Рижиков Володимир Діомидович

Номер патенту: 100966

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Махота Сергій Володимирович, Ополонін Олександр Дмитрович, Волков Володимир Генадійович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H05G 1/26, G01T 1/20

Мітки: рентгенівських, параметрів, контролю, випромінювачів, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для контролю параметрів рентгенівських випромінювачів і поглинутої дози рентгенівського випромінювання, що містить не менше двох детекторних елементів типу сцинтилятор-фотодіод, один з яких виконаний на основі кристала селеніду цинку, активованого телуром, при цьому виходи фотодіодів підключені до операційних підсилювачів, виходи останніх підключені до аналого-цифрового перетворювача, який своїми входами і виходами з'єднаний з...

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Сідельнікова Лідія Юріївна, Півень Леонід Олексійович, Літічевський Владислав Олександрович, Рижиков Володимир Діомидович, Сідлецький Олег Цезарович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Онищенко Геннадій Михайлович, Тупіцина Ірина Аркадіївна

МПК: G01T 1/20, G01T 1/10, G01T 1/202 ...

Мітки: зокрема, комбінований, іонізуючого, гамма-нейтронного, детектор, випромінювання

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Номер патенту: 102784

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Малюкін Юрій Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Жуков Олександр Вікторович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C30B 29/48

Мітки: матеріал, сульфіду, основі, сцинтиляційний, цинку

Формула / Реферат:

Сцинтиляційний матеріал на основі сульфіду цинку, який містить активуючу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, який відрізняється тим, що як активуючу домішку він містить не менше однієї халькогенідної сполуки групи AIIBVI в концентрації 0,1-10,0 мол. % кожної, а також додатково співактивуючу донорну домішку оксиду або халькогеніду одного з металів в концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. %, які з...

Номер патенту: 102783

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Старжинський Микола Григорович, Зеня Ігор Михайлович, Жуков Олександр Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Трубаєва Ольга Геннадіївна, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/48

Мітки: активованого, селеніду, основі, сцинтиляційного, одержання, матеріалу, спосіб, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного матеріалу на основі активованого селеніду цинку, що включає його вирощування з вихідної шихти в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що у вихідну шихту як активатор вводять сірчистий цинк у концентрації 1,0-10,0 мол. % й оксид або халькогенід одного з металів у концентрації 1·10-1-1·10-4 мол. % як співактивуючу донорну домішку, що з вихідною сполукою утворює твердий розчин заміщення.

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Літічевський Владислав Олександрович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/202

Мітки: панель, спосіб, виготовлення, сцинтиляційна

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Сосницька Ольга Олександрівна, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/202, B29D 11/00

Мітки: виготовлення, спосіб, сцинтиляційних, багатоелементних, збірок

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Номер патенту: 96428

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Нагорна Людмила Лаврентіївна, Півень Леонід Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: G01T 3/06, G01T 1/20

Мітки: швидких, реєстрації, спосіб, нейтронів

Формула / Реферат:

1. Спосіб реєстрації швидких нейтронів, заснований на механізмі непружного розсіювання швидких нейтронів у матеріалі конвертора, що включає перетворення каскаду гамма-квантів, що утворюються в результаті непружного розсіювання нейтронів у матеріалі конвертора з високим атомним номером, у серію світлових спалахів сцинтилятором, обробку сигналів, одержаних при реєстрації зазначених світлових спалахів, формування лічильних імпульсів із...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Білецький Микола Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Онищенко Геннадій Михайлович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264

Мітки: бар'єром, шотткі, уф-фотодіод

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/10, C30B 29/46 ...

Мітки: селеніду, цинку, матеріал, напівпровідниковий, одержання, сцинтиляційний, активованого, основі, спосіб

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 92193

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Півень Леонід Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: швидких, нейтронів, малогабаритний, детектор, теплових

Формула / Реферат:

Малогабаритний детектор швидких і теплових нейтронів, що містить датчик, виконаний на основі неорганічного сцинтилятора, оптично з'єднаного з фотодіодом, який з'єднано з блоком попередньої обробки сигналу, який відрізняється тим, що датчик розташований у свинцевому захисті, сцинтилятором є кристал силікату гадолінію або вольфрамату кадмію, фотодіод є лавинним фотодіодом, а блок попередньої обробки сигналу містить в собі підсилювач-формувач...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Шабашкевич Борис Григорович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/0216, H01L 31/06, H01L 31/0264 ...

