Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:v n- i p-типу
Номер патенту: 24510
Опубліковано: 10.07.2007
Автори: Бабущак Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390 °С, температура другої зони дорівнює 1280 °С, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки (ванадій) складає Сv=1018-1020 см-3.
2. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності за п. 1, який відрізняється тим, що при подальшому відпалюванні кристалів CdTe:V при максимальному тиску насиченої пари додаткового надстехіометричного Cd над кристалом CdTe:V тривалістю 30 хв. з наступним гартуванням шляхом швидкого занурення ампули у воду чи масло отримували матеріал n-типу провідності, а при мінімальному тиску пари додаткового надстехіометричного Cd над кристалом CdTe:V отримували матеріал р-типу провідності.
Текст
1. Спосіб отримання легованих монокристалів CdTe:V n- i р-типу провідності, в якому як вихідну речовину використовують кадмій і телур особливо чистих марок, взяті у співвідношенні, що відповідає стехіометричному складу сполуки CdTe, і ванадій, поміщають у двозонну піч, нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390°С, темпера 3 24510 муючи напівпровідникові кристали з різним типом провідності в залежності від величини тиску пари додаткового надстехіометричного кадмію. Приклад конкретного виконання Як вихідну речовину використовують кадмій і телур марок ос.ч., взяті у співвідношенні, що відповідають стехіометричному складу сполуки CdTe і ванадій, з концентрацію легуючої домішки у межах Сv=1018-1020см -3. Нагрів у першій зоні проводять при температурі 1390°К, температура другої зони дорівнює 1280°К. Відпал зразків проводився в запаяних ампулах, які розмішували на температурному плато печі при ТB=1073°К, отримуючи напів Комп’ютерна в ерстка А. Рябко 4 провідникові кристали з типом провідності яка залежить від величини тиску пари додаткового надстехіометричного кадмію. Для прикладу кристал CdTe:V з концентрацією легуючої домішки 1,8·1018см -3 , відпалювався при максимальному тиску насиченої пари додаткового надстехіометричного Cd над кристалом CdTe:V, тривалістю 30хв. з наступним гартуванням шляхом швидкого занурення ампули у воду чи масло набуває провідності n-типу, а при мінімальному тиску пари додаткового надстехіометричного Cd над кристалом CdTe:V отримували матеріал р-типу провідності. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for production of alloyed monocrystals of cdte:v n- and p-type
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Mezhylovska Liubov Yosypivna, Babuschak Halyna Yaroslavivna
Назва патенту російськоюСпособ получения легированных монокристаллов cdte:v n- и p-типа
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Межиловская Любовь Иосифовна, Бабущак Галина Ярославовна
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, легованих, монокристалів, p-типу, спосіб, cdte:v
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-24510-sposib-otrimannya-legovanikh-monokristaliv-cdtev-n-i-p-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання легованих монокристалів cdte:v n- i p-типу</a>
Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n- cdte
Номер патенту: 65338
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дмитрів Анжела Миколаївна
МПК: C30B 31/00, C30B 33/00
Мітки: монокристалів, хлором, отримання, спосіб, легованих
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих хлором монокристалів n-CdTe, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію PCd>6-103 Па, час відпалу становить...
Спосіб отримання монокристалів cdte:in n- і p-типу провідності
Номер патенту: 61299
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Прокопів Володимир Васильович
МПК: C30B 11/02
Мітки: монокристалів, cdte:in, отримання, провідності, спосіб, p-типу
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів CdTe:In n- і р-типу провідності, що включає використання як вихідної речовини телуриду кадмію стехіометричного складу, який розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні...
Спосіб отримання монокристалів cdte:cl p-типу провідності
Номер патенту: 65336
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Писклинець Уляна Михайлівна, Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 33/02, C30B 31/00
Мітки: спосіб, провідності, отримання, cdte:cl, p-типу, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NCl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2·102-6·103 Па,...
Спосіб отримання монокристалів cdte:cl n-типу провідності
Номер патенту: 65337
Опубліковано: 15.03.2004
Автор: Писклинець Уляна Михайлівна
МПК: C30B 33/00, C30B 31/00
Мітки: cdte:cl, монокристалів, n-типу, спосіб, провідності, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів, який відрізняється тим, що концентрація легуючої домішки складає NСl =2-1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6.102 Па, час...
Спосіб отримання легованого cdte:mn n-i p-типу провідності
Номер патенту: 19930
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Борик Віктор Васильович, Михайльонка Руслан Ярославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: легованого, cdte:mn, отримання, p-типу, провідності, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідні речовини кадмій і телур розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони -1400К, температура другої зони - 1280К, який відрізняється тим, що концентрацію легуючої домішки змінюють в межах Ммn=1017-1021см-3.2. Спосіб отримання легованого CdTe:Mn n- і р-типу провідності за п. 1, який...
Попередній патент: Спосіб доклінічної діагностики можливої схильності до вживання психоактивних речовин
Наступний патент: Гербіцидна композиція
Випадковий патент: Установка для випробувань матеріалів в умовах динамічного контактного навантаження