Кохан Олександр Павлович

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 13/04, C30B 9/00, C30B 13/00 ...

Мітки: складу, розчинів, cu1-xagx)7ges5i, спосіб, методом, вирощування, розплаву-розчину, твердих, кристалізації, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: методом, спосіб, вирощування, розплаву-розчину, спрямовано, кристалізації, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: C30B 29/46, C30B 1/06, C30B 11/02 ...

Мітки: спрямовано, спосіб, ag7ges5i, методом, кристалізації, розплаву-розчину, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00, C30B 13/04 ...

Мітки: кристалізації, вирощування, ag7ges5i, розплаву, розчину, спосіб, спрямовано, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 111018

Опубліковано: 10.03.2016

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Гуранич Павло Павлович, Кохан Олександр Павлович, Бендак Андрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Ізай Віталій Юрійович

МПК: H01M 6/18

Мітки: основі, джерела, міді, твердоелектролітичного, застосування, йодид-пентатіогерманату, cu7ges5i, аморфної, енергії, плівки, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/04

Мітки: кристалізації, cu7ps6, спосіб, методом, монокристалів, спрямовано, розплаву, купрум(і)гексатіофосфату, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: монокристалів, спосіб, купрум(і)пентатіофосфату(v, кристалізації, йодиду, спрямовано, вирощування, cu6ps5i, розплаву, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: броміду, cu6ps5br, спрямовано, купрум(і)пентатіофосфату(v, вирощування, методом, монокристалів, кристалізації, спосіб, розплаву

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 98739

Опубліковано: 12.05.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Гуранич Павло Павлович, Бендак Андрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Ізай Віталій Юрійович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01F 1/00

Мітки: аморфної, cu7ges5i, матеріалу, міді, основі, застосування, йодид-пентатіогерманату, плівки, джерела, твердоелектролітичного, енергії

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для аморфної плівки, що має високу електричну провідність, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 107093

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C01G 35/00, C30B 11/00, C01G 5/00 ...

Мітки: одержання, ag6tas5i, спосіб, аргентум(і)пентатіотанталату(v)йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум(I) пентатіотанталату(V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні: срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К зі швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 107079

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Кайла Маріанна Іванівна, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, реакцій, спосіб, хімічних, розчинів, допомогою, cu6(pxas1-x)s5i, пентатіофосфату-арсенату, транспортних, йодиду, монокристалів, вирощування, купрум

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 81137

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: H01M 6/18

Мітки: твердоелектролітичного, міді, йодид-пентаселеногерманату, cu7gese5i, джерела, основі, енергії, монокристалу, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал на основі монокристалу йодид-пентаселеногерманату міді Cu7GeSe5I для твердоелектролітичного джерела енергії, який має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності.

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/06

Мітки: купрум(і, методом, кристалізації, пентатіофосфату(v, вирощування, броміду, монокристалів, розплаву, cu6ps5br, спрямовано, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: спосіб, пентатіофосфату(v, купрум(і, кристалізації, cu6ps5i, розплаву, методом, спрямовано, монокристалів, вирощування, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: монокристалів, спрямовано, вирощування, спосіб, розплаву, гексатіофосфату, методом, купрум(і, cu7ps6, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 76499

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C01G 5/00, C01G 35/00

Мітки: аргентум(і, спосіб, ag6tas5i, пентатіотанталату(v, йодиду, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання аргентум (І) пентатіотанталату (V) йодиду Ag6TaS5I, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти елементарні срібло і сірку, тантал дисульфіду TaS2 у необхідному стехіометричному співвідношенні, до 673±5 К з швидкістю 50 К/год., витримку при цій температурі 24 години, подальше нагрівання до 1123±5 К і витримку 72 години, охолодження до 773±5 К (50 К/год.) та...

Номер патенту: 100628

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: хлорид-йодиду, спосіб, твердих, купрум, cu6ps5(ci0,5i0,5, монокристалів, вирощування, реакцій, пентатіофосфату, хімічних, транспортних, допомогою, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 100201

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, спосіб, транспортних, вирощування, хімічних, допомогою, хлориду-броміду, cu6ps5cl0,5br0,5, реакцій, пентатіофосфату, купрум, монокристалів, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5Cl0,5Br0,5 за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 72245

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/00, H01M 6/18

Мітки: твердого, cu7ge(s0,7se0,3)5i, застосування, розчину, енергії, твердоелектролітичного, джерела, монокристалу, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування монокристалу твердого розчину Cu7Ge(S0,7Se0,3)5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 70707

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Кохан Олександр Павлович, Кайла Маріанна Іванівна, Мінець Юрій Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: спосіб, йодиду, pxas1-x)s5i, реакцій, монокристалів, хімічних, купрум, допомогою, пентатіофосфату-арсенату, розчинів, вирощування, транспортних, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум йодиду пентатіофосфату-арсенату Cu6(PxAs1-x)S5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів з використанням як транспортуючого...

