Патенти з міткою «n-типу»

Номер патенту: 90765

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/00

Мітки: n-типу, нанопорошків, термоелектричні, гілки, bi2te3, провідності

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом:

Номер патенту: 81627

Опубліковано: 10.07.2013

Автори: Лазарєв Олександр Олександрович, Азарова Олена Валеріївна, Філинюк Микола Антонович

МПК: H03K 17/00

Мітки: с-негатроні, послідовний, комутатор, n-типу

Формула / Реферат:

Послідовний комутатор на С-негатроні N-типу, який містить дві котушки індуктивності, загальну шину, три конденсатори, вхідну клему, вихідну клему, клему керування, перший вивід першої котушки індуктивності через другий вивід першого конденсатора підключено до загальної шини, та через другий вивід першого конденсатора до клеми керування, другий вивід першої котушки індуктивності через другий вивід другого конденсатора під'єднано до вхідної...

Номер патенту: 65673

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Туровська Лілія Вадимівна, Бойчук Володимира Михайлівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: провідності, легованих, кристалів, pbte:co, отримання, спосіб, n-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...

Номер патенту: 63536

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Галущак Мар'ян Олексійович, Карпаш Максим Олегович

МПК: C30B 11/02

Мітки: n-типу, легованого, pbte:bi, спосіб, отримання, сплаву

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого сплаву РbТе:Ві n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 62226

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Кідалов Валерій Вітальович, Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C03C 15/00

Мітки: склад, поліруючого, фосфіду, індію, травника, n-типу

Формула / Реферат:

Склад поліруючого травника для фосфіду індію n-типу, що включає плавикову кислоту (HF), який відрізняється тим, що додатково містить бромоводневу кислоту (HBr) та воду (H2O) при наступному співвідношенні компонентів: H2O:HF:HBr=5:5:l.

Номер патенту: 57476

Опубліковано: 25.02.2011

Автори: Сичікова Яна Олександрівна, Кідалов Валерій Віталійович, Мараховський Олександр Вікторович

МПК: H01L 21/3063

Мітки: електрохімічного, n-типу, лазером, отримання, травлення, шару, спосіб, зразків, методом, освітленні, поруватого

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання поруватого шару ZnSe, який характеризується тим, що включає обробку поверхні монокристалічного селеніду цинку шляхом електрохімічного травлення.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електрохімічне травлення проводять обробкою монокристала ZnSe у водному розчині НВr (концентрація кислоти 40 %), час травлення 15 хв при проходженні крізь електроліт постійного струму щільністю 150 мА/см2.3. Спосіб за п....

Номер патенту: 56812

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C22C 11/00

Мітки: сплаву, спосіб, pbte:ni, отримання, легованого, n-типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого сплаву PbTe:Ni n-типу, який полягає у тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 54902

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Карпаш Максим Олегович, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: отримання, n-типу, термоелектричного, спосіб, самолегованого

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного самолегованого РbТе n-типу, який включає розташування вихідних речовин, свинцю і телуру, у кварцовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певній температурі, потім ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять на фракції та здійснюють пресування порошку, який відрізняється тим, що вихідні речовини, свинець класу чистоти С-000 і телур Т-ВЧ, використовують у...

Номер патенту: 46915

Опубліковано: 11.01.2010

Автор: Горічок Ігор Володимирович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, монокристалів, спосіб, легованих, провідності, cdte:i, n-типу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку  вибирають CdI2 при концентрації йоду .

Номер патенту: 40443

Опубліковано: 10.04.2009

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C22C 11/00

Мітки: свинцю, n-типу, отримання, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 39123

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Дикун Наталія Іванівна, Борик Віктор Васильович

МПК: C30B 11/00

Мітки: n-типу, термоелектричними, параметрами, отримання, телуриду, спосіб, свинцю, покращеними

Формула / Реферат:

Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу із покращеними термоелектричними параметрами, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що завантаження вихідних речовин в...

Номер патенту: 36475

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Запухляк Руслан Ігорович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: n-типу, отримання, термоелектричного, свинцю, телуриду, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини: свинець, двойодистий свинець, нікель і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та...

Номер патенту: 30706

Опубліковано: 11.03.2008

Автор: Борик Віктор Васильович

МПК: C21D 1/00

Мітки: n-типу, телуриду, провідності, спосіб, отримання, сплавів, термоелектричних, свинцю

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...

Номер патенту: 30390

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дикун Наталія Іванівна

МПК: H01L 21/00, C01B 19/00

Мітки: свинцю, n-типу, оптимізованих, телуриду, основі, сплавів, термоелектричних, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: напівпровідникових, спосіб, кристалів, n-типу, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Номер патенту: 18230

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Лисюк Юрій Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна, Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: телуриду, меркурію, отримання, n-типу, провідності, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n-типу провідності, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі являє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, які піддають двотемпературному відпалу у парах...

Номер патенту: 65337

Опубліковано: 15.03.2004

Автор: Писклинець Уляна Михайлівна

МПК: C30B 33/00, C30B 31/00

Мітки: cdte:cl, провідності, отримання, монокристалів, n-типу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...

Номер патенту: 51767

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Старжинський Микола Григорович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 29/48, C30B 29/46

Мітки: спосіб, основі, селеніду, матеріалу, напівпровідникового, n-типу, цинку, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникового матеріалу n - типу на основі селеніду цинку, що включає вирощування кристалів із розплаву під тиском інертного газу з наступною термообробкою зразків у насичених парах цинку, який відрізняється тим, що за сировину для вирощування використовують частки розміром 0,1 - 2,0 мм, механоактивовані шляхом роздрібнення в середовищі, що вміщує кисень, попередньо вирощених кристалів селеніду цинку.

Номер патенту: 28553

Опубліковано: 16.10.2000

Автор: Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: C30B 1/00

Мітки: одержання, спосіб, ампулі, монокристалічних, х=0,2...0,22, пластин, hg1-xcdxte, n-типу, провідності, герметичний

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллических пластин, , при х=0,20-0,22, n-типа проводимости в герметичной ампуле, включающий загрузку шихты в стехеометрическом соотношении компонентов, синтез и гомогенизацию раствора--расплава, выращивание слитка с монокристаллическими блоками из поликристаллической заготовки, полученной в результате синтеза, разрезания слитка на пластины и отжиг...