Патенти з міткою «cdte:v»
Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:v n- i p-типу
Номер патенту: 24510
Опубліковано: 10.07.2007
Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: cdte:v, отримання, легованих, p-типу, спосіб, монокристалів
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390 °С, температура другої зони дорівнює 1280 °С, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки (ванадій)...