбційними приймачами електромагнітної енергії, має переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії, що відбивають або розсіюють прикладену енергію, і ця розсіяна (відбита) енергія поглинається переважно абсорбційними одиничними приймачами електромагнітної енергії. Переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії є концентраторами енергії у макроскопічному приймачі електромагнітної енергії з штучного діелектрика. Дискусія 4: Порівняння результатів Прикладів 7, 8 і 9 показує, що макроскопічна штучна діелектрична структура може створювати самообмеження температури, і тому газопроникна макроскопічна штучна діелектрична структура дозволяє побудувати макроскопічні штучні діелектричні структури згідно з бажаними самообмеженням температури для концентрації прикладеної енергії або енергій для нагрівання газів, обробки забруднювачів у газовому потоці і сприяння реакціям хімічних компонентів у газовому потоці. Дискусія 5: Результати Прикладу 10 ілюструє роботу газопроникного макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучного діелектрика, побудованого з переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії з штучного діелектричного матеріалу, який містив більший об'ємний % напівпровідникових матеріалів з температурою Кюрі. Переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії були виготовлені з штучного діелектрика з вмістом 30% (об.) сита меш 325 матеріалів - Cr2O3, Fe2O3, хромату або їх суміші з будь-яких двох з цих матеріалів. Матриця штучного діелектричного матеріалу була побудована з AS матеріалів. Газопроникний штучний діелектрик, побудований з цих переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії показав дуже короткий час досягнення червоного світіння і високу температуру (1142°С). Приклад 10 показує, що рівень відбиття переважно відбивними приймачами електромагнітної енергії впливає на швидкість нагрівання, температуру і концентрацію енергії у макроскопічному приймачі електромагнітної енергії з штучного діелектрика. Зрозуміло, що рівень відбиття також має дозволяти створення макроскопічних штучних діелектричних структур з бажаним самообмеженням температури для концентрації прикладеної енергії або енергій для нагрівання газів, обробки забруднювачів і сприяння реакції хімічних компонентів у газовому потоці, а також для підвищення концентрації енергії у приймачі електромагнітної енергії з штучного діелектрика. Дискусія 6: Приклад 11 показує, що відбувається, коли об'єм фракції і взаємозв'язність переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії стає надмірним. Спершу дуже прискорюється поява червоного світіння, яке потім зникає. Це пояснюється тим, що температура пе 94690 34 реважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії підвищується поглинанням прикладеної енергії, і внаслідок цього підвищенням температури у переважно відбивних одиничних електромагнітних приймачах перевищується температура Кюрі, збільшується відбивна здатність, або має місце і те і друге. З підвищенням відбивної здатності і перевищенням температури Кюрі внаслідок великого об'єму фракції переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії і дуже високого рівня взаємозв'язності цих приймачів макроскопічний приймач стає відбивним і заважає об'ємній взаємодії прикладеної енергії з макроскопічним приймачем електромагнітної енергії з штучного діелектрика. Відбиття від цих приймачів електромагнітної енергії зруйнувало дві мікрохвильові електронні лампи. Структура макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучного діелектрика є важливим фактором, оскільки забезпечує проникнення прикладеної електромагнітної енергії на відстань між переважно відбивними компонентами, тобто окремими приймачами електромагнітної енергії, покриттям або плетеними структурами, і структура не діє як сукупність хвилеводів з частотами зрізу для відвернення проникнення прикладеної енергії на ширину взаємодії. Ще одним аспектом винаходу є використання структури макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучним діелектриком для адсорбції, регенерації і десорбції газоподібних реагентів або забруднювачів. Така структура може бути використана у подібних відомих очисних пристроях як роторні концентратори або в інших пристроях, де використовується адсорбція у процесі обробки забруднювачів. Звичайно у таких пристроях для адсорбції газоподібних компонентів використовується цеолітний матеріал або активоване вугілля. Можуть бути використані і інші форми карбону. Глибина проникнення для карбонових виробів становить приблизно 1 мкм, а у порошку ця глибина може становити 3 мм. Для цеолітних матеріалів, залежно від легування, глибина проникнення є значно більшою. Макроскопічний приймач з штучного діелектрика може бути виготовлений з суміші одиничних приймачів електромагнітної енергії. Суміш містить одиничні приймачі електромагнітної енергії, виготовлені з активованого вугілля і одиничні приймачі електромагнітної енергії, виготовлені з цеолітів. Одиничні приймачі електромагнітної енергії можуть бути також виготовлені з а) штучних діелектричних матеріалів з цеолітовою матрицею і карбоновими компонентами як вториннофазним матеріалом, b) штучних діелектричних матеріалів з карбоновою матрицею і цеолітними компонентами як вториннофазним матеріалом або с) одиничних приймачів електромагнітної енергії, покритих карбоновими компонентами, бажано, активованим вугіллям. Згідно з цим аспектом винаходу, структура макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучного діелектрика дозволяє прикладеній електромагнітній енергії проникати на відстань, що дорівнює відстані між переважно відбивними компонентами, тобто окремими приймачами 35 електромагнітної енергії, покриттями або плетеними структурами, і тому ця структура не діє як сукупність хвилепроводів з частотами зрізу, яка відвертає проникнення прикладеної енергії на ширину взаємодії. Іншим аспектом винаходу є використання напівпровідникових металів і кераміки, іонопровідної кераміки, феромагнетиків, феримагнетиків, фероелектриків і антифероелектриків за їх відбивні характеристики для прикладеної електромагнітної енергії. Ці типи матеріалів є переважно абсорбційними матеріалами як вироби або великі частки (розміром більше 250 мкм), однак, якщо розмір часток таких матеріалів становить 50 мкм або менше, вони сильно поглинають прикладену енергію і, зокрема у мікрохвильовому діапазоні, досягають дуже високих температур, стаючи дуже провідними і тому дуже відбивними. Відбиття від малих часток SiC в одиничних електромагнітних приймачах, побудованих з штучних діелектричних матеріалів, без об'ємної фракції SiC, є єдиним поясненням різних результатів Прикладів 4, 5 і 7. Згідно з винаходом, SiC використовується як високотемпературний рефлектор. Провідність таких матеріалів і інших керамічних матеріалів, згаданих вище, можна контролювати через заміщення катіонів і аніонів у решітковій структурі матеріалів. Звичайно кількість таких заміщень не перевищує 15 моль %. Поглинання, передачу, відбиття, розсіювання і комплексну діелектричну константу одиничних приймачів електромагнітної енергії можна змінювати використанням композитних матеріалів. Ці композитні матеріали є штучними діелектриками, багатошаровими або покритими композитами, в яких матричний матеріал містить вторинно- або третиннофазні компоненти у вигляді часток діаметром менше US меш 325. Композитні матеріали для одиничних приймачів електромагнітної енергії можуть бути комбінаціями матеріалів, в яких матриця є а) металокерамікою, b) органічним полімером, с) полікристалічною керамікою, d) скло/керамічним матеріалом і e) міжметалевим компонентом. Матеріали матриці, субстрати для покриття одиничного приймача електромагнітної енергії або цілі одиничні приймачі електромагнітної енергії включають а) алюмосилікати і силікати, отримані з глини або суміші глин, b) глинозем, с) MgO, d) стабілізований і частково стабілізований цирконій e) магнієві силікати і силікати з тальків, f) енстатит, g) форстерит, h) стеатит, і) порцелянову кераміку, j) кордієрит, k) сплавлений кремнезем, І) нержавіючу сталь і m) лите залізо. Вториннофазними матеріалами можуть бути 1) термолюмінесцентний матеріал, 2) фосфоресцентний матеріал, 3) накалювальний матеріал, 4) фероелектрик, 5) феромагнетик, 6) феримагнетик, 7) МnО2, 8) ТіО2, 9) CuO, 10) NiO, 11) Fe2O3, 12) Cr2O3, 13) Lі2О, легований МnО2, 14) Li2O, легований CuO, 15) Li2O, легований NiO, 16) комплекс CuO-MnO2-Li2O, 17) CuO-MnO2, 18) силіцид, 19) бориди, 20) алюмініди, 21) нітриди, 22) карбіди, 23) керамічна глазур з металевими частками і 24) керамічна глазур з напівпровідними частками. Форма вториннофазного матеріалу може бути хіральною, сфероподібною, 94690 36 спіральною, стрижневою, голчастою, сферичною, еліпсоїдною, дисковою, неправильною, пластинчастою або голкоподібною. Ще одним аспектом винаходу є концептуальна конструкція структури одиничних приймачів електромагнітної енергії з штучного діелектричного матеріалу, яка підвищує хімічну сумісність між матрицею і вториннофазним матеріалом. Розміри часток вториннофазного матеріалу можуть бути використані для контролю хімічної сумісності між матрицею і вториннофазним матеріалом. Збільшення розмірів часток вториннофазного матеріалу робить вториннофазні матеріали більш сумісними з матрицею. Згідно з винаходом, коли вториннофазний матеріал має сумнівну сумісність з матрицею, розмір часток вториннофазного матеріалу має становити від 200 мкм до 4 мм. Хімічна несумісність може призвести до плавлення або іншим реакціям твердого стану в проміжку між матрицею і вториннофазним матеріалом. Такі явища збільшують поглинання і уможливлюють ситуацію, що веде до термічних неконтрольованих процесів у матеріалі. Іншим аспектом винаходу є конструкція одиничного приймача електромагнітної енергії, який має штучні діелектричні матеріали з тепловим розширенням, сумісним між матрицею і вториннофазним матеріалом. Погана сумісність теплових розширень може призвести до крихкості одиничних приймачів електромагнітної енергії від термічних циклів у пристрої під час роботи. У цьому пристрої використовуються два методи: а) застосування матеріалів з несумісністю теплових розширень менше 15% і b) застосування матриці і вториннофазного матеріалу з однаковими структурами решітки і композицією, але з легуванням решітчастої