Спосіб зчитування прихованої інформації, записаної на напівпровідниковий носій

Спосіб зчитування прихованої інформації, записаної на напівпровідниковий носій, записаної у вигляді будь-якого зображення на напівпровідниковій пластині за допомогою локального опромінення поверхні пластини пучком часток, енергія яких достатня для створення структурних дефектів в приповерхневому шарі опромінених ділянок, який для зчитування інформації включає освітлення поверхні напівпровідника світлом з енергією 3 спеціальної обробки поверхні (промивка в лужному або кислотному розчині певного складу) або шляхом формування оксидного чи нітридного шару на поверхні пластини напівпровідника. Запис виконується шляхом опромінення підготовленої поверхні пластини сфокусованим пучком часток (електронів) з високою енергією, достатньою для створення радіаційних дефектів структури. В результаті на опромінених ділянках поверхневий потенціал змінюється у порівнянні з неопроміненими ділянками (зменшується, якщо потенціал був високий, збільшується, якщо був низьким), і таким чином записується інформація. Для зчитування пластину розміщують в зазорі між двома, розташованими навпроти один одного, електродами, один з яких прозорий, через цей електрод освітлюють поверхню з записаною інформацією світлом з енергією кванту h, більшою за ширину забороненої зони напівпровідника Eg, і вимірюють поверхневу фото-е.р.с, котра залежить від поверхневого потенціалу. Освітлення здійснюють сфокусованим пучком світла (зондом) і сканують цим зондом поверхню з записаною інформацією. На опромінених частками високих енергій ділянках поверхнева фото-е.р.с. відрізняється від такої на неопромінених ділянках, це дозволяє таким чином зчитати інформацію, яка може мати вигляд букв, цифр, штрих-коду и т.п. Цей спосіб зчитування дещо простіше попереднього в технологічному плані, тому що для створення потенційного бар'єру використовуються більш прості методи (окислення поверхні, промивка в певних розчинах), і нанесення контактів на пластину не передбачається, так як використовуються зовнішні електроди. Недоліком способу зчитування інформації шляхом вимірювання поверхневої фото-е.р.с. є той факт, що опромінення поверхні напівпровідника може призводити як до збільшення поверхневого бар'єра, так і до його зменшення, в залежності від початкової величини бар'єра і від енергії і дози опромінення. Відповідно, при зчитуванні величина поверхневої фото-е.р.с. теж буде змінюватися неоднозначно, що призведе до спотворення інформації. Не можна повністю виключати і можливість нерівномірного початкового поверхневого потенціалу по поверхні пластини, або забруднення поверхні, що також приведе до викривлення інформації при зчитуванні. Тобто недоліком є залежність від стану поверхні, що знижує надійність способу. Іншим недоліком є необхідність вимірювань фотое.р.с. за допомогою притискних контактів. Неможливо забезпечити однорідне прилягання контактів по всій поверхні, що впливає на величину вимірюваної фото-е.р.с. Задачею корисної моделі є створення безконтактного і більш надійного, способу зчитування прихованої інформації, записаної за допомогою опромінення напівпровідника частками високих енергій. Зазначений технічний результат досягається тим, що в способі зчитування прихованої для неозброєного ока інформації, записаної у вигляді будь-якого зображення на напівпровідниковій пластині за допомогою локального опромінення пове 61849 4 рхні пластини пучком часток, енергія яких достатня для створення структурних дефектів в приповерхневому шарі опромінених ділянок, який для зчитування інформації включає освітлення поверхні напівпровідника світлом з енергією кванту h більшою за ширину забороненої зони напівпровідника Eg та її сканування, напівпровідникову пластину нагрівають до температури Т, яка вище температури навколишнього середовища, сканують поверхню пластини приймачем інфрачервоного випромінювання, чутливим в спектральній області поглинання на вільних носіях заряду напівпровідника (h