Інтегральний функціональний елемент

УКРАЇНА (19) 01) UA 5734 „з, СІ (5і)5 HOI L 27/04 ОПИС ДО ПАТЕНТУ ДЕРЖАВНЕ * ПАТЕНТНЕ ВІДОМСТВО НА ВИНАХІД (54) ІНТЕГРАЛЬНИЙ ФУНКЦІОНАЛЬНИЙ ЕЛЕМЕНТ 1 (20)94260839, 17.09.93 (21)4923847/25 (22)01.04.91, SU (46)29.12.94. Бюл. N? 8-І (56) 1. Авторское свидетельство СССР Ne1009248,кл. Н 01 L 27/04, 1982. 2. Авторское свидетельство СССР № 1508881. кл. Н 01 L27/04,1987 (прототип). (71) Київський політехнічний Інститут (72) Гадіоненко Олександр Яковлевич, Гри щенко Анатолій Леонідович (73) Київський політехнічний Інститут (57) Интегральный функциональный эле мент, содержащий коллекторную область с Изобретение относится к проектированию полупроводниковых интегральных устройств аналоговой вычислительной техники. Наиболее близким к предлагаемому изобретению является интегральный функциональный элемент, содержащий область коллектора с двумя омическими контактами, базовую область, выполненную в форме половины эллипса, с тремя омическими контактами, расположенными на одной оси и на равном расстоянии друг от друга, область эмиттера расположена внутри базовой области и имеет форму дуги, параллельной границе базовой области, соосной с базовой областью. Область эмиттера имеет один омический контакт. Задачей изобретения является осуществление возможности реализации косинуса от эллиптического интеграла первого рода. Это достигается тем, что базовая область выполнена в виде полуэллипса с тремя омическими контактами на оси полуэллипса, об двумя омическими контактами, базовую область в форме половины эллипса с тремя омическими контактами, расположенными на одной оси и на равном расстоянии друг от друга, эмиттерную область с одним омическим контактом, сформированную внутри базовой области и ограниченную дугой, параллельной границе базовой области и соосную с базовой областью, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что оба коллекторных контакта выполнены в виде прямолинейных отрезков, параллельных оси полуэллипса базовой области. ласть эмиттера выполнена в виде дуги полуэллипса с омическим контактом и расположена внутри области базы соосно последней, а коллекторные контакты выполнены в виде двух прямолинейных отрезков, параллельных оси полуэллипса базовой области. На чертеже представлен интегральный функциональный элемент, вид сверху. Интегральный функциональный элемент содержит высокоомную подложку 1 первого типа проводимости, в которой размещена коллекторная область 2 второго типа проводимости. Коллекторная область 2 имеет два независимых омических контакта 3. Внутри коллекторной области 2 расположен полуэллипс базовой области 4. Вдоль внутренней стороны дуги полуэллипса базовой области 4 лежит дуга полуэллипса эмиттерно й об ласти 5 вт оро го т ипа проводимости с омическим контактом 6. Три омических контакта 7-9 к базовой области С > сл со О 5734 расположены симметрично на концах оси полуэллипса, контакты 7, 8 и в его центре контакт 9. Контакты 3 выполнены в виде двух прямолинейных отрезков, параллельных оси полуэллипса базовой области. ренциальных токов изменяется электрическое поле в базовой области. В области максимальной напряженности электрического поля открывается переход между базовой и эмиттерной областями и через омические контакты 3 коллектора протекают коллек5 торные токи. Изменение электрического поИзобретением реализуется функция ля в базовой области в зависимости от cos изменения соотношения дифференциальF(t, k), JT ных токов, протекающих через контакты 7, 8, влечет изменение максимальной напря10 dx женности электрического поля вдоль гранигдеК(к>= / цы базового и эмиттерного переходов. В результате изменяются точки инжекции . эмиттерного тока, т.е. происходит переме1Г щение области открытого локального перепараметр к опре аяется у\з равенства хода (так называемое движение эмиттероида) вдоль дуги полуэллипса по К a -f і границе р-п-перехода база эмиттер. Линейa -I ное изменение дифференциальных токов в (к) _ ж К (к*) |n 20 контактах 7 и 8 вызывает движение эмиттегде к'= V-j , з,о - по ?уоси элл* пса. роида по дуге полуэллипса, что в свою очередь, влечет нелинейное изменение коллекторных токов. Интегральный фінкц юнальный элеИспользование изобретения позволяет мент для реализации косин/са от эллиптического интеграла пеового рода работает „,. повысить в 4-5 раз плотность таких устройств по отношению к функциональным геследующим образом. Чер .з алюминиевую нераторам на основе применения шину на контакт 9 базовой области подается операционных усилителей, аналоговых петок, разветвляющийся на два дифференциальных тока, которые прс текая через базовую ремножителей сигналов и делителей. область , стекают я к контактам 7 и 8. В „Q зависимости от соог ошения этих диффе 5734 I I п и I I LJ п Г Г ии іі СО П і, и 1 і LJ п col Упорядник О.Гадіоненко Замовлення 621 Техред М.Моргентал Коректор О.Кравцова Тираж Підписне Державне патентне відомство України, 254655, ГСП, Київ-53, Львівська пл., 8 Виробничо-видавничий комбінат "Патент", м. Ужгород, вул Гагаріна, 101 І