Патенти з міткою «cu7ps6»
Спосіб вирощування монокристалів купрум(і)гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву
Номер патенту: 109136
Опубліковано: 27.07.2015
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович
МПК: C30B 11/04
Мітки: спосіб, cu7ps6, монокристалів, купрум(і)гексатіофосфату, вирощування, спрямовано, кристалізації, методом, розплаву
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...
Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву
Номер патенту: 81118
Опубліковано: 25.06.2013
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Севрюков Дмитро Володимирович
МПК: C30B 11/00
Мітки: методом, кристалізації, спрямовано, гексатіофосфату, розплаву, монокристалів, вирощування, cu7ps6, спосіб, купрум(і
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...