Випромінююча матрична гетероепітаксійна структура

1. Випромінююча матрична гетероепітаксійна наноструктура, що включає підкладку, випромінюючі елементи, систему джерела живлення, яка відрізняється тим, що підкладка виконана із кремнію, арсеніду галію, карбіду кремнію, алюмінію, міді, на підкладку нанесена перша контактна система додатного (+) та/або від'ємного (-) полюса джерела живлення, на наномайданчиках якої в нанопорах поверхневого шару, зокрема оксиду алюмінію, епітаксійно розташовані р-n випромінюючі нанопереходи, на яких розташована друга контактна система від'ємного (-) або додатного (+) полюсу джерела живлення, причому контактні майданчики першої та другої контактних систем під'єднані паралельно або послідовно до системи електроживлення та управління (контролера або мікропроцесора), випромінюючі елементи інтегровані для забезпечення роботи при напругах біль U 2 66596 1 3 Найбільш близьким пристроєм того ж призначення до заявленої корисної моделі за сукупністю ознак є випромінююча матрична гетероепітаксійна наноструктура, що включає підкладку, випромінюючі елементи, систему джерела живлення (Заявка США 12Y352280, H01L 33/00, 2009 р.). Причинами, що перешкоджають досягненню очікуваного технічного результату, є те, що використання повітряного мостового контакту для з'єднання великої кількості світловипромінюючих елементів короткохвильових світлодіодів, в котрих використано напівпровідникові з'єднання на основі GaN та комерціалізацію твердотільних джерел насиченого кольору, білого кольору, і т.д., випромінювання світла в усьому можливому діапазоні видимих довжин хвиль, зокрема для зеленого та червоного світла потребує використання люмінофорних смол, що достатньо ускладнює технологічне виготовлення, крім того тепловідведення від джерел світловипромінювання недостатнє, що знижує ефективність роботи випромінюючої матричної гетероепітаксійної наноструктури при високих робочих струмах та температурах. В основу корисної моделі поставлено задачу у випромінюючій матричній гетероепітаксійній наноструктурі шляхом інтеграції випромінюючих елементів забезпечити роботу при напругах більше напруги відсічки (запалювання, світіння) в два і більше разів, зокрема 110-220, 380 (В) та отримати максимальне значення виходу світла без втрат на системі перетворення, що дозволяє забезпечити збільшення гарантійного строку служби світловипромінюючих структур, а це дасть змогу отримувати світловипромінюючі кристали без використання додаткового матеріалу. Поставлена задача вирішується тим, що у випромінюючій матричній гетероепітаксійній наноструктурі, що включає підкладку, випромінюючі елементи, систему джерела живлення, згідно з корисною моделлю, підкладка виконана із кремнію, арсеніду галію, карбіду кремнію, алюмінію, міді, на підкладку нанесена перша контактна система додатного (+) та/або від'ємного (-) полюса джерела живлення, на наномайданчиках якої в нанопорах поверхневого шару, зокрема, оксиду алюмінію, епітаксійно розташовані р-n випромінюючі нанопереходи, на яких розташована друга контактна система від'ємного (-) або додатного (+) полюсу джерела живлення, причому контактні майданчики першої та другої контактних систем під'єднані паралельно або послідовно до системи електроживлення та управління (контролера або мікропроцесора), випромінюючі елементи інтегровані для забезпечення роботи при напругах більше напруги відсічки (запалювання, світіння) в два і більше разів, зокрема 110-220, 380 (В). В іншій конкретній формі виконання згідно з корисною моделлю в нанопорах із оксиду алюмінію, розташовані по заданій топології випромінюючі р-n наногетеропереходи червоного, зеленого та синього (фіолетового) RGB-кольорів випромінювання, котрі контактною системою з'єднані з системою електроживлення та управління (контролером або мікропроцесором). 66596 4 В іншій конкретній формі виконання згідно з корисною моделлю р- або n-області розташовані в порах, а відповідно n- або р-області розташовані в суцільному шарі напівпровідника між нанопористою структурою та контактною системою. В іншій конкретній формі виконання згідно з корисною моделлю нанопори заповнені провідним матеріалом, зокрема напівпровідником або металом, зокрема, алюмінієм, галієм, міддю. В іншій конкретній формі виконання, згідно з корисною моделлю, відстань між нанопорами d задовольняє співвідношенню d