Бабущак Галина Ярославівна

Номер патенту: 29700

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Сташко Назар Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, отримання, кристалів, p-znse

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів p-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для здійснення їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe p-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т = (1420 ± 3) К і парціальному тиску...

Номер патенту: 29699

Опубліковано: 25.01.2008

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: n-znse, кристалів, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалів n-ZnSe, який полягає в тому, що вихідні компоненти - цинк і селен - поміщають у заповнену аргоном кварцову ампулу із трисекційною піччю для їх випаровування, взаємодії та кристалізації, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що для отримання кристалів ZnSe n-типу провідності двотемпературний відпал здійснюють при температурі Т=(1420±3)К і парціальному тиску пари цинку...

Номер патенту: 26752

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, напівпровідникових, кристалів, n-типу, отримання

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS n-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т = (1170±3) К при...

Номер патенту: 26751

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Сташко Назар Васильович, Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 1/00

Мітки: спосіб, кристалів, p-типу, отримання, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170

Номер патенту: 24510

Опубліковано: 10.07.2007

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Бабущак Галина Ярославівна, Межиловська Любов Йосипівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, cdte:v, монокристалів, p-типу, спосіб, легованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390 °С, температура другої зони дорівнює 1280 °С, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки (ванадій)...

Номер патенту: 18232

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Дмитрів Анжела Миколаївна, Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Михайльонка Руслан Ярославович

МПК: C30B 11/02

Мітки: p-типу, телуриду, монокристалів, провідності, спосіб, отримання, меркурію

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання монокристалів меркурію телуриду n- і р-типу, в якому як вихідні речовини використовують чистий меркурій і чистий телур, синтезують у трисекційній печі, при цьому одну секцію печі використовують для випаровування меркурію, другу - для випаровування телуру, середня секція печі представляє собою реакційний простір, де пари змішуються, реагують і конденсуються, утворюючи кристали сполуки, який відрізняється тим, що одержані...