Патенти з міткою «купрум(і»
Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву
Номер патенту: 81127
Опубліковано: 25.06.2013
Автори: Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович
МПК: C30B 11/06
Мітки: спрямовано, спосіб, методом, cu6ps5br, броміду, пентатіофосфату(v, розплаву, кристалізації, купрум(і, монокристалів, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...
Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву
Номер патенту: 81126
Опубліковано: 25.06.2013
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: йодиду, методом, cu6ps5i, пентатіофосфату(v, купрум(і, монокристалів, кристалізації, спрямовано, вирощування, розплаву, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....
Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) гексатіофосфату cu7ps6 методом спрямованої кристалізації з розплаву
Номер патенту: 81118
Опубліковано: 25.06.2013
Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Севрюков Дмитро Володимирович
МПК: C30B 11/00
Мітки: спосіб, купрум(і, гексатіофосфату, розплаву, вирощування, методом, cu7ps6, монокристалів, спрямовано, кристалізації
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...