Галкін Сергій Миколайович

Номер патенту: 114584

Опубліковано: 26.06.2017

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Звєрєва Віра Сергіївна, Лалаянц Олександр Іванович, Рибалка Ірина Анатоліївна

МПК: C01B 19/00, C01G 9/00, C30B 29/46 ...

Мітки: спосіб, шихти, селеніду, цинку, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання шихти селеніду цинку, який включає завантаження елементарного цинку та селену у реактор, де у нижню частину вертикального реактора завантажують елементарний цинк, нагрівають нижню частину вище температури кипіння цинку з підтримкою у верхній частині реактора температури нижче за температуру кипіння цинку, але вище за температуру твердіння селену, і синтезують шихту у паровій фазі з елементарного цинку та селену, який...

Номер патенту: 109524

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Сідельнікова Лідія Юріївна, Галкін Сергій Миколайович, Сідлецький Олег Цезарович, Літічевський Владислав Олександрович, Рижиков Володимир Діомидович, Півень Леонід Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: G01T 1/10, G01T 1/202, G01T 1/20 ...

Мітки: іонізуючого, випромінювання, зокрема, гамма-нейтронного, детектор, комбінований

Формула / Реферат:

1. Комбінований детектор іонізуючих випромінювань, зокрема гамма-нейтронного випромінювання, що містить сцинтиляційні елементи, що чергуються зі світловодами з полімерного матеріалу; сцинтиляційні елементи та світловоди встановлені боковими сторонами до фотоприймача, при цьому всі елементи оптично з'єднані між собою та фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційні елементи являють собою попарно з'єднані з відбивачем посередині...

Номер патенту: 103711

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Літічевський Владислав Олександрович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович, Тарасов Володимир Олексійович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційного, альфа-випромінення, елемента, спосіб, реєстрації, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сцинтиляційного елемента для реєстрації альфа-часток, що включає змішування частинок сцинтиляційного матеріалу ZnSe встановленого розміру з імерсійним середовищем, який відрізняється тим, що попередньо подрібнюють і фракціонують частинки сцинтиляційного матеріалу в інертному неполярному розчиннику, отримані таким чином частинки порошку змішують з імерсійним середовищем з концентрацією порошку сцинтилятора в суміші 80-90...

Номер патенту: 101724

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Літічевський Владислав Олександрович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційна, виготовлення, панель, спосіб

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційна панель, що містить кристалічні частки сцинтиляційного матеріалу ZnSe в імерсійному середовищі, яка відрізняється тим, що імерсійним середовищем є клейка речовина для оптичного поєднання часток сцинтиляційного матеріалу з фотоприймачем, в якій вказані частки розташовані пошарово від більшого розміру часток, з боку фотоприймача, до меншого - з протилежної сторони від фотоприймача, при цьому концентрація зазначених часток...

Номер патенту: 78015

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Галич Юрій Михайлович, Воронкін Євгеній Федорович, Сосницька Ольга Олександрівна, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: B28D 1/04, B28D 1/24

Мітки: пластин, спосіб, порізки, елементи

Формула / Реферат:

Спосіб порізки пластин на елементи, що включає використання матеріалу-стабілізатора та подачу змащувально-охолоджувальної рідини в зону різання, який відрізняється тим, що як матеріал-стабілізатор використовують скло, пластини якого на клеючому складі поміщують між пластинами розрізуваного матеріалу та на крайні пластини, які утворюють пакет заготівки, а порізку здійснюють дисками з внутрішньою ріжучою кромкою.

Номер патенту: 101234

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Бреславський Ігор Анатолійович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Сосницька Ольга Олександрівна, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: B29D 11/00, G01T 1/202

Мітки: виготовлення, спосіб, багатоелементних, сцинтиляційних, збірок

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення багатоелементних сцинтиляційних збірок шляхом порізки пластини сцинтиляційного матеріалу потрібного розміру на необхідну кількість елементів у двох взаємно перпендикулярних напрямках і поміщення світловідбивача між ними, який відрізняється тим, що як сцинтиляційний матеріал використовують селенід цинку, легований алюмінієм ZnSe(Al), пластину якого перед порізкою жорстко закріплюють на світловідбивній підкладці, після...

Номер патенту: 71056

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Томашик Василь Миколайович, Галкін Сергій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Кравцова Анна Сергіївна, Стратійчук Ірина Борисівна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Сосницька Ольга Олександрівна, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/465

Мітки: цинк, поверхні, селеніду, полірованої, формування, спосіб, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...

Номер патенту: 94679

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Білецький Микола Іванович, Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Онищенко Геннадій Михайлович

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06

Мітки: бар'єром, шотткі, уф-фотодіод

Формула / Реферат:

1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під  напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...