структури вториннофазного матеріалу катіоном або аніоном для зміни електричного опору вториннофазного матеріалу у штучному діелектричному матеріалі. Наприклад, у шпінельній структурі матеріалом матриці може бути МgАІ2О4, а вториннофазним матеріалом (Mg,Fe)AI2O4, і для матриці з Fe2O3 і вториннофазним матеріалом є Fe2O3, легований ТiO2. Матрицею може бути також AIN, а вториннофазним матеріалом AIN, легова+3 ний Fe . Теплопровідність одиничного приймача електромагнітної енергії можна контролювати для теплопередачі, змінюючи а) пористість матеріалу одиничного приймача електромагнітної енергії, b) композитну структуру одиничного приймача електромагнітної енергії, с) матеріали з високою теплопровідністю, наприклад, дуже чисті нітриди, алюмініди, силіциди, бориди і карбіди, d) покриття з високою теплопровідністю на пористих одиничних електромагнітних приймачах для підвищення теплопровідності поверхні або e) структуру пор полум'яним поліруванням зовнішньої поверхні приймача електромагнітної енергії. Ще одним аспектом винаходу є використання одиничних приймачів електромагнітної енергії або покриттів на одиничних електромагнітних приймачах, які є жертовними, тобто такими, що використовуються у хімічних реакціях або для обробки забруднювачів. Наприклад, для усунення NOx з 37 забруднених газових потоків, NOx вводять у реакцію з карбоном для отримання N2 і СО2. У даному випадку карбон потрібен як реагент. Отже, одиничні приймачі електромагнітної енергії або покриття на одиничних електромагнітних приймачах можуть бути виготовлені з карбону, яким жертвують. Після повного використання покритого карбоном одиничного приймача електромагнітної енергії, макроскопічні штучні діелектричні структури можуть бути поповнені новими покритими карбоном приймачами електромагнітної енергії. Карбон може мати форму активованого вугілля, антрациту, сажі, смоли або графіту. Іншим аспектом винаходу є використання концентратора поля на поверхні одиничних електромагнітних приймачі. Такий концентратор локально концентрує електромагнітне поле, створюючи високу інтенсивність електромагнітного поля для взаємодії з газоподібними/ подрібненими компонентами і для реалізації хімічної реакції, сприяння реакції між хімічними компонентами або для обробки забруднювачів. Концентратор поля може бути виготовлений з а) провідників, b) напівпровідників, с) матеріалів з точкою Кюрі, d) іонопровідної кераміки, e) композитних матеріалів з а і с, f) композитних матеріалів з b і с, g) композитних матеріалів з а і d, і h) композитних матеріалів з b і d. Форма композитних матеріалів може бути хіральною, сфероподібною, спіральною, стрижневою, голчастою, сферичною, еліпсоїдною, дисковою, неправильною, пластинчастою або голкоподібною або у вигляді зубців з гострими кінцями. Розмір концентратора поля може у 1 - 10 разів перевищувати глибину проникнення прикладеної електромагнітної енергії у матеріал конструкції при кімнатній або робочій температурі. Розміри залежать від хімічної сумісності між концентраторами поля і конструкційними матеріалами одиничних приймачів електромагнітної енергії. Коли немає загрози руйнівної реакції між одиничним приймачем електромагнітної енергії і концентратором поля, розмір концентратора поля, базований на глибин проникнення поля у матеріали конструкції, може у 1 - 10 разів перевищувати глибину проникнення при робочій температурі. Якщо така загроза існує, розмір концентратора поля не повинен сприяти такій реакції і має становити від 200 мкм до 4 мм. Крім того, для відвернення руйнівної хімічної реакції між концентратором поля і одиничним приймачем електромагнітної енергії може бути передбачене бар'єрне покриття між концентратором поля і одиничним приймачем електромагнітної енергії. Матеріалами для концентраторів поля можуть бути 1) термолюмінесцентний матеріал, 2) фосфоресцентний матеріал, 3) накалювальний матеріал, 4) фероелектрик, 5) феромагнетик, 6) феримагнетик, 7) МnО2, 8) ТіО2, 9) CuO, 10) NiO, 11) Fe2O3, 12) Cr2O3, 13) Li2O, легований MnO2, 14) Li2O, легований CuO, 15) Li2O, легований NiO, 16) комплекс CuO-MnO2-Li2O, 17) CuO-MnO2, 18) силіцид, 19) бориди, 20) алюмініди, 21) нітриди, 22) карбіди, 23) керамічна глазур з металевими частками, 24) керамічна глазур з напівпровідними частками, 25) матеріали, що генерують термоіонну емісію, і 26) термоелектричні матеріали. 94690 38 Ще одним аспектом винаходу є продукування озону одиничними приймачами електромагнітної енергії і концентраторами поля. Коли відстань між двома провідними або напівпровідними концентраторами поля стає достатньо малою для уможливлення іскрового розряду у полі, створеному прикладеною електромагнітною енергією, утворюється озон. Такий же розряд може відбутись на поверхнях одиничних приймачів електромагнітної енергії, виготовлених з штучного діелектричного матеріалу. Іскра виникає у проміжку між відкритими поверхнями вториннофазного матеріалу штучного діелектрика і при цьому утворюється озон. Це може відбуватись при підвищеній температурі і тоді, коли об'єм фракції вториннофазного матеріалу перевищує 20%. Електричний розряд може також відбутись між двома одиничними приймачами електромагнітної енергії, які мають концентратори поля і проміжок між відкритими поверхнями вториннофазних матеріалів двох одиничних приймачів електромагнітної енергії. Іншим втіленням винаходу є процес теплопередачі. Згідно з винаходом, потік вхідних хімічних компонентів отримує тепло або попередньо підігрівається перед надходженням у пристрій для термічної і іншої обробки з теплообміном, який забезпечує потік вхідних хімічних компонентів теплом від джерела енергії, яким може бути будьякий пристрій, що генерує прикладену енергію. Такі пристрої звичайно мають низький ККД і генерують тепло. Така теплопередача для попереднього нагрівання вхідних хімічних компонентів знижує операційні витрати на такий пристрій. Тепло від електронної лампи або ламп може брати участь у теплообміні з потоком вхідних хімічних компонентів. Після попереднього нагрівання цих компонентів теплом від електронної лампи, ці компоненти у подальшому додатково підігріваються теплопередачею а) від стінок порожнини, b) від звичайного теплообмінника (рекуператора), розташованого на виході пристрою, або с) від стінки порожнин і звичайного рекуператора. У кресленнях: фіг.1 - поперечний перетин пристрою згідно з винаходом у повздовжньому аксіальному напрямку ширини пристрою і ширини пристрою; фіг.2 - пристрій фіг.1 з теплоізоляційними шарами; фіг.3 - поперечний перетин пристрою, нормальний до напрямку потоку з співвідношенням між приймачем електромагнітної енергії 9 і глибиною 14 проникнення приймача електромагнітної енергії; фіг.4 - схема операцій процесу теплопередачі; фіг.5 - двомірна графічна репрезентація газопроникного макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучного діелектрика, побудованого з об'єктів, що репрезентують одиничні приймачі електромагнітної енергії, де один тип одиничного приймача електромагнітної енергії є переважно відбивним, а інший тип одиничного приймача електромагнітної енергії є переважно прозорим або частково абсорбційним; фіг.6 - двомірна графічна репрезентація газопроникного макроскопічного приймача електрома 39 гнітної енергії з штучного діелектрика, побудованого з об'єктів, що репрезентують одиничні приймачі електромагнітної енергії, які мають мережу взаємозв'язків переважно відбивних одиничних приймачів електромагнітної енергії; фіг.7 - одиничний приймач, виготовлений з штучного діелектричного матеріалу; фіг.8 - концентратори поля на одиничних електромагнітних приймачах; фіг.9 - концентратори поля на поверхні, або вбудовані у поверхню і усередину одиничного приймача електромагнітної енергії. Винахід включає пристрій, що використовує газопроникну структуру приймача електромагнітної енергії для реалізації реакції газів для отримання бажаних продуктів або для обробки забруднювачів і постачання чистого повітря для довкілля. Пристрій характеризується геометрією порожнини, розташуванням місць надходження прикладеної енергії від джерела у порожнину, приймачем електромагнітної енергії, конструкція якого визначається глибиною проникнення приймача електромагнітної енергії, і засобами масштабування пристрою для більших швидкостей повітряного потоку без зміни взаємодії приймачів електромагнітної енергії з прикладеною енергією або глибиною проникнення приймача електромагнітної енергії, оскільки конструкція пристрою дозволяє змінювати розмір пристрою з майже лінійним масштабуванням від місця входження прикладеної електромагнітної енергії у порожнину і геометрії порожнини. Іншим аспектом винаходу є процес теплопередачі, який підвищує ККД пристрою. Ще одним аспектом винаходу є газопроникний макроскопічний приймач з штучного діелектрика, який використовує відбиття, розсіювання і концентрацію прикладеної електромагнітної енергії, що використовується а) для проведення реакції газів для отримання бажаних продуктів, або для обробки забруднювачів і постачання чистого повітря для довкілля, b) для регулювання температури повітряного потоку, с) для запобігання перегріванню пристрою, d) для відвернення руйнівних реакцій між матеріалами конструкції, e) для нагрівання газового потоку, f) для створення пристрою значних розмірів для адсорбції і регенерації газоподібних компонентів з суміші карбоновмісного приймача електромагнітної енергії і цеолітовмісних приймачів електромагнітної енергії і g) для забезпечення бажаного співвідношення між самообмеженою температурою і концентрацією прикладеної енергії або енергій для виконання бажаних функцій. Іншим аспектом винаходу є структура одиничних приймачів електромагнітної енергії, які можуть утворювати газопроникний макроскопічний приймач з штучного діелектрика. Ще одним аспектом винаходу є використання концентраторів поля на одиничних електромагнітних приймачах для створення локальних електромагнітних полів через взаємодію з прикладеною електромагнітною енергією. Складовими частинами пристрою є порожнина 1, вхідний отвір 2, через який можуть проходити гази і подрібнені компоненти і який має засіб від 94690 40 вернення витоку прикладеної електромагнітної енергії з порожнини, вихідний отвір 3, через який можуть проходити гази і подрібнені компоненти і який має засіб відвернення витоку прикладеної електромагнітної енергії з порожнини, отвір 4 до