Патенти з міткою «багатоелементних»
Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок
Номер патенту: 101234
Опубліковано: 11.03.2013
Автори: Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Сосницька Ольга Олександрівна, Воронкін Євгеній Федорович
МПК: B29D 11/00, G01T 1/202
Мітки: багатоелементних, збірок, спосіб, сцинтиляційних, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...
Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних фотодіодів
Номер патенту: 22878
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Рева Володимир Павлович, Деркач Юрій Петрович, Сизов Федір Федорович
МПК: C03C 27/00
Мітки: багатоелементних, схема, інфрачервоних, фотодіодів, інформації, зчитування
Формула / Реферат:
Схема зчитування інформації з багатоелементних інфрачервоних (ІЧ) фотодіодів, яка включає пристрій сполучення із ІЧ-фотодіодами, схеми попередньої обробки інформації, регістри затримки та накопичення, стовпчикові підсилювачі, перетворювачі заряд-напруга, мультиплексори, вихідні підсилювачі, яка відрізняється тим, що у кожну вхідну комірку схеми зчитування інформації введено додатковий елемент - тригер-клямка, додаткова шина і два додаткових...
Спосіб виготовлення багатоелементних іч-фоторезисторів на основі cd hg te
Номер патенту: 16982
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Литовченко Тамара Леонтіївна, Петряков Володимир Олексійович, Сизов Федір Федорович
МПК: H01L 21/469, H01L 31/02
Мітки: спосіб, багатоелементних, виготовлення, іч-фоторезисторів, основі
Формула / Реферат:
Способ изготовления многоэлементых инфракрасных фоторезисторов на основе материала CdxHg1-xTe(KPT), в котором выводы каждого элемента соединяют с электрическими контактами растра, отличающийся тем, что электрическое соединение контактных площадок фоторезисторов с контактами на растре осуществляют посредством индиевых столбиков, при этом образование контакта производят так, что на растре (подложке) формируют контактные металлические площадки,...