Номер патенту: 92286

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євгеній Федорович, Лалаянц Олександр Іванович, Бреславський Ігор Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович

МПК: G01T 1/202, C30B 29/46, C30B 29/10 ...

Мітки: основі, одержання, спосіб, цинку, активованого, селеніду, напівпровідниковий, сцинтиляційний, матеріал

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі активованого селеніду цинку, який відрізняється тим, що активуючим елементом є елементи третьої групи, що утворюють з селенідом цинку тверді розчини заміщення, при співвідношенні компонентів, % мольн.: активуючий елемент 1.10-5-1.10-3 ZnSe решта. 2. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі...

Номер патенту: 48467

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євген Федорович, Шабашкевич Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович, Добровольський Юрій Георгійович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 31/0264, H01L 31/0216, H01L 31/06 ...

Мітки: ультрафіолетовому, шотткі, діапазоні, спектра, фотодіод, чутливий, бар'єром

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, що виконаний на основі селеніду цинку з бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що на бар'єрному надтонкому шарі нікелю виконаний додатковий просвітлюючий шар суміші двоокису олова (SnО2) та окису індію (Іn2О3) або шар двоокису олова (SnО2), легованого фтором, при цьому просвітлюючий шар...

Номер патенту: 89341

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Лалаянц Олександр Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 29/46, C01G 9/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термообробки, цинку, спосіб, активованих, селеніду, кристалів

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки активованих кристалів селеніду цинку, що включає попередній відпал кристалів і подальший відпал кристалів у насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим двостадійним охолодженням спочатку до температури 600±10 °С зі швидкістю 100+10 °С/хв., потім до кімнатної температури зі швидкістю 2-3 °С/хв., який відрізняється тим, що попередній відпал кристалів проводять у водні при...

Номер патенту: 87953

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Бреславський Ігор Анатолійович, Лалаянц Олександр Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Мітки: а2в6, монокристалів, вирощування, сполук, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів сполук А2В6, який полягає в тому, що шихту вказаної сполуки завантажують в тигель, розміщують диск, хімічно стійкий по відношенню до цієї сполуки, з щільністю, меншою відносно щільності розплаву, з високою теплопровідністю і з можливістю його вільного переміщення в тиглі під час вирощування, встановлюють тигель в установку для вирощування під тиском інертного газу і протягують тигель з розплавом через...

Номер патенту: 87944

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Стрельніков Сергій Миколайович, Лалаянц Олександр Іванович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Суздаль Віктор Семенович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 15/20

Мітки: аiiвvi, монокристалів, вирощування, групи, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів групи AІІBVI, що містить тигель із розплавом, верхній і нижній нагрівачі й систему теплоізоляції, поміщені в охолоджувану ростову піч, регулятор потужності нагрівачів, з'єднаний з їх струмовводами, а також вузол переміщення тигля, що включає з'єднаний з ним водоохолоджуваний шток, зв'язаний через черв'ячну передачу із двигуном його вертикального переміщення, блок управління зазначеним двигуном і...

Номер патенту: 42429

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Шабашкевич Борис Григорович, ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ, Галкін Сергій Миколайович, Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/0216, H01L 31/0264 ...

Мітки: шотткі, ультрафіолетовому, бар'єром, фотодіод, спектра, діапазоні, чутливий

Формула / Реферат:

Фотодіод з бар'єром Шотткі, чутливий в ультрафіолетовому діапазоні спектра, на основі селеніду цинку з напівпрозорим бар'єрним шаром нікелю з лицевої сторони ZnSe-підкладки та шаром індію із її зворотної сторони, який відрізняється тим, що бар'єрний шар нікелю пропускає не менше 70 % випромінювання на довжині хвилі 400 нм, має додаткове потовщення, що є контактним шаром нікелю на лицевій стороні ZnSe-підкладки, товщиною не менше 0,2 мкм,...

Номер патенту: 80070

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Воронкін Євгеній Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Козин Дмитро Миколайович, Квітницька Валентина Захарівна, Ополонін Олександр Дмитрович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C09G 1/00, G01T 1/202

Мітки: полірувальна, суміш

Формула / Реферат:

Полірувальний склад, що містить абразивний матеріал і змочувальну рідину, який відрізняється тим, що як змочувальну рідину він містить низькомолекулярний поліорганосилоксановий каучук типу СКТН-МЕД в'язкістю 7 пуаз, а як абразивний матеріал - високодисперсний двоокис кремнію в кількості 2-3 мас %.