порожнини, який дозволяє прикладеній електромагнітній енергії потрапляти у порожнину, лінза 5, яка фокусує або розсіює прикладену електромагнітну енергію у порожнині, і, за необхідності, забезпечує газонепроникне ущільнення для відвернення витоку з порожнини газів і подрібнених компонентів, прикладені енергія 6, електромагнітне джерело 7 енергії, хвилепроводи 8 і приймач 9, який є приймальною частиною пристрою для прийому електромагнітної енергії. Фіг.1, 2 і 3 ілюструють конструкцію пристрою для проведення реакції газів для одержання бажаних продуктів або обробки забруднювачів і постачання чистого повітря для довкілля, деталі операцій пристрою ілюструють, взагалі, опис бажаного втілення винаходу. Фіг.1 містить аксіальний повздовжній перетин пристрою, позначений у даному винаході як протяжність пристрою. Тут геометричні осі пристрою визначені стрілками W для ширини і В для протяжності. Пристрій має прямокутну порожнину 1 з вхідним отвором 2, через який газові реагенти або забруднювачі потрапляють у порожнину. Вхідний отвір 2 має конструкцію, яка пропускає газиреагенти, забруднювачі і подрібнені компоненти у повітряному потоці. Гази-реагенти, забруднювачі і подрібнені компоненти через вхідний отвір 2 потрапляють у порожнину 1 і в приймач електромагнітної енергії 9. Коли гази-реагенти, забруднювачі і подрібнені компоненти проходять через приймач 9, гази-реагенти перетворюються у продукти або забруднювачі, а подрібнені компоненти перетворюються у чисте повітря, яке може бути виведене у довкілля згідно з земельним законодавством після необхідної обробки, яка забезпечується взаємодією прикладеної електромагнітної енергії 6 з приймачем 9 електромагнітної енергії. Продукти і чисте повітря виходять з порожнини 1 через вихідний отвір 3. Взаємодія між прикладеною енергією 6 і приймачем 9 електромагнітної енергії забезпечує обробку а) переважно термічним методом з використанням всієї або дуже великої кількості прикладеної електромагнітної енергії 6, яка поглинається і виробляє тепло у приймачі 9 електромагнітної енергії, b) методом, згідно з яким електромагнітна енергія переважно взаємодіє з газамиреагентами, забруднювачами і подрібненими компонентами без суттєвого споживання прикладеної енергії 6, абсорбованої приймачем 9 електромагнітної енергії, з генеруванням тепла, с) комбінацією методів а і b або d) методом, який є комбінацією метода с) з дією подальшого флуоресцентного випромінювання, термолюмінесцентного випромінювання, термоіонної емісії і термоелектрики, які здійснюють додаткову обробку газів-реагентів, забруднювачів і інших компонентів. Метод обробки визначається взаємодією прикладеної електромагнітної енергії 6 з матеріалом або матеріалами конструкції приймача 9 електромагнітної енергії. Прикладена електромагнітна 41 енергія 6 може надходити на більш, ніж одній частоті, УФ, 14, у візуальному діапазоні і як мікрохвилі. Ця енергія 6 потрапляє у порожнину 1 через отвори 4, розташовані на протилежних боках порожнини 1 (Фіг.1, 2 і 3). Електромагнітна енергія 6 генерується електромагнітними джерелами 7, проходить через хвилепроводи 8 і може пройти через лінзу 5, розташовану в отворі 4 порожнини, після чого взаємодіє з приймачем 9 електромагнітної енергії. Якщо лінза 5 не потрібна і відсутня, прикладена електромагнітна енергія 6, може просто надходити у порожнину 1 через отвори 4. Гази-реагенти, забруднювачі і подрібнені компоненти через вхідний отвір 2 потрапляють в приймач 9 для обробки. Турбулентності, які можуть утворюватись структурою приймача 9 електромагнітної енергії, сприяють кращому перемішуванню. Час перебування у пристрої, необхідний для конкретної обробки, забезпечується збільшенням протяжності пристрою, тобто протяжності приймача 9 електромагнітної енергії і порожнини 1. Уздовж протяжності пристрою можуть бути встановлені додаткові джерела енергії 7, хвилепроводи 8 і отвори 4 у порожнину для забезпечення необхідної потужності енергії, прикладеної до приймача електромагнітної енергії для обробки. Такі додаткові джерела енергії 7, хвилепроводи 8 і отвори можуть бути створені на протилежних боках для забезпечення оптимальних умов. Згідно з винаходом для контролю прикладеної потужності запуску можуть бути застосовані електронні методи. Пристрій можна використовувати у горизонтальному і/або вертикальному положенні. Фіг.2 є подібною до Фіг.1 і ілюструє розташування термоізоляції 10 і тонкого термоізоляційного бар'єру 11, якій відвертає виток газів, забруднювачів і подрібнених компонентів через неї. Термічна ізоляція 10 і тонкий термоізоляційний бар'єр 11 оточують периметр приймача 9 електромагнітної енергії у напрямку його протяжності. Термоізоляція 10 і тонкий термоізоляційний бар'єр 11 виготовлені з матеріалу, прозорого для прикладеної електромагнітної енергії. Таким матеріалом може бути глинозем високої чистоти, алюмосилікати, МgО, стеатит, енстатит, фостерит, нітриди, керамічна порцеляна, плавлений силікат і скло у формі волокон або піни. Бажаним матеріалом для термоізоляції 10 є аерогель. Термоізолюючий шар 10 і тонкий термоізоляційний бар'єр 11 захищають порожнину 1, хвилепроводи 8 і джерело енергії 7 від шкідливої дії тепла, що утворюється при обробці і може викликати небажане теплове розширення, корозію і пошкодження електроніки. Фіг.3 містить поперечний перетин пристрою, перпендикулярний до напрямку газового потоку з отвору 2 до отвору 3. Осі пристрою позначено W для ширини і L для довжини. Пристрій згідно з винаходом пристосований до геометричної форми поперечного перетину порожнини, нормального до напрямку газового потоку 14 у порожнині 1, розташування отворів 4 у порожнині 1, глибини 13 проникнення приймача електромагнітної енергії і ширини взаємодії 12. Геометрична форма поперечного перетину порожнини, нормального до напрямку потоку 14 є неправильним багатокутни 94690 42 ком з найбільшими двома повздовжніми паралельними сторонами. Бажаний неправильний багатокутник має 4 сторони і є прямокутником. Це втілення не обмежується неправильним багатокутником, такий багатокутник має мати мінімум 4 сторони. Згідно з винаходом, геометрична форма поперечного перетину приймача 9 електромагнітної енергії, нормального до напрямку потоку, збігається з геометричною формою поперечного перетину порожнини, нормального до напрямку потоку 14. Згідно з винаходом, отвори 4 у порожнині 1 лежать на найбільших протилежних паралельних сторонах поперечного перетину порожнини, нормального до напрямку потоку 14, які визначають довжину поперечного перетину 14. Приймач 9 електромагнітної енергії має конструкцію, яка забезпечує об'ємну взаємодію з електромагнітною енергією і при робочій температурі має глибину 13 проникнення прикладеної електромагнітної енергії 6, яка є не меншою за 1/3 ширини приймача електромагнітної енергії. Завдяки цьому мінімум 50% прикладеної електромагнітної енергії 6 досягає кожного півоб'єму приймача 9 електромагнітної енергії, де півоб'єм приймача електромагнітної енергії визначається як добуток ширини 12 взаємодії, довжини і протяжності приймача електромагнітної енергії. Ширина взаємодії дорівнює 1/2 ширини внутрішнього розміру порожнини 1. Конструкція приймача електромагнітної енергії забезпечує а) об'ємну взаємодію між прикладеною енергією 6 і приймачем 9 електромагнітної енергії і b) об'ємну взаємодію між прикладеною енергією 6 і газами-реагентами, забруднювачами і подрібненими компонентами. Прямокутна порожнина 1 не концентрує енергію своєю геометрією або прямокутною формою приймача електромагнітної енергії. Якщо приймач електромагнітної енергії виготовлений з однорідного матеріалу, його прямокутна форма оптично взаємодіє з прикладеною електромагнітною енергією 6, що надходить з отворів 4 у порожнині 1, таким чином, якби приймач електромагнітної енергії був плоскою лінзою. З іншого боку, якби геометрія поперечного перетину порожнини, нормального до напрямку потоку, і геометрія поперечного перетину приймача електромагнітної енергії, нормального до напрямку потоку, були круглими, а прикладена енергія надходила до порожнини такого типу з отворів, розташованих навколо периметра порожнини, то прикладена енергія мала б тенденцію концентруватись у круглому приймачі електромагнітної енергії. Згідно з винаходом, пристрій можна масштабувати лінійно відповідно до збільшення швидкості газових потоків без зміни глибини 13 проникнення приймача електромагнітної енергії. Лінійність масштабування досягається утриманням постійними ширини приймача 9 електромагнітної енергії і порожнини 1 з одночасним подовженням приймача електромагнітної енергії 9 і порожнини 1. Глибина 13 проникнення приймача електромагнітної енергії і ширина взаємодії 12 залишаються постійними. Для подачі більшої потужності до порожнини можна додати джерела енергії 7, хвилепроводи 8, 43 отвори 4 у порожнині 1 з одночасним подовженням порожнини, і вартість цього буде значно нижчою за вартість перебудови приймача електромагнітної енергії і його здатності взаємодіяти з прикладеною електромагнітною енергією для забезпечення об'ємної взаємодії між прикладеною енергією і приймачем електромагнітної енергії з порожниною нових розмірів і геометричної структури. Крім того, обробка потоків високої швидкості при тому ж розмірі порожнини порівняно з обробкою потоків невеликої швидкості потребує додаткових витрат на підвищення потужності електронних ламп, що генерують електромагнітну енергію. Іншим аспектом винаходу (фіг.3) є використання хвилепроводів 8, які перетинають поверхні порожнини 1 під непрямими кутами для збільшення отворів 4 у порожнині 1, що збільшує площу поверхні прикладення електромагнітної енергії 4 до приймача електромагнітної енергії. Крім того, використання хвилепроводів 8 дозволяє розташовувати джерело енергії 7 на віддалі від порожнини і цим зменшити шкідливу взаємодію між теплом і джерелом енергії 7. Розміри порожнини 1 можуть бути узгоджені з частотою прикладеної електромагнітної енергії і ТЕ і ТМ режимами прикладення електромагнітної енергії. Розмір порожнини можна коригувати згідно з бажаними ТЕ і ТМ режимами на певному енергетичному рівні, забезпечуючи цим більше однорідне нагрівання приймача електромагнітної енергії. Вхідний 2 і вихідний 3 отвори можуть відвертати виток прикладеної електромагнітної енергії 6 за допомогою перфорованого елемента, виготовленого з відбивного штучного діелектричного