Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:i n-типу провідності

Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:I n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу легуючої домішки з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що як легуючу домішку вибирають CdI2 при концентрації Корисна модель відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у приладобудуванні, оптоелектроніці. Монокристали телуриду кадмію широко використовуються як детектори іонізуючого випромінювання, активні елементи пристроїв нелінійної оптики, підкладки для CdZnTe та CdHgTe (С. Scheiber, G.C. Giakos. Medical applications of CdTe and CdZnTe detectors // Nuclear Instruments and Methods A. - 2001. - 458(1-2). - pp.12-25). Синтезовані сполуки вирощують методом Бріджмена при подальшому двотемпературному відII VI палі (Физика и химия соединений A B / Под ред. С.А. Медведеева. - М.: Мир, 1970. - 624с.). Описані способи не забезпечують отримання матеріалу із наперед заданими властивостями і типом провідності. Найбільш близьким до запропонованої корисної моделі є спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують із розплаву методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCІ2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів (Пат. № 65337А Україна, С30В31/00, 33/00. Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності: Пат. №65337А Україна, С30В31/00, 33/00 / Писклинець У.М. (Україна); Прикарпатський університет. -№ 2003076603; Заявл. 15.07.03; Опубл. 15.03.04; Бюл. №3, 2004). Однак цей спосіб їх отримання не забезпечує оптимальних значень електричних властивостей, зокрема концентрації носіїв та їх рухливості. Завданням корисної моделі є створити спосіб одержання монокристалів CdTe n-типу провідності за рахунок вибору легуючої домішки. Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання n-CdTe, який полягає в тому, що монокристали вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdI2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, згідно корисної моделі, в якості легуючої домішки береться СdІ2 при концентрації йоду 3 . Електронний тип провідності CdTe:I обумовлений в основному домішковими атомами Йоду NI розміщеними у вузлах аніонної підгратки ITe , концентрація яких із збільшенням парціального тиску пари кадмію зростає. Подібність у будові електронних оболонок та близькість атомних радіусів Йоду та заміщуваного ним атома телуру призводить до того, що в околі атома заміщення не виникає значних напружень ґратки, що робить кристали CdTe:I більш структурно досконалими аніж у випадку легування іншими домішками. Цей ефект сприяє зменшенню розсіювання на атомах домішки, та зростанню рухливостей носіїв заряду. Спосіб отримання монокристалів n-типу провідності здійснюється таким чином. Монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки Cdl 2 при NI (8 10 17 2 10 18 )см 3 . концентрації йоду Одержані монокристали CdTe:I піддають двотем (13) U . 46915 3 (11) 2 10 18 см 2 10 18 )см UA (8 10 17 (19) йоду NI 3 46915 пературному відпалу. Приклад конкретного виконання Монокристали кадмій телуриду n-типу провідності вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки Cdl2 при концентрації йоду NI (8 10 17 2 10 18 )см 3 Комп’ютерна верстка А. Рябко 4 ристали CdTe:I піддають двотемпературному відпалу у парі кадмію. Одержані монокристали nCdTe:I володіють високими значеннями концентрації носіїв та їх рухливостей і можуть використовуватись у приладобудуванні, оптоелектроніці для створення бар'єрних структур та р-n-переходів. . Одержані монок Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601