Лалаянц Олександр Іванович

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Рибалка Ірина Анатоліївна, Лалаянц Олександр Іванович, Звєрєва Віра Сергіївна, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00, C01G 9/00 ...

Мітки: шихти, селеніду, цинку, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Сідельнікова Лідія Юріївна, Онищенко Геннадій Михайлович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Сідлецький Олег Цезарович, Півень Леонід Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: G01T 1/20, G01T 1/10, G01T 1/202 ...

Мітки: гамма-нейтронного, комбінований, іонізуючого, зокрема, випромінювання, детектор

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Номер патенту: 104701

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: кристалів, селеном, спосіб, сцинтиляційних, активованих, цинку, термообробки, сульфіду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки кристалів сульфіду цинку, активованих селеном, що включає їх відпал в насичених парах цинку при температурі 950-1300 °C протягом 30-50 годин, який відрізняється тим, що здійснюють попередній відпал кристалів у змішаному середовищі водню і парів селену при Т=600-950 °C протягом 8-10 годин.

Номер патенту: 103711

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Галкін Сергій Миколайович, Тарасов Володимир Олексійович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: G01T 1/202

Мітки: альфа-випромінення, реєстрації, спосіб, сцинтиляційного, виготовлення, елемента

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-часток, що включає змішування частинок сцинтиляційного матеріалу ZnSe встановленого розміру з імерсійним середовищем, який відрізняється тим, що попередньо подрібнюють і фракціонують частинки сцинтиляційного матеріалу в інертному неполярному розчиннику, отримані таким чином частинки порошку змішують з імерсійним середовищем з концентрацією порошку сцинтилятора в суміші 80-90...

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Зеня Ігор Михайлович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Жуков Олександр Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Малюкін Юрій Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48

Мітки: сульфіду, цинку, матеріал, сцинтиляційний, основі

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Літічевський Владислав Олександрович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: G01T 1/202

Мітки: панель, спосіб, виготовлення, сцинтиляційна

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Номер патенту: 78015

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Сосницька Ольга Олександрівна, Галич Юрій Михайлович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: B28D 1/04, B28D 1/24

Мітки: елементи, пластин, спосіб, порізки

Формула / Реферат:

Спосіб порізки пластин на елементи, що включає використання матеріалу-стабілізатора та подачу змащувально-охолоджувальної рідини в зону різання, який відрізняється тим, що як матеріал-стабілізатор використовують скло, пластини якого на клеючому складі поміщують між пластинами розрізуваного матеріалу та на крайні пластини, які утворюють пакет заготівки, а порізку здійснюють дисками з внутрішньою ріжучою кромкою.

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Сосницька Ольга Олександрівна, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: G01T 1/202, B29D 11/00

Мітки: збірок, виготовлення, багатоелементних, сцинтиляційних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, G01T 1/202 ...

Мітки: напівпровідниковий, активованого, селеніду, одержання, сцинтиляційний, цинку, матеріал, спосіб, основі

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Лалаянц Олександр Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: кристалів, спосіб, активованих, термообробки, цинку, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Бреславський Ігор Анатолійович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, а2в6, сполук

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Галкін Сергій Миколайович, Стрельніков Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристалів, групи, аiiвvi, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/00 ...

Мітки: селеніду, цинку, активованих, термообробки, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 33/02

Мітки: ізовалентною, спосіб, матеріалу, кристала, домішкою, термообробки, селеніду, сцинтиляційного, легованого, цинку, основі

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 35/00

Мітки: напівпровідникових, кристалів, термообробки, контейнер

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 11/00

Мітки: аiibvi, тигель, кристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...