матеріалу, поляризаторів крос-нікелевої структури, кліток Фермі, атенюаторів або хвилеподібних каналів. Товщина стінки порожнини 1 визначається глибиною скін-ефекту матеріалу на прикладеній частоті або частотах і становить не менше трьох таких глибин. При декількох частотах електромагнітної енергії, прикладеної до порожнини, глибина скін-ефекту визначається для найнижчої частоти опромінювання. Вибір матеріалів конструкції для порожнини 1 залежить від робочих температур. Матеріалами можуть бути нержавіючі сталі, алюміній, алюмінієвий сплав, нікель, нікелевий сплав, інконель, вольфрам, вольфрамові сплави, алюмініди, силіциди, ванадієві сплави, феритова сталь, графіт, молібден, титан, титанові сплави, штучні діелектричні матеріали, здатні відбивати опромінювання, мідні сплави, ніобієві сплави, хромовий сплав, інконель, хроміл, алюмель, мідноконстантанові сплави і інші високотемпературні сплави. Для радіочастот можуть бути застосовані такі прозорі матеріали, як алюмінієві порцеляни, цирконієві порцеляни, літієві порцеляни, високотемпературні порцеляни, скло, глинозем, муліт, плавлений кремнезем, кварц, форстерит, стеатит, кордієрит, енстатит, BN, AIN, Si3N4, оксиди і інші полімери з низькими діелектричними і електричними втратами на прикладених частотах. Електромагнітна енергія однієї або більше частот може потрапити у порожнину через отвори 4 у стінках, суміжно до 94690 44 макроскопічного приймача електромагнітної енергії або бути каналізована через порожнину до цього приймач згори, знизу або через прозору термоізоляцію, суміжну до бічних стінок. Прикладена енергія може проходити через один або декілька отворів, що містять лампи, антену або електронні лампи, які є узгоджувачами або лінзами, щілевий хвилепровід або зигзагоподібні щілеві хвилепроводи. Прикладена енергія 6 може бути поляризованою лінійно, циркулярно або відбиттям, або розсіюванням. Опромінювання від декількох узгоджувачів може бути поляризоване таким чином, щоб забезпечити краще розподілення електромагнітної енергії у порожнині. Через отвори 4 можна проводити електромагнітну енергію декількох частот. Для хвилепроводів 8 частоти, які можуть проходити через них, визначається їх частотою зрізу. Якщо використовується лінза 5, для неї може бути проведена технічна корекція для отримання бажаного ефекту. Кривизна лінзи або лінз може бути коригована для концентрування або розсіювання електромагнітної енергії (конвергенції і дивергенції енергії). Товщину лінзи можна коригувати для усунення або значного зниження відбиття енергії назад до джерела опромінювання і захисту цим джерела від пошкодження. Для відбиття вибраних довжин хвилі назад у порожнину на лінзу може бути нанесене покриття. Матеріалами лінзи 5 можуть бути прозорі монокристали, полікристали і аморфні органічні і неорганічні матеріали високої чистоти (більше 99%) з низькими діелектричними константами, низькими діелектричними втратами, наприклад, алюмінієві порцеляни, цирконієві порцеляни, літієві порцеляни, високотемпературні порцеляни, скло, глинозем, муліт, плавлений кремнезем, кварц, форстерит, стеатит, кордієрит, енстатит, BN, AIN, Si3N4, оксиди і інші полімери, МgО, йодиди, броміди, полікарбонати і поліпропілен. Для розсіювання прикладеної енергії у порожнину можуть бути використані пористі матеріали, з пористістю, пристосованою для прикладеної енергії. Хвилепроводи 8 можуть бути рогоподібними або прямокутними, циліндричними або параболічної форми. Найкращою формою для хвилепроводу є прямокутна, яка перетинає поверхню порожнини під непрямим кутом (фіг.3), завдяки чому збільшується поперечний перетин отвору у порожнину і мінімізується зворотне відбиття від поверхні макроскопічного приймача електромагнітної енергії і/або ізоляції у хвилепровід, оскільки відбита енергія може потрапити назад до джерела 7, або знизити потужність 6 випромінювання з хвилепроводів 8. Іншим втіленням винаходу є процес теплопередачі, який ілюструється схемою на фіг.4. Згідно з винаходом, вхідні хімічні компоненти у потоці отримують тепло або попереднє підігрівання перед введенням у пристрій для термічної або іншої обробки, через теплообмін, який передає тепло до вхідних хімічних компонентів потоку від тепла, що генерується джерелом енергії. Цим джерелом може бути магнетрон, УФ лампа, 14 лампа або інший електронний пристрій, що генерує енергію 6. Такий 45 пристрій звичайно має низький ККД і виробляє тепло. Ця теплопередача для попереднього нагрівання вхідних хімічних компонентів потоку знижує операційні витрати у пристрої. Тепло від електронної лампи або електронних ламп може бути подане для теплообміну з потоком вхідних хімічних компонентів за допомогою ребер охолодження, які є на промислових магнетронах, теплових трубок, термоелектричних пристроїв, циркуляційних систем охолодження електронних ламп. Після попереднього нагрівання потоку вхідних хімічних компонентів теплом від електронних ламп, ці компоненти зазнають подальшого нагрівання через теплопередачу а) від стінок порожнини, b) від звичайного теплообмінника (рекуператора), розташованого на виході пристрою або с) як від стінок порожнини, так і від рекуператора. Теплообмін з штучним діелектричним пристроєм і іншими пристроями, що використовують електромагнітну енергію дозволяє підвищити енергетичний ККД пристрою, а також ККД промислових процесів за межами пристрою або у виробничому обладнання. Підвищення ККД знижує операційні витрати, а підвищення ККД поза пристроєм дає утилізацію теплової енергії, генерованої, пристроєм, для інших застосувань, наприклад (але не лише), для, нагрівання води для мийки у текстильному виробництві, нагрівання води для утворення пульпи, попереднього нагрівання повітря в вугільних електрогенераторних установках, для попереднього нагрівання повітря, метану або обох у газотурбінних електрогенераторах, для попереднього нагрівання аміаку у селективному некаталітичному відновленні (SNCR) оксидів нітрогену (NOx) і селективному каталітичному відновленні (SCR) оксидів нітрогену (NOx) і для попереднього нагрівання метану або іншої газоподібної органічної сполуки перед введенням у пристрій каталізу метану або інших газоподібних органічних компонентів до молекул високого порядку. Теплообмін (фіг.4) може включати додаткові операції, а саме, додатковий теплообмін, охолодження на виході хімічних компонентів потоку перед теплообміном з звичайним теплообмінником, повітряним охолоджувачем, тепловими трубками або іншими пристроями, і комбінування різних методів теплообміну для вхідниххімічних компонентів перед їх надходженням у пристрій обробки цих компонентів. Іншим аспектом винаходу є теплообмін з виконанням таких операцій: (1) теплообмін між джерелом електромагнітної енергії і вхідними хімічними компонентами потоку або частиною цих компонентів; (1а) вхідні хімічні компоненти або їх частина далі нагріваються через теплообмін між вихідними гарячими хімічними компонентами за допомогою звичайного трубчастого теплообміника, теплових трубок, повітряних охолоджувачів або інших засобів; (2) введення вхідних хімічних компонентів у потоці або їх частини у пристрій для обробки; і (3) виведення потоку хімічних компонентів з пристрою через теплообмінну систему. Перевагою такого способу теплообміну є те, що вимірювання температури охолодження навколо магнетронів у 94690 46 сталому режимі роботи пристрою, дає дані про зміну температури оточуючого повітря після теплообміну з магнетронними електронними лампами. Початкова температура оточуючого повітря від приблизно 80°F (27°C) підвищується до приблизно 130°F (54°C), що відповідає зміні на приблизно +50°F (27°C). Таке підвищення температури повітря забезпечує охолодження електромагнітного джерела, магнетронів. Без такого охолодження магнетрони перегріваються, знижують потужність і скорочують тривалість життя електронного пристрою або їх комбінації. При цьому теплообміні мають використовуватись опер. (1) і потім опер. (1а). Цей порядок виконання не можна змінити і при цьому забезпечувати необхідне охолодження електромагнітного джерела. Якщо поміняти місцями опер. (1а) і опер. (1), гази після теплообміну в опер. (1а) будуть занадто гарячими для належного теплообміну і охолодження електромагнітного джерела. Інші експериментальні дані підтримують цей порядок операцій. Температура вихідного потоку хімічних компонентів у робочих умовах перед вихідним теплообміном (опер.1а) перевищує 842°F (450°C). Теплообмін після опер. 1а підніме температуру вхідних газів занадто високо для ефективного охолодження електромагнітного джерела. Навіть якщо газоподібні вихідні хімічні компоненти піддати розширенню для зниження їх температури перед введенням у теплообмінник (опер. 1а), навряд, чи можна буде забезпечити ефективний теплообмін і бажаний баланс мас між вхідними і вихідними потоками хімічних компонентів. Іншим аспектом винаходу є теплообмін, який включає операції: (1) теплообміну між джерелом електромагнітної енергії і вхідним потоком хімічних компонентів або його частиною; (1а) подальшого нагрівання потоку вхідних хімічних компонентів або його частини через теплообмін між вихідним потоком гарячих хімічних компонентів у звичайному трубчастому теплообміннику, теплових трубках, повітряних охолоджувачах або в інших засобах; (2) введення вхідних хімічних компонентів або їх частини у пристрій для обробки; (3а) охолодження вихідного потоку хімічних компонентів на виході; і (3b) виведення хімічних компонентів через теплообмінну систему. В опер. (3а) вихідний потік хімічних компонентів може бути охолоджений різними засобами залежно від цілі. Охолодження в опер. (3а) можна здійснити розширенням газоподібних вихідних хімічних компонентів, використовуючи контур, що містить рідкі компоненти, які не контактують з вхідними або вихідними хімічними компонентами, або іншими методами. Опер. (3а) дозволяє застосувати у теплообміннику для опер. 1а дешевші конструкційні матеріали (1а). Такими матеріалами можуть бути алюміній, алюмінієві сплави тощо. Крім того, опер. (3а) дозволяє оптимізувати теплообмін обробляючим пристроєм для підвищення економічності промислового процесу або виробничого обладнання. Прикладами потенціальних економічних переваг є: текстильна промисловість - отримує користь від охолодження хімічних компонентів в опер. (3а), оскільки рідина використовується разом з гарячою водою для 47 промивання текстилю; електростанції