Номер патенту: 79947

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Черніков Вячеслав Васильович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євген Федорович, Литвинов Леонід Аркадійович, Галкін Сергій Миколайович, Кривоносов Євген Володимирович, Кольнер Володимир Борисович, Малко Юрій Борисович

МПК: G01V 5/00, C04B 35/553, G01T 1/20 ...

Мітки: детектор, матеріал, основі, сцинтиляційний, керамічний

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний керамічний матеріал на основі LiF, який відрізняється тим, що, він додатково містить силікати рідкісноземельних елементів та/або тикор при співвідношенні основи до інших компонентів  10:(1-4), при цьому частинки силікатів рідкісноземельних елементів та/або тикору розміром 0,1-0,3 мм рівномірно розподілені в дисперсному середовищі частинок LiF того ж розміру.2. Детектор нейтронного випромінювання, який містить елементи...

Номер патенту: 76387

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович, Гриньов Борис Вікторович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Воронкін Євгеній Федорович, Сілін Віталій Іванович, Старжинський Микола Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович

МПК: C30B 33/02

Мітки: сцинтиляційного, основі, легованого, селеніду, цинку, домішкою, матеріалу, ізовалентною, спосіб, термообробки, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...

Номер патенту: 3606

Опубліковано: 15.12.2004

Автори: Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Лалаянц Олександр Іванович, Воронкін Євгеній Федорович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, напівпровідникових, контейнер, термообробки

Формула / Реферат:

Контейнер для термообробки напівпровідникових кристалів, виконаний з матеріалу, що містить вуглець, у вигляді трубчастого елементу з днищем та пробкою, коефіцієнт термічного розширення матеріалу якої відмінний від коефіцієнта термічного розширення матеріалу трубчастого елементу з днищем, який відрізняється тим, що в ньому додатково встановлена газопроникна графітова перегородка на відстані від дна, на якій температура на перегородці на...

Номер патенту: 2267

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Лалаянц Олександр Іванович

МПК: C30B 11/00

Мітки: аiibvi, тигель, вирощування, кристалів

Формула / Реферат:

Тигель для вирощування кристалів АIIBVI, виконаний у вигляді графітового циліндричного стакана, до верхньої частини якого прилаштована загвинчена графітова пробка, а нижня частина внутрішньої поверхні циліндричного стакана виконана у вигляді конусоподібного затравочного носика, який відрізняється тим, що він  складений з двох однакових тиглів із затравочними носиками, розташованих один над іншим, при цьому кришкою нижнього тигля є дно...

Номер патенту: 862

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: Воронкін Євген Федорович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович

МПК: C30B 35/00

Мітки: матеріалів, кристалізації, установка, очищення, синтезу

Формула / Реферат:

Установка для очищення, синтезу та кристалізації матеріалів, яка містить основу зі стійкою, вузол кріплення контейнера, який з'єднаний зі стійкою та складається   з передньої та задньої підпор, що з'єднані напрямними, контейнер, закріплений між підпорами з можливістю обер­тання у вертикальній площині, власна вісь обертання якого спрямована уздовж напрямних, та який з'єднаний з електрорушієм обертання навколо згаданої осі і огорнутий...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Галкін Сергій Миколайович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лисецька Олена Костянтинівна, Носачов Борис Григорович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: одержання, спосіб, цинку, селеніду, активованій, сировини, термообробки, телуром, кристалів

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Март'янов Генадій Сергійович, Гурін Вячеслав Анатолійович, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 35/00

Мітки: кристалів, напівпровідникових, термообробки, контейнер, летких

Формула / Реферат:

Контейнер для термообработки летучих полупроводниковых кристаллов, выполненный в виде трубчатого элемента с днищем, отличающийся тем, что трубчатый элемент снабжен пробкой из углеграфитового материала с плотностью не менее 1,8г/см3 и коэффициентом термического расширения, рапным (7 - 8) × 10-6град-1, а трубчатый элемент выполнен из композиционного материала, состоящего из углеграфитового порошка, с размером частиц не более 630мкм, и...

Номер патенту: 11008

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Дідаш Інеса Микитівна, Галкін Сергій Миколайович, Долгих Тамара Миколаївна

МПК: C01G 29/00, C01G 17/00

Мітки: відходів, переробки, спосіб, вісмуту, германату

Формула / Реферат:

1. Способ переработки отходов германата висмута, включающий их кислотную обработку и последующее выделение соединений металлов, от­личающийся тем, что проводят обработку отходов германата висмута смесью соляной и фосфорной кислот в соотношении 2:1 при температуре 60-80°С и соотношении твердого к жидкому 1:4.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что исполь­зуют соляную и фосфорную кислоты с концентра­цией 20% и 50% соответственно.