Мітки: шотткі, фотодіод, діапазоні, чутливий, ультрафіолетовому, спектра, бар'єром

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Галкін Сергій Миколайович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C01G 9/00, C01B 19/00, C30B 29/46 ...

Мітки: цинку, кристалів, активованих, термообробки, спосіб, селеніду

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 89318

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Найдьонов Сергій Вячеславович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01N 23/02

Мітки: рентгенографічний, здійснення, спосіб, матеріалів, пристрій, розпізнавання

Формула / Реферат:

1. Рентгенографічний спосіб розпізнавання матеріалів, що включає їх просвічування рентгенівським випромінюванням та реєстрацію випромінювання, яке пройшло через об'єкт, в декількох різних спектральних областях з різною ефективною енергією багатоелементними приймачами випромінювання, який відрізняється тим, що використовують квазімонохроматичне рентгенівське випромінювання, а реєстрацію випромінювання, яке пройшло через контрольований об'єкт,...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Бреславський Ігор Анатолійович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: а2в6, монокристалів, вирощування, сполук, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Номер патенту: 87331

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Трубаєва Ольга Геннадіївна

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/00 ...

Мітки: селеніду, активованих, спосіб, цинку, термообробки, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що додатково здійснюють попередній відпал кристалів у проточній нейтральній атмосфері при температурі...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Шабашкевич Борис Григорович, Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Добровольський Юрій Георгійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0264, H01L 31/0216 ...

Мітки: бар'єром, спектра, чутливий, фотодіод, діапазоні, шотткі, ультрафіолетовому

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Номер патенту: 38837

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: G01J 1/00

Мітки: зменшеного, виявлення, випромінювання, ультрафіолетового, реєстрації, сенсор, точкових, джерел, розміру

Формула / Реферат:

1. Пристрій зменшеного розміру для виявлення та реєстрації ультрафіолетового випромінювання точкових джерел, який має фотодіод (1) з додатковим світлофільтром (2), лінзу (3), який відрізняється тим, що згаданий діод є, наприклад, діодом Шотткі на основі, наприклад, селеніду цинку, розміщеним в центрі радіуса кривизни передньої поверхні згаданої лінзи, що має форму півсфери та побудована з матеріалу, що має велику дисперсію та коефіцієнт...

Номер патенту: 35326

Опубліковано: 10.09.2008

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Бендеберя Генадій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Старжинський Микола Григорович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: G02B 5/02, G01J 1/42

Мітки: пристрій, активного, ультрафіолетового, персональний, біологічно, випромінювання, вимірювання

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить розсіювальний елемент і розміщений за ним приймач ультрафіолетового випромінювання, який складається із світлофільтра, виконаного з набору елементів, кожний з яких виділяє один із діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-хTex, де 0,002

Номер патенту: 80070

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Квітницька Валентина Захарівна, Козин Дмитро Миколайович, Ополонін Олександр Дмитрович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01T 1/202, C09G 1/00

Мітки: полірувальна, суміш

Формула / Реферат:

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Номер патенту: 79947

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Воронкін Євген Федорович, Кольнер Володимир Борисович, Черніков Вячеслав Васильович, Кривоносов Євген Володимирович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Малко Юрій Борисович

МПК: G01T 1/20, C04B 35/553, G01V 5/00 ...

Мітки: керамічний, сцинтиляційний, матеріал, детектор, основі

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі LiF, який відрізняється тим, що, він додатково містить силікати рідкісноземельних елементів та/або тикор при співвідношенні основи до інших компонентів  10:(1-4), при цьому частинки силікатів рідкісноземельних елементів та/або тикору розміром 0,1-0,3 мм рівномірно розподілені в дисперсному середовищі частинок LiF того ж розміру.2. Детектор нейтронного випромінювання, який містить елементи...

Номер патенту: 77896

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Нагора Людмила Лаврентіївна, Зеня Ігор Михайлович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Гриньов Борис Вікторович, Йон Кюн Кім, Джон Кьон Кім, Спасов Володимир Григорович

МПК: G01N 23/22, G01N 23/02

Мітки: атомного, ефективного, виявлення, номера, спосіб, значенням, речовини

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення речовини за значенням її ефективного атомного номера, що включає просвічування об'єкта дослідження рентгенівським випромінюванням і реєстрацію випромінювання, що пройшло через об'єкт, сцинтиляційними детекторами, які встановлюють у послідовності таким чином, що попередній детектор є енергетичним фільтром для наступних, з подальшим аналого-цифровим перетворенням і обробкою електричних сигналів, отриманих від зазначених...