на вугіллі повітря для підтримки горіння попередньо підігрівається опер. (3а); електростанції на газі - попереднє підігрівання метану і повітря в опер. (3а). Ще одним аспектом винаходу є теплообмін, який включає операції: (1b) теплообміни між джерелом електромагнітної енергії і частиною вхідного потоку хімічних компонентів; (1с) інша частина вхідного потоку хімічних компонентів далі підігрівається через теплообмін між вихідним гарячим потоком хімічних компонентів у звичайному трубчастому теплообміннику, теплових трубках, повітряних охолоджувачах або в інших засобах; (1d) всі вхідні хімічні компоненти потоку змішуються перед надходженням у пристрій для обробки; (2) весь потік вхідних хімічних компонентів вводять у пристрій для обробки; і (3) вихідні хімічні компоненти виводять через теплообмінну систему. За необхідності у процес може бути додана опер. (3а), описана вище. Іншим втіленням винаходу є структура газопроникного приймача 9 електромагнітної енергії. У винаході втілено макроскопічну штучну діелектричну структуру для газопроникного приймача 9 електромагнітної енергії. Такий газопроникний макроскопічний приймач електромагнітної енергії з штучного діелектрика може мати стільникову, пінну або плетену тканинну структуру, або структуру, що складається з окремих приймачів електромагнітної енергії, який названо тут одиничними приймачами електромагнітної енергії. Винахід втілює газопроникний макроскопічний приймач електромагнітної енергії з штучного діелектрика, що дозволяє прикладеній електромагнітній енергії 6 проникнути на відстань між переважно відбивними компонентами, якими можуть бути окремий приймач електромагнітної енергії, структура покриття або плетена структур, які не утворюють сукупності хвилепроводів з частотами зрізу, які б заважали прикладеній енергії 6 проникати на ширину взаємодії 12. Газопроникний макроскопічний приймач електромагнітної енергії з штучного діелектрика втілює а) вирів з конструкційного матеріалу, на який у певному порядку укладено покриття для створення з цього покриття макроскопічну штучну діелектричну структуру і b) плетену структуру, яка має нитки з двох або більше різних матеріалів, сплетені для утворення макроскопічної штучної діелектричної структури або с) структуру, що складається з суміші окремих елементів - приймачів електромагнітної енергії, яка містить окремі елементи з різними діелектричними властивостями, які оточують один одного, утворюючи макроскопічну штучну діелектричну структуру. Згідно з винаходом, газопроникна макроскопічна штучна діелектрична структура має елемент з стільниковою структурою конструкційного матеріалу, в якій стінки деяких комірок стільника можуть мати покриття з матеріалів, що мають різні діелектричні властивості, і утворювати макроскопічний штучний діелектрик. Структура комірок з покритими стінками у стільнику є такою, що прикладена електромагнітна енергія і енергія проходить у приймальну структуру і або нагріває приймач електромагнітної енергії, або розсіює цю енергію для 94690 48 взаємодії з газами/подрібненими компонентами у повітряному потоці. Така структура стінок комірок послаблює прикладену електромагнітну енергію а) частковим або повним поглинанням цієї енергії, генеруючи флуоресцентне випромінювання для нагрівання решти частин приймача електромагнітної енергії і повітряного потоку, або b) частковим або повним розсіюванням прикладеної енергії і концентруванням прикладеної енергії для взаємодії з повітряним потоком або для нагрівання решти об'єму приймача електромагнітної енергії. Макроскопічний штучний діелектрик може бути виготовлений з стільникових структур заповненням деяких комірок іншим матеріалом. Крім того втіленням винаходу є 1) велика стільникова макроскопічна штучна діелектрична структура, побудована з менших окремих приймачів електромагнітної енергії, які є невеликими елементами з стільниковою структурою з різними діелектричними властивостями і/або провідностями або 2) менші окремі приймачі електромагнітної енергії з стільниковою структурою, які мають однакові діелектричні властивості і зцементовані з матеріалом з іншими діелектричні властивостями і/або провідністю. Винахід також включає однакові або подібні методи створення стільникових макроскопічних штучних діелектриків для побудови макроскопічних штучних діелектриків з піни і плетіння. В одному з втілень макроскопічний приймач електромагнітної енергії з штучного діелектрика є конструкційною структурою, складеною з одиничних приймачів електромагнітної енергії і призначеною для комплексної взаємодії з прикладеною енергією або енергіям, як це було описано у Прикладі 3. Потенційно кожний одиничний приймач електромагнітної енергії може мати індивідуальні характеристики поглинання, передачі, розсіювання і відбиття 1) прикладеної електромагнітної енергії або енергій, 2) подальшого флуоресцентного випромінювання, породженого прикладеною електромагнітною енергією або енергіями, і 3) подальшого теплового випромінювання, викликаного діелектричними втратами у кожному приймачі електромагнітної енергії. Індивідуальні характеристики поглинання, передачі, розсіювання і відбиття одиничного приймача електромагнітної енергії згідно з винаходом визначаються довжиною, товщиною, формою, композитними матеріалами структури, пористістю, розмірами пор, температурною залежністю комплексної діелектричної константи і теплопровідністю обраних матеріалів у цьому приймачі. Фіг.5 ілюструє структуру макроскопічного приймача 15 електромагнітної енергії з штучного діелектрика, використовуючи двомірний масив квадратів, що репрезентують одиничні приймачі електромагнітної енергії. Хоча оптичні властивості кожного одиничного приймача електромагнітної енергії у цьому втіленні структури макроскопічного приймача 15 електромагнітної енергії з штучного діелектрика можуть бути незалежними, ця структура макроскопічного приймача 15 електромагнітної енергії буде визначати взаємодію цього макроскопічного приймача електромагнітної енергії з прикладеною електромагнітною енергією 6. Струк 49 тура макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучного діелектрика може бути описана як сукупність одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії, які є переважно відбивними. Згідно з винаходом, газопроникний макроскопічний приймач 15 електромагнітної енергії з штучного діелектрика втілює принцип відбиття для створення дифузного відбиття, розсіювання, як засобів, що забезпечують проникнення прикладеної енергії 6 на ширину 12 взаємодії у приймачі 9 електромагнітної енергії для об'ємної взаємодії з цим приймачем 9 і для здійснення бажаного метода реакційної обробки газів з отриманням бажаних продуктів або для забруднювачів і постачання чистого повітря для довкілля. У цьому втіленні відбивна здатність макроскопічного приймача 15 електромагнітної енергії з штучного діелектрика визначається об'ємом і взаємозв'язністю одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії, які є переважно відбивними одиничними приймачами електромагнітної енергії у цьому макроскопічному приймачі. Переважно відбивними одиничними приймачами 16 електромагнітної енергії є одиничні приймачі електромагнітної енергії, які переважно відбивають прикладену енергію 6 або енергії. Газопроникний макроскопічний приймач електромагнітної енергії з штучного діелектрика містить переважно відбивні одиничні приймачі 16 електромагнітної енергії, оточені одиничними приймачами 17 електромагнітної енергії, які є переважно прозорими або частково абсорбційними для прикладеної енергії або енергій. Переважно відбивні одиничні приймачі 16 електромагнітної енергії розсіюють прикладену енергію 6 у приймачі 9 електромагнітної енергії, концентруючи прикладену енергію для взаємодії з а) переважно прозорими або частково абсорбційними одиничними приймачами 17 електромагнітної енергії або b) газами-реагентами, забруднювачами або подрібненими компонентами. З збільшенням об'єму переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії у газопроникному макроскопічному приймачі 15 електромагнітної енергії з штучного діелектрика виникає певний рівень взаємозв'язності переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії з утворенням мережі взаємозв'язків у цьому газопроникному макроскопічному приймачі 15 (фіг.6). Рівень і кількість взаємозв'язків залежать від розмірів і форми переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії. Здатність прикладеної енергії 6 або енергій проникати у макроскопічний приймач 15, 9 електромагнітної енергії з штучного діелектрика залежатиме не лише від об'єму переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії, але також від рівня і кількості взаємозв'язків. Коли рівень взаємозв'язків переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії в усьому газопроникному макроскопічному приймачі 15, 9 електромагнітної енергії з штучного діелектрика стає таким, що максимальна відстань у мережі взаємозв'язків 18 переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії не дозволяє прикладеній енергії 6 або енергії з найдовшою 94690 50 хвилею проникати у газопроникний макроскопічний приймач 15, 9 електромагнітної енергії з штучного діелектрика, він сам стає переважно відбивним до а) прикладеної електромагнітної енергії або b) прикладеної енергії з найбільшою довжиною хвилі, і тоді об'ємна взаємодія між прикладеною енергією 6 і приймачем 9 електромагнітної енергії припиняється. Об'єм приймача 9 електромагнітної енергії, визначений множенням ширини взаємодії 12, на довжину і на протяжність цього приймача електромагнітної енергії не досягає 50% прикладеної електромагнітної енергії, розподіленої у цьому об'ємі. Одним з втілень винаходу є газопроникний приймач електромагнітної енергії з макроскопічною штучною діелектричною структурою, який забезпечує прикладеній електромагнітній енергії 6 здатність проникати на відстань 18 між переважно відбивними одиничними приймачами 16 електромагнітної енергії, уможливлюючи об'ємну взаємодію у приймачі 9 електромагнітної енергії 9. Втілення винаходу можуть бути застосовані для стільникових, плетених і пінних структур з відбивним покриттям, накладеним на ці структури, або для структур, побудованих з менших елементів, які є переважно відбивними одиничними приймачами електромагнітної енергії. Винахід забезпечує високий рівень взаємозв'язності переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії, і це у деяких випадках може бути перевагою. Винахід передбачає використання груп переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії, розподілених у макроскопічному штучному приймачі електромагнітної енергії для сприяння розсіюванню. Переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії можуть бути агреговані, утворюючи форми і границі, здатні відбивати прикладену енергію або енергії на одній або декількох довжинах хвилі. У винаході використані макроскопічні штучні діелектричні структури для газопроникного приймача 9 електромагнітної енергії, де об'єм фракції і взаємозв'язність відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії, які оточують частково абсорбційні або переважно прозорі одиничні приймачі 17 електромагнітної енергії 17, які є засобом побудови конкретних макроскопічних штучних діелектричних структур а) для створення резонансних порожнин з урахуванням довжини хвилі прикладеної енергії у приймачі електромагнітної енергії, b) для розсіювання енергії для взаємодії з газом або подрібненими компонентами, с) для концентрування енергії у концентраторах поля, розташованих на інших одиничних приймачах електромагнітної енергії, d) для концентрування енергії усередині приймачів електромагнітної енергії для підвищення реактивності між газовим потоком і флуоресцентним випромінюванням, e) щоб мати переважно відбивні одиничні приймачі електромагнітної енергії, структуровані так, щоб утворити великі хіральні, спіральні або інші форми разом з макроскопічним приймачем електромагнітної енергії, f) для створення екрану для прикладеної електромагнітної енергії проти проникнення у матері 51 ал усередині порожнини для термоізоляції, g) щоб відвернути виток прикладеної енергії з порожнини, h) для відбиття прикладеної енергії до інших зон штучного діелектрика для створення високих температур або підвищення енергії, що прискорює реакцію або сприяє знищенню газоподібних/подрібнених компонентів, і і) для регулювання температури газового потоку. Об'єктом винаходу є також газопроникний приймач 9 електромагнітної енергії з макроскопічною штучною діелектричною структурою, який використовує відбиття, розсіювання і концентрацію прикладеної електромагнітної енергії як засоби а) проведення реакції газів для бажаних продуктів або обробки забруднювачів і постачання чистого повітря для довкілля, b) регулювання температури повітряного потоку, с) відвертання перегрівання пристрою, d) відвертання руйнівних реакцій між матеріалами конструкції, e) нагрівання газового потоку, f) створення пристрою значних розмірів для адсорбції і регенерації газоподібних компонентів з суміші карбоновмісних і цеолітовмісних приймачі електромагнітної енергії і g) забезпечення співвідношення між самообмеженою температурою і концентрацією потужності прикладеної енергії або енергій для реалізації бажаних функцій. Винахід стосується переважно одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії, виготовлених з металевих або міжметалевих компонентів для кімнатної температури або з таких матеріалів, як напівпровідники, фероелектрики, феромагнетики, антифероелектрики і антиферомагнетики, які стають відбивними при підвищених температурах. Такі матеріали в одиничних приймачах електромагнітної енергії, здатні відбиватися а) однорідними матеріалами, b) композитними матеріалами, що мають вториннофазні матеріали у матриці, яка є частково абсорбційною для прикладеної електромагнітної енергії, причому об'єм фракції вториннофазних матеріалів може бути використаний для кількісного контролю відбиття одиничного приймача електромагнітної енергії, або с) покриттям на одиничному приймачі електромагнітної енергії. Згідно з винаходом, довжина, ширина і форма переважно відбивних одиничних приймачів 16 електромагнітної енергії і відстань 18 між ними визначають відбивну здатність газопроникного макроскопічного приймача електромагнітної енергії з штучного діелектрика. Форма одиничного приймача електромагнітної енергії може бути конструктивно пристосована для відбиття. Згідно з винаходом, форма одиничного приймача електромагнітної енергії може бути хіральною, сфероподібною, спіральною, стрижневою, голчастою, сферичною, еліпсоїдною, дисковою, неправильною, пластинчастою або голкоподібною або мати вигляд вигнутих спагеті типу Muller's Spaghetti і Creamette. Форма одиничного приймача електромагнітної енергії створює турбулентності у повітряному потоці, сприяючи цим перемішуванню реагентів у газовому або рідинному потоці. Форма і розмір приймача електромагнітної енергії можуть визначати розмір пор у приймачі електромагнітної 94690 52 енергії відповідно до розширення газу при проходженні через гарячу зону. Іншим втіленням винаходу є одиничний приймач 19 електромагнітної енергії (фіг.7). Такі приймачі 19 можуть утворювати газопроникний макроскопічний приймач 15 електромагнітної енергії з штучного діелектрика. Форма одиничних приймачів електромагнітної енергії 19 може бути хіральною, сфероподібною, спіральною, стрижневою, голчастою, сферичною, еліпсоїдною, дисковою, неправильною, голкоподібною або мати вигляд вигнутих спагеті типу Muller (rotini). Приймач 19 електромагнітної енергії може бути побудований з штучного діелектричного матеріалу, виготовленого з однорідного матеріалу або мати покриття одиничних приймачах електромагнітної енергії, виготовлене з однорідного або штучного діелектричного матеріалу. Довжина одиничного приймача 19 електромагнітної енергії має перевищувати 0,25 дюймів (6 мм), а ширина перевищувати 1/16 дюйма (1,6 мм). Поглинання, передачу, відбиття, розсіювання і комплексну діелектричну константу одиничного приймача 19 електромагнітної енергії можна контролювати, використовуючи штучні діелектричні матеріали. Фіг.7 ілюструє структуру одиничного приймача 19 електромагнітної енергії, виготовленого з штучного діелектричного матеріалу. Приймач 19 містить матеріал 20 матриці, яка включає вториннофазний матеріал 21 або третиннофазний матеріал 12. Метою використання штучного діелектричного матеріалу для одиничного приймача 19 електромагнітної енергії є отримання переважно відбивного одиничного приймача 16 електромагнітної енергії. Відбивна здатність такого приймача 16 може визначатись розмірами, об'ємом фракції і формою вториннофазного матеріалу 21 або третиннофазного матеріалу 12. Коли об'єм фракції вториннофазних матеріалів перевищує 50%, вони можуть утворювати мережу взаємозв'язків вториннофазних матеріалів з відбивною здатністю, що відповідає значним об'ємам фракції. Форма вториннофазного матеріалу може бути хіральною, сфероподібною, спіральною, стрижневою, голчастою, сферичною, еліпсоїдною, дисковою, неправильною або голкоподібною. Згідно з винаходом, вториннофазний матеріал 21 належить до групи матеріалів, яку утворюють напівпровідники, провідники, феромагнетики, фероелектрики, феримагнетики і антифероелектрики. Згідно з винаходом, розміри часток вториннофазного матеріалу мають відповідати ситу меш 325 US або менше (тобто менше 46 мкм). Такі малі частки використовуються тому, що вони швидко поглинають електромагнітну енергії, підвищуючи температуру до дуже високих значень, при яких матеріал часток стає високопровідним і/або температура перевищує точку Кюрі, і це робить одиничний приймач електромагнітної енергії відбивним. Згідно з іншим втіленням винаходу незбіг термічного розширення між вториннофазним матеріалом 21 і матрицею 20 не перевищує 15%, що запобігає виникненню крихкості одиничного приймача 19 електромагнітної енергії. 53 Ще одним втіленням винаходу є зменшення розбіжності у термічному розширенні вториннофазного матеріалу 21 одиничного приймача електромагнітної енергії з такою ж кристалічною структурою і базового матеріалу матриці 20. Вториннофазний матеріал 21 легують на решітчастій структурі катіоном або аніоном для підвищення електропровідності цього матеріалу для значного зниження розбіжності у термічному розширенні між матрицею 20 і вториннофазним матеріалом 21. В іншому втіленні винаходу розмір часток вториннофазного матеріалу 21 в одиничному приймачі 19 електромагнітної енергії становить від 200 мкм до 3 мм, якщо існує загроза руйнівної хімічної реакції між матрицею 20 і вториннофазним матеріалом 21. Для композитних матеріалів в одиничному приймачі електромагнітної енергії можуть бути використані такі комбінації матеріалів, що окремі з них генерують термолюмінесцентне, накалювальне і фосфоресцентне випромінювання. Іншим втіленням винаходу є використання концентраторів 22 поля на одиничних приймачах 19 електромагнітної енергії (фіг.8). Згідно з винаходом, концентратори 22 поля локально концентрують електромагнітне поле для отримання високої інтенсивності поля і поліпшення його здатності взаємодіяти з газоподібними/подрібненими компонентами для проведення хімічної реакції, прискорення реакції між хімічними компонентами або для обробки забруднювачів. Матеріалами для концентраторів 22 поля можуть бути а) провідники, b) напівпровідники, с) матеріали з точкою Кюрі, d) іонопровідна кераміка, e) композитні матеріали з а і с, f) композитні матеріали з b і с, д) композитні матеріали з а і d, і h) композитні матеріали з b і d. Форма концентраторів 22 поля може бути хіральною, сфероподібною, спіральною, стрижневою, голчастою, сферичною, еліпсоїдною, дисковою, неправильною, пластинчастою або голкоподібною або у вигляді зубців з гострими кінцями. Згідно з винаходом, розмір концентраторів 22 поля встановлюється таким, щоб відвернути руйнівну хімічну реакцію між концентраторами 22 поля і одиничним приймачем 19 електромагнітної енергії, тобто цей розмір має у 1 - 10 разів перевищувати глибину проникнення прикладеної електромагнітної енергії у матеріали конструкції як при кімнатній, так і при робочій температурі. Цей розмір залежить від хімічної сумісності між конструкційними матеріалами концентраторів поля і одиничних приймачів електромагнітної енергії, конструкції. Якщо загроза руйнівної реакції між одиничним приймачем електромагнітної енергії і концентратором поля є незначною, розмір концентратор поля має бути у 1 - 10 разів більшим за глибину проникнення при робочій температурі. Якщо така загроза є значною, то для відвернення такої реакції розмір концентратор поля має становити від 200 мкм до 4 мм. Крім того, у винаході використане бар'єрне покриття 23 між