Воронкін Євгеній Федорович

Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-випромінення

Завантаження...

Номер патенту: 103711

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Тарасов Володимир Олексійович

МПК: G01T 1/202

Мітки: виготовлення, сцинтиляційного, елемента, спосіб, альфа-випромінення, реєстрації

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-часток, що включає змішування частинок сцинтиляційного матеріалу ZnSe встановленого розміру з імерсійним середовищем, який відрізняється тим, що попередньо подрібнюють і фракціонують частинки сцинтиляційного матеріалу в інертному неполярному розчиннику, отримані таким чином частинки порошку змішують з імерсійним середовищем з концентрацією порошку сцинтилятора в суміші 80-90...

Сцинтиляційна панель та спосіб її виготовлення

Завантаження...

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: G01T 1/202

Мітки: панель, сцинтиляційна, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Спосіб порізки пластин на елементи

Завантаження...

Номер патенту: 78015

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Сосницька Ольга Олександрівна, Галич Юрій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: B28D 1/04, B28D 1/24

Мітки: порізки, пластин, спосіб, елементи

Формула / Реферат:

Спосіб порізки пластин на елементи, що включає використання матеріалу-стабілізатора та подачу змащувально-охолоджувальної рідини в зону різання, який відрізняється тим, що як матеріал-стабілізатор використовують скло, пластини якого на клеючому складі поміщують між пластинами розрізуваного матеріалу та на крайні пластини, які утворюють пакет заготівки, а порізку здійснюють дисками з внутрішньою ріжучою кромкою.

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок

Завантаження...

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Сосницька Ольга Олександрівна, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: B29D 11/00, G01T 1/202

Мітки: виготовлення, багатоелементних, сцинтиляційних, спосіб, збірок

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Уф-фотодіод з бар’єром шотткі

Завантаження...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Білецький Микола Іванович, Онищенко Геннадій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: шотткі, бар'єром, уф-фотодіод

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку та спосіб його одержання

Завантаження...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, G01T 1/202 ...

Мітки: матеріал, основі, селеніду, спосіб, одержання, сцинтиляційний, напівпровідниковий, активованого, цинку

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6

Завантаження...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Бреславський Ігор Анатолійович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: сполук, спосіб, монокристалів, вирощування, а2в6

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Пристрій для вирощування монокристалів групи аiiвvi

Завантаження...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Воронкін Євгеній Федорович, Стрельніков Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, аiiвvi, групи, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Полірувальна суміш

Завантаження...

Номер патенту: 80070

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Ополонін Олександр Дмитрович, Рижиков Володимир Діомидович, Козин Дмитро Миколайович, Галкін Сергій Миколайович, Квітницька Валентина Захарівна

МПК: C09G 1/00, G01T 1/202

Мітки: суміш, полірувальна

Формула / Реферат:

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою

Завантаження...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 33/02

Мітки: спосіб, кристала, ізовалентною, цинку, легованого, сцинтиляційного, основі, домішкою, термообробки, селеніду, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів

Завантаження...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 35/00

Мітки: контейнер, термообробки, напівпровідникових, кристалів

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...