Номер патенту: 70628

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: твердих, купрум-хлорид, допомогою, монокристалів, спосіб, cu6ps5(cl1-xix, хімічних, розчинів, вирощування, реакцій, транспортних, йодиду, пентатіофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 98263

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/14

Мітки: допомогою, cu6ps5(br0,5i0,5, монокристалів, транспортних, реакцій, спосіб, броміду-йодиду, вирощування, купрум, розчинів, пентатіофосфату, хімічних, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 69181

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Паньков Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Пономарьов Вадим Євгенович

МПК: C30B 11/00

Мітки: твердих, пентатіофосфату, монокристалів, купрум, 6ps5(cl1-xbrx, хімічних, спосіб, розчинів, реакцій, хлориду-броміду, допомогою, транспортних, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлориду-броміду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl1-xBrx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 64603

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Пономарьов Вадим Євгенович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: монокристалів, вирощування, хімічних, розчинів, твердих, транспортних, спосіб, реакцій, броміду-йодиду, купрум, cu6ps5(br1-xix, пентатіофосфату, допомогою

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум броміду-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Br1-xIx) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні...

Номер патенту: 93332

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/14, C30B 11/00 ...

Мітки: реакцій, вирощування, cu6ass5i, спосіб, транспортних, монокристалів, купрум, допомогою, хімічних, йодиду-пентатіоарсенату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 54730

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович, Мінець Юрій Васильович, Панько Василь Васильович

МПК: C30B 11/14

Мітки: купрум, транспортних, йодиду-пентатіоарсенату, вирощування, монокристалів, cu6ass5i, хімічних, спосіб, допомогою, реакцій

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу...

Номер патенту: 91876

Опубліковано: 10.09.2010

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Стасюк Юрій Михайлович

МПК: G01N 27/333

Мітки: застосування, розчинів, розчинах, визначення, твердих, іоноселективного, електрода, монокристалів, cu7(si0,7ge0,3)s5i, матеріалу, мембрани, кислих, міді

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів твердих розчинів Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення міді в кислих розчинах.

Номер патенту: 39078

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Стасюк Юрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: G01N 27/333

Мітки: твердого, кислих, монокристал, мембрани, розчинах, cu7(si0,7ge0,3)s5i, розчину, купруму, визначення, електрода, матеріал, іоноселективного

Формула / Реферат:

Монокристал твердого розчину Cu7(Si0,7Ge0,3)S5I як матеріал мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах.

Номер патенту: 85146

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович, Мінець Юрій Васильович, Біланчук Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: енергії, cu7ges5i, міді, матеріалу, джерела, твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, застосування

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 84215

Опубліковано: 25.09.2008

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Ковач Степан Калманович, Стасюк Юрій Михайлович, Гречин Михайло Іванович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01N 27/333

Мітки: визначення, матеріалу, йодиду-пентатіосилікату, застосування, купрум, кислих, електрода, розчинах, мембрани, купруму, cu7sis5i, монокристалів, іоноселективного

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів купрум йодиду-пентатіосилікату Cu7SiS5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення Купруму в кислих розчинах.

Номер патенту: 31019

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Біланчук Василь Васильович, Студеняк Ігор Петрович, Мінець Юрій Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: матеріалу, джерела, застосування, енергії, твердоелектролітичного, йодид-пентатіогерманату, міді, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Застосування йодид-пентатіогерманату міді Cu7GeS5I як матеріалу для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 22820

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Ковач Степан Калманович, Кохан Олександр Павлович, Панько Василь Васильович, Стасюк Юрій Михайлович, Гречин Михайло Іванович

МПК: G01N 27/333

Мітки: мембрани, матеріалу, іоноселективного, застосування, електрода, розчинах, купруму, визначення, cu7sis5i, кислих, йодиду-пентатіосилікату, монокристалів, купрум

Формула / Реферат:

Застосування монокристалів купрум йодиду-пентатіосилікату Cu7SiS5I як матеріалу мембрани іоноселективного електрода для визначення купруму в кислих розчинах.

Номер патенту: 19341

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Панько Василь Васильович, Кохан Олександр Павлович, Яновицький Олександр Константинович, Гаврилюк Валентин Миколайович, Ковач Степан Калманович, Лубенець Володимир Гаврилович, Балог Йосип Степанович

МПК: G01N 27/333

Мітки: іоноселективного, міді, мембрани, кислих, електрода, матеріал, розчинах, визначення

Формула / Реферат:

Применение иодид-пентатиофосфата меди (1) в качестве материала мембраны ионоселективного электрода для определения меди в кислых растворах.