концентраторами 22 поля і одиничним приймачем 19 електромагнітної енергії, яке запобігає руйнівній хімічній реакції між концентратором поля і одиничним приймачем електромагні 94690 54 тної енергії. Згідно з винаходом, матеріали для концентраторів 22 поля включають 1) термолюмінесцентний матеріал, 2) фосфоресцентний матеріал, 3) накалювальний матеріал, 4) фероелектрик, 5) феромагнетик, 6) феримагнетик, 7) МnО2, 8) ТіО2, 9) CuO, 10) NiO, 11) Fe2O3, 12) Cr2O3, 13) U2O, легований MnO2, 14) Lі2О, легований CuO, 15) Li2O, легований NiO, 16) комплекс CuO-MnO2Li2O, 17) CuO-MnO2, 18) силіцид, 19) бориди, 20) алюмініди, 21) нітриди, 22) карбіди, 23) керамічні глазурі з металевими частками, 24) керамічні глазурі з напівпровідними частками, 25) матеріали, що генерують термоіонну емісію, і 26) термоелектричні матеріали. Винахід включає продукування озону концентраторами 22 поля на одиничному приймачі 19 електромагнітної енергії (фіг.8). Коли відстань (проміжок) 23 між двома концентраторами 22 поля, виготовленими з провідних або напівпровідних матеріалів, стає такою, що прикладене електромагнітне поле 6 може викликати локальний іскровий розряд, у локалізованому полі утворюється озон. Винахід також включає утворення озону на поверхні одиничного приймача 19 електромагнітної енергії 19, виготовленого з штучних діелектричних матеріалів (фіг.7), причому іскра виникає у проміжку 24 між відкритими поверхнями вториннофазного матеріалу 21 з утворенням озону. Згідно з винаходом, озон може утворюватись при підвищених температурах, коли об'єм фракції вториннофазного матеріалу 21 перевищує 20%. Винахід також включає продукування озону електричними розрядами а) між двома одиничними приймачами 19 електромагнітної енергії поблизу концентраторів 22т поля, b) між відкритими поверхнями вториннофазних матеріалів 21, якщо два одиничні приймачі електромагнітної енергії розташовані близько один до одного, і с) між двома одиничними приймачами 19 електромагнітної енергії, якщо один з них, має концентратор 22 поля, а другий має відкриту поверхню вториннофазного матеріалу 21. Наведений опис відповідає найкращому відомому режиму робот і є лише ілюстративним. Фахівець може модифікувати описані процеси згідно з концепціями і об'ємом винаходу, визначеними у Формулі винаходу. Концентратори поля Винахід передбачає різні розташування концентраторів поля у приймачі електромагнітної енергії. Приймач електромагнітної енергії може бути макроскопічним приймачем 15 електромагнітної енергії або одиничним приймачем 19 електромагнітної енергії. Згідно з фіг.9, концентратор поля може знаходитись на поверхні приймача 22 електромагнітної енергії, бути заглибленим у цю поверхню 22а, або бути вбудованим у матрицю 22b приймача електромагнітної енергії. У приймачі електромагнітної енергії можуть бути використані комбінації цих розташувань концентраторів поля для створення локальних електричний полів. Коли концентратор поля 22b вбудований у матрицю 20 у приймачі електромагнітної енергії, він має бути виготовлений з матеріалу з належною діелектричною проникністю і проникністю для прикладеної електромагнітної енергії, достатніми для створен 55 ня вбудованим концентратором поля 22b локального поля навколо поверхні приймача електромагнітної енергії. Приймач електромагнітної енергії може мати декілька концентраторів поля. Згідно з фіг.7, нематричний матеріал 21, заглиблений у поверхню приймача 19 електромагнітної енергії, може працювати як концентратор поля і, як уже відзначалось, продукувати озон. Крім того, якщо концентратор поля знаходиться на поверхні 22 або заглиблений у поверхню 22а приймача електромагнітної енергії, цей приймач можна виготовляти з однорідного, а не композитного матеріалу. Цей однорідний матеріал може бути відбивним для прикладеної електромагнітної енергії, бути ізолятором, матеріалом з точкою Кюрі, матеріалом з діелектричними втратами або матеріалом, що поглинає щонайменше частину прикладеної електромагнітної енергії. Згідно з іншим аспектом цього втілення, відбивний нематричний матеріал 21b може бути використаний для відбиття прикладеної електромагнітної енергії до концентратора поля для підсилення локального електричного поля. Відбивний нематричний матеріал 21b (фіг.9) є переважно відбивним для прикладеної електромагнітної енергії при кімнатній температурі або стає відбивним до прикладеної електромагнітної енергії при температурі вище кімнатної. Винахід також стосується способу локальної концентрації прикладеного електричного поля для прискорення хімічної реакції, який включає розподілення індивідуальних концентраторів поля по місцях розташування, вибраних з групи, яку складають розташування на поверхні підложки, заглиблення у підложку, заглиблення на поверхні підложки, причому індивідуальні концентратори поля характеризуються матеріалом і формою, здатними створювати локально концентроване електричне поле поблизу концентратора поля через взаємодію між концентратором поля і прикладеним електричним полем. Форма індивідуального концентратора поля може бути вибрана з групи, яку складають хіральна форма, сфероподібна форма, циліндрична форма, трубчаста форма, спіральна форма, стрижнеподібна форма, пластинчаста форма, голчаста форма, сферична форма, еліпсоїдальна форма, дископодібна форма, неправильна форма, голкоподібна форма, кручена форма і форма, кручена як pasta rotini. Бажаний розмір індивідуального концентратора поля становить від 1 нм до 1 м. Матеріал для індивідуального концентратора поля бажано вибирати з групи, яку складають матеріали, здатні створювати електричне поле, халькогеніди, металевий сплав, кристалічний матеріал у твердому розчині, базований на Fe сплав, сплав дорогоцінних металів, штучний діелектрик, штучний діелектричний матеріал, в якому об'єм фракції нематричних компонентів становить менше 50% об'єму, штучний діелектричний матеріал, в якому об'єм фракції нематричних компонентів становить не менше 50% об'єму, матеріал, що генерує термоіонне випромінювання, термоелектричний матеріал, металокераміка, композитний матеріал, 94690 56 органічний полімерний матричний композит, керамічний матричний композит, металевий матричний композит, співполімер, сплав Co, сплав Ni, антиферомагнетик, антифероелектрик, парамагнетик, матеріал з точкою Кюрі, скляний матеріал, металевий матеріал, феримагнетик, фероелектрик, феромагнетик, напівпровідник, провідник, твердий іонний провідник, нестехіометричний карбід, нестехіометричний оксид, оксикарбід, оксинітрид, карбонітрид, міжметалевий матеріал, гідроксид, термолюмінесцентний матеріал, флуоресцентний матеріал, борид, матеріал з низькою діелектричною константою і низькими діелектричними втратам, матеріал з високою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, Fe, Co, Ni, силіцид, нітрид, алюмінід, матеріал з високою діелектричною константою і високими діелектричними втратами, матеріал з високою діелектричною константою і помірними діелектричними втратами, карбід, оксид, анатаза, сульфід, сульфат, карбонат, FeO, CuO Cu2O, MnO2 Mn2O5, NiO, Fe2O3, Fe3O4, U2O-NiO, TiO2, легований дивалентним катіоном, ТіО2, легований тривалентним катіоном, +4 Fe2O3, легований Тi , CuO-MnO2, Cu2O-MnO2, U2O-Cu2O, Li2O-CuO, Li2O-MnO2, SiC, WC, TiC, ТiСх-уOу, ТіС1-х, ТіО2, нестехіометричний оксид титану, ТіО, Ті2О3, нестехіометричний оксид цирконію, бета-глинозем, альфа-глинозем, Na-бетаглинозем, Li-бета-глинозем, (Nа,Li)-бета-глинозем, карбон, графіт, ZnO, CuS, FeS, CoO, алюмінат кальцію, деревне вугілля, Ni, Co, Fe, сплав NiFe, MgTiO3, MnTiO3, NiTiO3, CoTiO3, FeTiO3, LiNbO3, MnTiO3-x, NiTiO3-x, МgТіО3-x, СоТіО3-x, FeTiO3-x, матеріал р-типу, матеріал n-типу, легований катіоном домінантний матеріал р-типу, леговані аніоном домінантні матеріали р-типу, легований катіоном матеріал n-типу, легований аніоном матеріал nтипу, метал, аморфний матеріал і нестехіометричний нітрид. Між підложкою і концентратором поля може бути укладене покриття, яке може вибране з групи, яку складають покриття з каталізатором для каталізу, покриття, що відвертає руйнівну реакцію між матеріалами концентратора поля і приймача електромагнітної енергії, адгезивне покриття для закріплення концентратора поля на приймачі електромагнітної енергії, покриття для електричної ізоляції між матеріалами концентратора поля і приймача електромагнітної енергії, покриття, що створює сильне локальне електричне поле і має високу діелектричну константу і низькі діелектричні втрати, покриття, що створює сильне локальне електричне поле і має помірні діелектричну константу і діелектричні втрати, напівпровідникове покриття, яке генерує тепло завдяки концентрації поля концентратором поля, і їх комбінації. Підложку бажано виготовляти з діелектричного матеріалу з низькими втратами, вибраного з групи, яку складають кремнезем, алюмосилікатна кераміка, магнієва алюмосилікатна кераміка, силікат магнію, силікат кальцію, алюмосилікат кальцію, глина, цеоліт, оксид магнію, сіалон, оксинітрид, неорганічне скло, органічне скло, органічний полімер, кристалічний органічний полімер, полімерний композит, кордієрит, енстатит, форстерит, стеатит, 57 нітрид, порцеляна, високотемпературна порцеляна, скляна кераміка, фазороздільне скло, літієвий алюмосилікат, Teflon, органічний співполімер, полікарбонат, поліпропілен, полістирол, поліетилен, поліестер, політетрафторетилен і їх комбінації. Підложку також можна виготовляти з матеріалів, вибраних з групи, яку складають аморфні матеріали, полікристалічні матеріали, антиферомагнетики, антифероелектрики, парамагнетики, штучні діелектрики, штучні діелектричні матеріали, в яких об'єм фракції нематричних компонентів становить менше 50% об'єму, штучний діелектричний матеріал, в якому об'єм фракції нематричних компонентів становить не менше 50% об'єму, матеріал, що генерує термоіонне випромінювання, термоелектричний матеріал, металокераміка, композит, матеріал з точкою Кюрі, скляний матеріал, металевий матеріал, феримагнетик, фероелектрик, феромагнетик, термохроматичний матеріал, фотохроматичний матеріал, напівпровідник, провідник, твердий іонний провідник, нестехіометричний карбід, нестехіометричний оксид, оксикарбід, оксинітрид, карбонітрид, міжметалевий матеріал, гідроксид, нестехіометричний нітрид, термолюмінесцентний матеріал, нестехіометрична ільменітна структура, флуоресцентний матеріал, борид, матеріал з низькою