Електромагнітокристалічний відбивач

1. Електромагнітокристалічний відбивач, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і розміщений в металізації і 3 також є виконання навісного провідника з прямолінійних відрізків, найбільш ефективне з яких - зиґзаґоподібне з суміщенням кутів зиґзаґа з межами отвору. Корисна модель пояснюється кресленнями на Фіг. 1 - Фіг. 6. На Фіг. 1 показано загальний вид ЕКвідбивача, на Фіг. 2 - вид зверху по Фіг. 1, на Фіг. 3 - Фіг. 5 - варіанти виконання навісного провідника згідно п. 1 і 3 формули корисної моделі. На Фіг. 6 представлено порівняльні розрахункові частотні характеристики коефіцієнта відбиття R ЕКвідбивача конкретної реалізації для двох варіантів виконання навісного провідника (криві І та II) та його найближчого аналога (III). Значення fI - fIII, відповідають власним частотам ЕК-відбивачів згідно Фiг. 4 і в та найближчого аналога. ЕК-відбивач містить діелектричну основу 1, на одному боці якої виконано металізацію 2 і розміщений в металізації і в основі отвір 3. На другому боці основи над отвором розміщено сигнальний провідник 4. Сигнальний провідник містить гальванічно зв'язані між собою відрізки мікросмужкових 5 та навісного 6 провідників. В основі роботи пристрою лежить процес поширення електромагнітних хвиль вздовж мікросмужкової лінії. В результаті частотнозалежної інтерференції парціальних хвиль, відбитих межами неоднорідності ЕК-відбивача, формується частотна характеристика його коефіцієнта відбиття. Власна частота ЕК-відбивача визначається фазовою довжиною неоднорідності. Непрямолінійний навісний провідник збільшує фазову довжину неоднорідності у порівнянні з прямолінійним, що забезпечує зменшення власної частоти ЕК-відбивача. При виконанні навісного провідника ЕКвідбивача з прямолінійних відрізків за п. 2 форму 64315 4 ли корисної моделі спрощується конструкція ЕКвідбивача. Зиґзаґоподібний навісний провідник з суміщенням кутів зиґзаґа з межами отвору, за п. 3 формули корисної моделі, забезпечує максимальну фазову довжину неоднорідності ЕК-відбивача і, відповідно, мінімальну власну частоту ЕКвідбивача. Розглянемо варіанти виконання ЕК-відбивача. Отвір виконано круглим, діаметром 8 мм, ширина відрізків мікросмужкового провідника 2,5 мм, товщина мідної фольги 50 мкм, товщина діелектрика 2,1 мм, відносна діелектрична проникність діелектрика 7, тангенс кута діелектричних втрат 0,0025 на частоті 10 ГГц. Навісний провідник виконано круглим дротовим провідником діаметром 0,1 мм і гальванічно зв'язано з відрізками мікросмужкового провідника. При виконанні ЕК-відбивача згідно п. 1 формули корисної моделі з навісним провідником хвилеподібної форми, утвореної суміщенням двох напівкіл з радіусом напівкіл, вдвічі меншим радіуса отвору неоднорідності (Фіг 1 та Фіг 2), власна частота відбивача дорівнює 6,49 ГГц. Власна частота ЕК-відбивача найближчого аналога fIII=7,54 ГГц. Власна частота ЕК-відбивача запропонованої конструкції менша на 14 %. Залежності на Фіг. 6 відповідають розрахунковим частотним характеристикам коефіцієнта відбиття ЕК-відбивача згідно п. 3 формули корисної моделі з навісним провідником по Фіг. 4 (крива І), Фіг. 5 (II), та його найближчого аналога (III). Власні частоти fI і fII дорівнюють 4,42 ГГц і 3,23 ГГц. У порівнянні з найближчим аналогом ці частоти менші 41 % і 57 %. Відповідно на стільки-ж зменшаться розміри ЕК-відбивача, розрахованого на задану частоту. 5 64315 6 7 64315 8 9 Комп’ютерна верстка А. Крулевський 64315 Підписне 10 Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601