Погодін Артем Ігорович

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 13/00, C30B 13/04, C30B 9/00 ...

Мітки: розплаву-розчину, розчинів, методом, спрямовано, спосіб, твердих, складу, вирощування, cu1-xagx)7ges5i, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: спосіб, вирощування, методом, кристалізації, cu7ges5i, розплаву-розчину, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/46, C30B 1/06, C30B 11/02 ...

Мітки: вирощування, ag7ges5i, кристалізації, спрямовано, розплаву-розчину, методом, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 13/04, C30B 9/00, C30B 13/00 ...

Мітки: методом, розплаву, вирощування, спосіб, спрямовано, ag7ges5i, кристалізації, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/04

Мітки: монокристалів, спрямовано, методом, купрум(і)гексатіофосфату, кристалізації, спосіб, вирощування, cu7ps6, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: монокристалів, кристалізації, купрум(і)пентатіофосфату(v, йодиду, cu6ps5i, вирощування, спосіб, розплаву, спрямовано, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: монокристалів, розплаву, спосіб, купрум(і)пентатіофосфату(v, спрямовано, методом, кристалізації, вирощування, броміду, cu6ps5br

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00, C01G 35/00, C01G 5/00 ...

Мітки: ag6tas5i, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/06

Мітки: розплаву, спрямовано, пентатіофосфату(v, вирощування, спосіб, кристалізації, монокристалів, cu6ps5br, методом, броміду, купрум(і

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, спрямовано, монокристалів, пентатіофосфату(v, методом, cu6ps5i, купрум(і, йодиду, вирощування, спосіб, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: розплаву, гексатіофосфату, монокристалів, купрум(і, кристалізації, методом, спосіб, cu7ps6, вирощування, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: аргентум(і, спосіб, ag6tas5i, йодиду, пентатіотанталату(v, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, хлорид-йодиду, розчинів, спосіб, пентатіофосфату, реакцій, cu6ps5(ci0,5i0,5, транспортних, допомогою, вирощування, купрум, твердих, хімічних

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/14

Мітки: реакцій, розчинів, хлориду-броміду, допомогою, хімічних, купрум, транспортних, вирощування, спосіб, монокристалів, пентатіофосфату, твердих, cu6ps5cl0,5br0,5

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/14

Мітки: хімічних, транспортних, монокристалів, спосіб, йодиду, допомогою, розчинів, вирощування, cu6ps5(cl1-xix, пентатіофосфату, твердих, купрум-хлорид, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: розчинів, допомогою, хімічних, вирощування, купрум, cu6ps5(br0,5i0,5, спосіб, транспортних, твердих, реакцій, броміду-йодиду, монокристалів, пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Паньков Василь Васильович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/00

Мітки: твердих, пентатіофосфату, хлориду-броміду, купрум, вирощування, транспортних, допомогою, монокристалів, 6ps5(cl1-xbrx, спосіб, хімічних, реакцій, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/14

Мітки: пентатіофосфату, броміду-йодиду, транспортних, допомогою, реакцій, твердих, cu6ps5(br1-xix, купрум, розчинів, хімічних, вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...