діелектричною константою і низькими діелектричними втратам, матеріал з високою діелектричною константою і низькими діелектричними втратами, оксид, силіцид, нітрид, алюмінід, матеріал з високою діелектричною константою і високими діелектричними втратами, матеріал з високою діелектричною константою і помірними діелектричними втратами, карбід, оксид, анатаза, сульфід, сульфат, карбонат, скляна кераміка, фазороздільне скло, іонний провідник, каталізатор, матеріал, який отримують термообробкою глиномінералу протягом належного часу і при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і нижче температури (протягом належного часу), яка перешкоджає повному перетворенню глинистого матеріалу у незворотні кристалічні і/або скляні фази, матеріал, який отримують термообробкою тальку протягом належного часу і при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і нижче температури (протягом належного часу), яка перешкоджає повному перетворенню тальку у незворотні кристалічні і/або скляні фази, матеріал, який отримують термообробкою цеоліту протягом належного часу і при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і нижче температури (протягом належного часу), яка перешкоджає повному перетворенню цеолітного матеріалу у незворотні кристалічні і/або скляні фази, матеріал, який отримують термообробкою Brucite протягом належного часу і при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і нижче температури (протягом належного часу), яка перешкоджає повному перетворенню Brucite у незворотні кристалічні і/або скляні фази, матеріал, який отримують термообробкою Gibbsite протягом належного часу і при температурі вище температури видалення кристалізаційної води і нижче температури (протягом належного часу), яка перешкоджає повному 94690 58 перетворенню цього глинистого матеріалу у незворотні кристалічні і/або скляні фази, і їх комбінації. Бажаний глиномінерал вибирають з групи, яку складають монморильоніт, пластична глина іліт, дикіт, алоїт, слюда, цеоліт, коалініт, ілітна глина, пірофоліт, енделіт, бентоніт, хлорит і їх комбінації. Відстань між будь-якими двома концентраторами поля відвертає утворення іскри. Концентрація поля може бути використана для виконання функцій, вибраних з групи, яку утворюють: проведення хімічних реакцій, сприяння хімічним реакціям, полімеризація, сприяння полімеризації, сприяння каталізу, агломерація або комбінація цих функцій, причому реакція відбувається у фізичних фазах матеріалу, вибраних з групи, яку складають плазма, газ, твердий стан, рідина, рідина, що містить подрібнені компоненти, і їх комбінації. Бажаний розмір індивідуальних концентраторів поля має бути меншим 20-разової глибини проникнення щонайменше однієї довжини хвилі прикладеної електромагнітної енергії у матеріал, з якого виготовлений індивідуальний концентратор поля. Бажане використання концентрації поля може бути вибране з групи, яку складають риформінг гідрокарбону, активування полімеризації, відновлення оксидів нітрогену до нітрогену (N2), відновлення NO до нітрогену (N2), відновлення NO2 до NO, відновлення NО2 до нітрогену (N2), відновлення SOX до сульфуру (S), відновлення SO3 до SO2, відновлення SO4 до SO2, відновлення SO3 до SO2, проведення хімічного синтезу, уможливлення стерилізації, розщеплення гідрокарбону, зниження енергії активації хімічного процесу, окислення леткої органічної сполуки до діоксиду карбону і води, окислення моноксиду карбону до діоксиду карбону, синтез фармацевтичних препаратів, відновлення NOx у присутності гідрокарбонів, синтез біодизельного палива, риформінг гідрокарбону з гідрогеновими донорними компонентами у присутності Н2О, риформінг гідрокарбону з метаном у присутності Н2О, риформінг гідрокарбону у присутності метану, води і діоксиду карбону, риформінг гідрокарбону у присутності метану, води, гідрогену і діоксиду карбону, риформінг гідрокарбону у присутності гідрогену і метану, полімеризація гідрокарбону у присутності галогенідів металу, відновлення оксидів нітрогену у присутності аміаку, відновлення оксидів нітрогену у присутності амонієвих сполук, обробка забруднювачів для отримання чистого повітря, яке можна вивільнити у довкілля, окислювальне і неокислювальне розщеплення зв'язку у гідрокарбоні, причому реакція відбувається у фізичних фазах матеріалу, вибраних з групи, яку складають плазма, газ, твердий стан, рідина, рідина, що містить подрібнені компоненти, і їх комбінації. Спосіб концентрації поля реалізується в атмосфері, яку бажано вибирати з групи, яку складають відновлювальна атмосфера, окислювальна атмосфера, атмосфера під тиском 1 ат, атмосфера під тиском нижче 1 ат, атмосфера під тиском вище 1 ат і їх комбінації. 59 Електронні властивості матеріалу концентраторів поля бажано вибирати з групи, яку складають матеріал р-типу, матеріал n-типу, легований катіоном домінантний матеріал р-типу, легований аніоном домінантний матеріал р-типу, легований катіоном домінантний матеріал n-типу, легований аніоном домінантний матеріал n-типу і їх комбінації. Електромагнітні властивості матеріалу концентраторів поля матеріал залежать від кристалічного дефекту. Дефект бажано вибрати з групи, яку складають внутрішній дефект, зовнішній дефект, дефект, викликаний заміщенням катіону, дефект, викликаний заміщенням аніону, і їх комбінації. Згідно з способом винаходу, для концентрації поля температуру бажано вибирати з групи умов роботи, яку складають температура вище точки Кюрі для всіх матеріалів концентраторів поля, температура нижче точки Кюрі для всіх матеріалів концентраторів поля, температура вище точки Кюрі лише для нематричного матеріалу, температура вище точки Кюрі лише для матричного матеріал, температура вище точки Кюрі для всіх матеріалів приймачів електромагнітної енергії внаслідок підвищення поглинання, температура вище точки Кюрі для нематричних матеріалів внаслідок підвищення поглинання, температура вище точки Кюрі для матричного матеріалу внаслідок підвищення поглинання, температура вище температури втрати термічного контролю (критичної температури) над щонайменше однією з складових фаз, температура вище температури втрати термічного контролю (критичної температури) над усіма складовими фазами, температура нижче температури активування провідності внутрішніх компонентів діелектрика в усіх фазах, температура вище температури активування провідності щонайменше одного внутрішнього компонента діелектрика в усіх фазах, температура нижче температури активування провідності всіх внутрішніх компонентів діелектрика, температура вище температури активування провідності всіх внутрішніх компонентів діелектрика і їх комбінації. Бажано, щоб концентратор поля мав розміри, які знижують руйнівність будь-яких хімічних реакцій між матеріалами електромагнітного приймача електромагнітної енергії і матеріалами концентратора поля. Концентратор поля може містити каталізатор. Електромагнітна енергія може бути прикладена у формі безперервної, імпульсної енергії або їх комбінації. Підложка, згідно з способом винаходу, має бути проникною для потоку хімічних компонентів. Прикладом хімічної реакції є продукування озону взаємодією між концентратором поля і прикладеною електромагнітною енергією з розміщенням двох або більше концентраторів поля на підложці, виготовлених з діелектричного матеріалу з низькими втратами, з такою відстанню між концентраторами поля, що прикладання електромагнітної енергії до підложки, що несе зазначені концентратори поля, може викликати іскровий розряд під час проведення над підложкою оксигеновмісного потоку хімічних компонентів. 94690 60 Другим прикладом хімічної реакції є продукування озону взаємодією між нематричним матеріалом і прикладеною електромагнітною енергією, дії якої піддають композитну підложку, в якій частина нематричного матеріалу заглиблена у поверхню приймача електромагнітної енергії і відкрита над поверхнею цього приймача, в якому матриця виготовлена з матеріалу з низькими втратами і невеликою діелектричною константою, причому прикладання електромагнітної енергії до підложки викликає іскровий розряд під час проведення над зазначеною підложкою оксигеновмісного потоку хімічних компонентів. Бажаний об'єм фракції нематричного матеріалу перевищує 0%, бажано, 20%. Покриття Винахід включає також приймач електромагнітної енергії для хімічної обробки з покриттям, яке включає матричний матеріал, що оточує нематричний матеріал, відмінний від матричного матеріалу, і має нижчі діелектричні втрати, ніж нематричний матеріал, a) нематричний матеріал першим поглинає електромагнітну енергію, прикладену до цього приймача і у більшій кількості, ніж її поглинає матричний матеріал; b) у подальшому нематричний матеріал генерує тепло у матричному матеріал і створює відбиття; і с) поверхня приймача електромагнітної енергії має покриття з матеріалу, який взаємодіє з прикладеною електромагнітною енергією на щонайменше одній частоті і першим поглинає електромагнітну енергію, генеруючи тепло. Нематричний матеріал також може відбивати. Форму зазначеного покриття бажано вибирати з групи, яку утворюють повне покриття на всіх поверхнях приймача електромагнітної енергії, повне покриття поверхні, часткове покриття поверхні, часткове покриття всіх поверхонь приймача електромагнітної енергії, покриття з конкретним малюнком, покриття однорідним матеріалом, покриття композитним матеріалом, часткове покриття більш, ніж одним матеріалом, покриття з малюнком більш ніж одним матеріалом, покриття багатьма шарами з різних матеріалів і їх комбінації. Бажано, щоб масова фракція зазначеного нематричного матеріалу становила від 0,00001% до 50%. Бажано, щоб масова фракція зазначеного нематричного матеріалу становила від 50% до 99,9%. Оптичні діелектричні властивості відносно прикладеної електромагнітної енергії бажано вибирати з групи, яку складають прозорість, відбивність, розсіювання, абсорбційність і їх комбінації. Покриття може надавати зазначеному приймачу електромагнітної енергії фізичні властивості, вибрані з групи, яку складають механічні властивості, термічні властивості, оптичні властивості нематричного матеріалу, оптичні властивості приймача електромагнітної енергії, поглинання електромагнітної енергії, відбиття електромагнітної енергії, передача електромагнітної енергії, розсіювання електромагнітної енергії, електромагнітні властивості, корозійні властивості, стійкість до