Демінський Петро Віталійович

Номер патенту: 115164

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Дягілєв Андрій Володимирович, Осінський Андрій, Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович, Демінський Петро Віталійович

МПК: G01J 3/51, H01L 33/00, G09G 3/34 ...

Мітки: енергонакопичуючий, світла, процесор

Формула / Реферат:

1. Енергонакопичуючий процесор світла в діапазоні довжин хвиль 0,2-12 мкм (енестор), який на єдиній підкладці кремнію містить світлодіодні структури з люмінофором та світлодіодні структури червоного (Red), зеленого (Green) та блакитного (Blue) випромінювання (RGB) в єдиному конструктиві з джерелом енергії, сонячною батареєю, акумулятором енергії, мікрооптикою та транзисторними мікросхемами живлення і керування, в селективних областях єдиної...

Номер патенту: 68748

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Демінський Петро Віталійович, Дяченко Ольга Дмитрівна, Масол Ігор Віталійович, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 21/208

Мітки: пристрій, отримання, підкладок, напівпровідників

Формула / Реферат:

1. Пристрій для отримання підкладок напівпровідників, що містить підкладку з ростовими комірками, тримач підкладок, маніпулятор, систему управління, систему забезпечення технологічного середовища, який відрізняється тим, що система забезпечення технологічного середовища виконана із системи гетероепітаксійного росту напівпровідників, зокрема нітридів галію, індію і алюмінію, розрахована на епітаксійний ріст напівпровідникових структур з...

Номер патенту: 68640

Опубліковано: 10.04.2012

Автори: Осінський Володимир Іванович, Масол Ігор Віталійович, Демінський Петро Віталійович

МПК: H05B 33/20, H01L 33/00

Мітки: діодне, джерело, світла, суперлюмінесцентне

Формула / Реферат:

Суперлюмінесцентне діодне джерело світла, що містить гетероструктурні чіпи, мікрорезонатори, яке відрізняється тим, що в один або декілька гетероструктурних чіпів введено мікрорезонатори когерентного випромінювання, котрі розміщені всередині або зовні випромінюючих гетеропереходів, під'єднаних окремо від гетероструктур спонтанних світлодіодів до системи управління та живлення, а гібридно-інтегральна структура виконана в гібридному або...

Номер патенту: 66596

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Масол Ігор Віталійович, Ляхова Наталія Миколаївна, Демінський Петро Віталійович, Осінський Володимир Іванович

МПК: H01L 21/00, H01L 33/00

Мітки: гетероепітаксійна, структура, матрична, випромінююча

Формула / Реферат:

1. Випромінююча матрична гетероепітаксійна наноструктура, що включає підкладку, випромінюючі елементи, систему джерела живлення, яка відрізняється тим, що підкладка виконана із кремнію, арсеніду галію, карбіду кремнію, алюмінію, міді, на підкладку нанесена перша контактна система додатного (+) та/або від'ємного (-) полюса джерела живлення, на наномайданчиках якої в нанопорах поверхневого шару, зокрема оксиду алюмінію, епітаксійно розташовані...

Номер патенту: 66595

Опубліковано: 10.01.2012

Автори: Ляхова Ніна Олегівна, Осінський Володимир Іванович, Масол Ігор Віталійович, Демінський Петро Віталійович

МПК: H01L 33/26

Мітки: напівпровідникова, гетероструктура

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар, електричні контакти, яка відрізняється тим, що напівпровідникова гетероструктура виготовлена із нітриду галію (GaN) на підкладці Аl2О3, де між підкладкою (Аl2О3) та шаром нітриду галію (GaN) розташовано наноструктурований в площині підкладки шар карбіду кремнію (SiC) заданої структурної орієнтації (політипу).2. Напівпровідникова гетероструктура, за п. 1, яка...