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович, Кривошеін Вадим Іванович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: вирощування, спосіб, вісмуту, монокристалів, германату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: сполук, основі, аiiвvi, сцинтиляційний, матеріал, спосіб, одержання, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Номер патенту: 15651

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Богатирьова Ірина Вікторівна, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/48

Мітки: основі, матеріалу, спосіб, цинку, сцинтиляційного, одержання, халькогенідів, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі халькогенідів цинку, що містить активуючу домішку кисню, що включає попередню термообробку сировини, вирощування кристалів з розплаву в атмосфері інертного газу, наступну термообробку отриманих кристалів у парах власних компонентів, який відрізняється тим, що попередньо до шихти додають Аl2О3 у концентрації 10-3-10-1мол. %.

Номер патенту: 71836

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Нагорна Людмила Лаврентієвна, Бондар Валерій Григорійович, Бабійчук Інна Петрівна, Кривошеін Вадим Іванович, Козлов Сергій Миколайович

МПК: B24B 1/00, B28D 5/00

Мітки: сингонії, зокрема, обробки, анізотропних, механічної, спосіб, моноклінної, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій для виготовлення полотна з штапельного волокна з гірських порід і містить вузол виготовлення первинних волокон, камеру згоряння та щілинне сопло роздуву з щілинним каналом. Вказане сопло виконане симетрично відносно устя сопла з кутом розкриття 12° ± 2°, а поперечний переріз сопла на вході, як і поперечний переріз камери згоряння на виході, відносяться до поперечного перерізу устя сопла не менше як 5:1, при цьому щілинний канал має...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Старжинський Микола Григорович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 33/02

Мітки: термообробки, сцинтиляційного, основі, матеріалу, спосіб, селеніду, цинку, кристала, ізовалентною, легованого, домішкою

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 76025

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Бабійчук Інна Петрівна, Гриньов Борис Вікторович, Пирогов Євген Миколайович, Кривошеін Вадим Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Нагорна Людмила Лаврентієвна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/10

Мітки: обробки, свинцю, спосіб, монокристалів, вольфрамату, термічної

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки монокристалів вольфрамату свинцю, який полягає в тому, що монокристали нагрівають, витримують при постійній температурі в атмосфері інертного газу та кисневмісній атмосфері і охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють зі швидкістю 50-200 град./годину до температури 1030-1050°С, у початковій стадії термічну обробку проводять в атмосфері азоту з домішкою 1-5 об.% кисню при...

Номер патенту: 74998

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: спосіб, матеріалу, цинку, одержання, селеніду, активованого, основі, сцинтиляційного, напівпровідникового

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтиляційного напівпровідникового матеріалу на основі активованого селеніду цинку, який полягає в тому, що попередньо здійснюють термообробку шихти селеніду цинку та активатора, після чого вирощують кристали з розплаву в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що в шихту як активатор вводять халькогенід кадмію у концентрації 3-10% мас.

Номер патенту: 5630

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01J 1/42, G02B 5/02

Мітки: персональний, пристрій, активного, випромінювання, ультрафіолетового, біологічно, вимірювання

Формула / Реферат:

1. Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається зі світлофільтра, який виділяє кожний з діапазону біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, та фотодетектора, у якому використаний твердий розчин складу ZnSe1-xTex, де , а також...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 35/00

Мітки: напівпровідникових, кристалів, термообробки, контейнер

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Номер патенту: 69466

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Байбіков Вадим Володимирович, Свищ Володимир Митрофанович, Пашко Павло Володимирович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: G01N 23/00, G01N 23/02

Мітки: об'єктів, пристрій, дослідження, рентгеноінтроскопічний

Формула / Реферат:

1. Рентгеноінтроскопічний пристрій для дослідження об'єктів, який містить розміщене з одного боку від об'єкта контролю джерело випромінювання з коліматором, а з другого - блок детектування, на якому встановлені сцинтиляційні кристали, що оптично зв'язані виходами з відповідними фоточутливими елементами блока детектування, виходи котрих підключені до відповідних входів блока перетворення струму у напругу, що з'єднаний виходами з відповідними...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 11/00

Мітки: тигель, кристалів, аiibvi, вирощування

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Номер патенту: 63030

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Свищ Володимир Митрофанович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H05G 1/00, G01T 1/00

Мітки: рентгенівського, випромінювання, детектор

Формула / Реферат:

Детектор рентгенівського випромінювання, який містить джерело світла, діафрагму, світлоділильну діафрагму, другий світлоподільник, два фотоприймачі, що приєднані виходами до відповідних входів диференційного підсилювача, який відрізняється тим, що додатково містить перетворювач рентгенівського випромінювання в ультразвукові коливання, який виконаний у вигляді металевого стрижня, та ідентичний до нього опорний стрижень, другий світлоподільник...

