Патенти з міткою «cdte:i»
Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:i n-типу провідності
Номер патенту: 46915
Опубліковано: 11.01.2010
Автор: Горічок Ігор Володимирович
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, монокристалів, легованих, cdte:i, n-типу, провідності, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку вибирають CdI2 при концентрації йоду .