Воронкін Євгеній Федорович
Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-випромінення
Номер патенту: 103711
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Тарасов Володимир Олексійович
МПК: G01T 1/202
Мітки: виготовлення, сцинтиляційного, елемента, спосіб, альфа-випромінення, реєстрації
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-часток, що включає змішування частинок сцинтиляційного матеріалу ZnSe встановленого розміру з імерсійним середовищем, який відрізняється тим, що попередньо подрібнюють і фракціонують частинки сцинтиляційного матеріалу в інертному неполярному розчиннику, отримані таким чином частинки порошку змішують з імерсійним середовищем з концентрацією порошку сцинтилятора в суміші 80-90...
Сцинтиляційна панель та спосіб її виготовлення
Номер патенту: 101724
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Літічевський Владислав Олександрович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович
МПК: G01T 1/202
Мітки: панель, сцинтиляційна, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...
Спосіб порізки пластин на елементи
Номер патенту: 78015
Опубліковано: 11.03.2013
Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Сосницька Ольга Олександрівна, Галич Юрій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович
Мітки: порізки, пластин, спосіб, елементи
Формула / Реферат:
Спосіб порізки пластин на елементи, що включає використання матеріалу-стабілізатора та подачу змащувально-охолоджувальної рідини в зону різання, який відрізняється тим, що як матеріал-стабілізатор використовують скло, пластини якого на клеючому складі поміщують між пластинами розрізуваного матеріалу та на крайні пластини, які утворюють пакет заготівки, а порізку здійснюють дисками з внутрішньою ріжучою кромкою.
Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок
Номер патенту: 101234
Опубліковано: 11.03.2013
Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Сосницька Ольга Олександрівна, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович
МПК: B29D 11/00, G01T 1/202
Мітки: виготовлення, багатоелементних, сцинтиляційних, спосіб, збірок
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...
Уф-фотодіод з бар’єром шотткі
Номер патенту: 94679
Опубліковано: 25.05.2011
Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Білецький Микола Іванович, Онищенко Геннадій Михайлович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович
МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06
Мітки: шотткі, бар'єром, уф-фотодіод
Формула / Реферат:
1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...
Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку та спосіб його одержання
Номер патенту: 92286
Опубліковано: 11.10.2010
Автори: Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович
МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, G01T 1/202 ...
Мітки: матеріал, основі, селеніду, спосіб, одержання, сцинтиляційний, напівпровідниковий, активованого, цинку
Формула / Реферат:
1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...
Спосіб вирощування монокристалів сполук а2в6
Номер патенту: 87953
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Бреславський Ігор Анатолійович
МПК: C30B 13/00, C30B 29/48
Мітки: сполук, спосіб, монокристалів, вирощування, а2в6
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...
Пристрій для вирощування монокристалів групи аiiвvi
Номер патенту: 87944
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Суздаль Віктор Семенович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Воронкін Євгеній Федорович, Стрельніков Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович
МПК: C30B 15/20
Мітки: пристрій, аiiвvi, групи, вирощування, монокристалів
Формула / Реферат:
Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...
Полірувальна суміш
Номер патенту: 80070
Опубліковано: 10.08.2007
Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Ополонін Олександр Дмитрович, Рижиков Володимир Діомидович, Козин Дмитро Миколайович, Галкін Сергій Миколайович, Квітницька Валентина Захарівна
МПК: C09G 1/00, G01T 1/202
Мітки: суміш, полірувальна
Формула / Реферат:
Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою
Номер патенту: 76387
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Галкін Сергій Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Воронкін Євгеній Федорович, Катрунов Костянтин Олексійович
МПК: C30B 33/02
Мітки: спосіб, кристала, ізовалентною, цинку, легованого, сцинтиляційного, основі, домішкою, термообробки, селеніду, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...
Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів
Номер патенту: 3606
Опубліковано: 15.12.2004
Автори: Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович
МПК: C30B 35/00
Мітки: контейнер, термообробки, напівпровідникових, кристалів
Формула / Реферат:
Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...