Номер патенту: 57145

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Рижиков Володимир Діомидович, Коневський Віктор Семенович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/34

Мітки: ортосилікату, відпалу, спосіб, монокристалів, гадолінію

Формула / Реферат:

Спосіб відпалу монокристалів ортосилікату гадолінію шляхом нагрівання монокристалів до температури відпалу по нелінійному закону, наступної ізотермічної витримки при цій температурі і зниженням температури також по нелінійному закону, який відрізняється тим, що відпал монокристалів відтворюють у тепловому полі з осьовим градієнтом температури від 0,3 до 0,75 град/см, підвищують температуру до 600 - 750°С зі швидкістю 28 - 33 град/г, потім до...

Номер патенту: 55388

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Верін Віталій Євгенович, Рижиков Володимир Діомидович, Поповський Юрій Віталійович, Махній Віктор Петрович, Авдеєнко Анатолій Антонович, Даншин Євген Олександрович

МПК: G01J 1/00, G01J 1/42

Мітки: активного, біологічно, ультрафіолетового, пристрій, випромінювання, вимірювання, персональний

Формула / Реферат:

Персональний пристрій для вимірювання біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, який містить приймач ультрафіолетового випромінювання, що складається із світлофільтра та фотодетектора, у якому використаний селенід металу, та вимірювально-індикаторний блок, який відрізняється тим, що світлофільтр виконаний у вигляді набору елементів, кожний з яких виділяє один з діапазонів біологічно активного ультрафіолетового випромінювання, а...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/48

Мітки: цинку, одержання, основі, селеніду, матеріалу, n-типу, напівпровідникового, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 51766

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Сілін Віталій Іванович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: селеніду, спосіб, активованого, одержання, основі, цинку, сцинтилятора, телуром

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сцинтилятора на основі селеніду цинку, активованого телуром, що включає попереднє підготування сировини, вирощування кристала з розплаву під тиском інертного газу і термообробку в насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину використовують частки розміром 0,1-2 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощеного кристала селеніду цинку, активованого телуром із...

Номер патенту: 46134

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Волков Володимир Генадієвич, Квітницька Валентина Захарівна, Гриньов Борис Вікторович, Гаврилюк Володимир Петрович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Даншин Євгеній Олександрович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: випромінювання, іонізуючого, детектор

Формула / Реферат:

1.       Детектор іонізуючого випромінювання, виконаний у вигляді моношару кристалічних частинок, нанесеного на оптичний елемент, який відрізняється тим, що оптичний елемент по формі являє собою п'ятигранник із квадратною основою, двома більшими трапецієподібними гранями і двома меншими трикутними гранями із співвідношенням сторін:<  ...

Номер патенту: 45110

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/36

Мітки: вирощування, монокристалів, спосіб, ортосилікату, гадолінію

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів ортосилікату гадолінію методом Чохральського в інертному середовищі з доданням кисню на запал, орієнтовану вздовж певного кристалографічного напряму, з подальшим охолоджуванням в умовах осьового температурного градієнта, що не перевищує 10 град/см, яким відрізняється тим, що використовують запал, орієнтовану вздовж кристалографічного напряму Х, а температурний градієнт забезпечують відкачкою ростової камери до...

Номер патенту: 44547

Опубліковано: 15.02.2002

Автори: Свищ Володимир Митрофанович, Старжинський Микола Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Байбіков Вадим Володимирович, Гальчинецький Леонід Павлович, Козин Дмитро Миколайович

МПК: G01T 1/202

Мітки: інтроскопії, система, рентгенівської, детектувальна

Формула / Реферат:

Детектувальна система для рентгенівської інтроскопії, що містить послідовно розташовані низькоенергетичний та високоенергетичний сцинтиляційні детектори, а також фільтр, яка відрізняється тим, що сцинтилятор низькоенергетичного детектора та фільтр з'єднані у єдиний елемент, виконаний з кристала ZnSe(Te).