Патенти з міткою «спрямовано»

Номер патенту: 120661

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Ізай Віталій Юрійович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 9/00, C30B 13/00, C30B 13/04 ...

Мітки: розплаву-розчину, спосіб, методом, вирощування, твердих, розчинів, спрямовано, cu1-xagx)7ges5i, складу, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у стехіометричних співвідношеннях, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 K вище температури плавлення, і шихту витримують при цій...

Номер патенту: 115514

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Баранов В'ячеслав Валерійович, Гринь Леонід Олексійович, Танько Аліна Вікторівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Романенко Андрій Олександрович

МПК: C30B 29/20, C30B 11/14, C30B 11/02 ...

Мітки: спрямовано, вирощування, тугоплавких, кристалізації, горизонтально, методом, оксидів, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...

Номер патенту: 120186

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/00, C30B 9/00

Мітки: вирощування, спрямовано, спосіб, методом, кристалізації, розплаву-розчину, cu7ges5i

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Cu7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, що включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений CuI у стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1323 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше...

Номер патенту: 115204

Опубліковано: 25.09.2017

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Ізай Віталій Юрійович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович

МПК: C30B 11/02, C30B 1/06, C30B 29/46 ...

Мітки: спосіб, вирощування, методом, ag7ges5i, розплаву-розчину, спрямовано, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву - розчину, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 114121

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Романенко Андрій Олександрович, Гринь Леонід Олексійович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Танько Аліна Вікторівна

МПК: C30B 11/14, C30B 11/02, C30B 29/20 ...

Мітки: горизонтально, вирощування, монокристалів, тугоплавких, оксидів, спосіб, спрямовано, методом, кристалізації

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...

Номер патенту: 114854

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Погодін Артем Ігорович, Ізай Віталій Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 13/04, C30B 9/00, C30B 13/00 ...

Мітки: спосіб, вирощування, кристалізації, розплаву, ag7ges5i, методом, спрямовано, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування Ag7GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: срібло, германій, сірку та попередньо синтезований і очищений AgІ у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури 1273 К і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють...

Номер патенту: 112911

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Марцин Лісевич, Валентин Костріца, Юлія Квасніцка, Артур Вехчинскі

МПК: C21D 9/00, B22D 27/04, B22D 35/06 ...

Мітки: турбін, спосіб, лопатей, виготовлення, монокристалічної, пристрій, газових, виливків, кристалізації, спрямовано, структури

Формула / Реферат:

1. Спосіб спрямованої кристалізації виливків лопатей газових турбін спрямованої і монокристалічної структури, який включає вертикальне переміщення керамічної оболонкової форми з розплавом, що кристалізується, із зони нагрівання в зону охолодження та його охолодження струменем інертного газу, що спрямовують на ливарну форму у верхній частині зони охолодження, який відрізняється тим, що охолодження виливка лопаті проводять щонайменше одним...

Номер патенту: 109136

Опубліковано: 27.07.2015

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/04

Мітки: купрум(і)гексатіофосфату, вирощування, спрямовано, кристалізації, розплаву, монокристалів, спосіб, cu7ps6, методом

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що проводять нагрівання до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при цьому...

Номер патенту: 108883

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10

Мітки: купрум(і)пентатіофосфату(v, йодиду, розплаву, вирощування, cu6ps5i, методом, кристалізації, спосіб, монокристалів, спрямовано

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І)пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuI у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24...

Номер патенту: 108882

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Кохан Олександр Павлович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00

Мітки: броміду, спосіб, спрямовано, кристалізації, методом, cu6ps5br, вирощування, монокристалів, розплаву, купрум(і)пентатіофосфату(v

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку, а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81127

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Погодін Артем Ігорович, Соломон Андрій Михайлович, Кохан Олександр Павлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: C30B 11/06

Мітки: cu6ps5br, броміду, пентатіофосфату(v, спрямовано, методом, кристалізації, купрум(і, вирощування, монокристалів, розплаву, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) броміду Cu6PS5Br методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований CuBr у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і розплав витримують при цій температурі...

Номер патенту: 81126

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Погодін Артем Ігорович, Кохан Олександр Павлович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: розплаву, купрум(і, вирощування, пентатіофосфату(v, спосіб, методом, cu6ps5i, кристалізації, спрямовано, монокристалів, йодиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) пентатіофосфату(V) йодиду Cu6PS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти мідь, фосфор, сірку а також попередньо синтезований Cul у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводять до максимальної температури і витримують при цій температурі протягом 24 год....

Номер патенту: 81118

Опубліковано: 25.06.2013

Автори: Севрюков Дмитро Володимирович, Погодін Артем Ігорович, Студеняк Ігор Петрович, Кохан Олександр Павлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: кристалізації, гексатіофосфату, монокристалів, купрум(і, методом, cu7ps6, спосіб, спрямовано, розплаву, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів купрум(І) гексатіофосфату Cu7PS6 методом спрямованої кристалізації з розплаву, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, фосфор, сірку у необхідному стехіометричному співвідношенні, який відрізняється тим, що нагрівання проводиться до максимальної температури, витримування при цій температурі протягом 24 год. та подальше вирощування монокристалів, при...

Номер патенту: 73989

Опубліковано: 17.10.2005

Автори: Діліп М. Шах, Алан Д. Сетел

МПК: C22C 19/05

Мітки: корозійностійкий, основі, нікелю, деталь, спрямовано, суперсплав, високоміцний, скристалізована

Формула / Реферат:

1. Спрямовано скристалізована деталь з високоміцного, корозійностійкого та стійкого до окиснення суперсплаву на основі нікелю, який містить хром, кобальт, молібден, вольфрам, тантал, алюміній, титан, бор та вуглець, а також домішку цирконію, та який має основу, що містить карбідну фазу, яка відрізняється тим, що сплав містить компоненти у такому співвідношенні, мас. %: хром 10 - 13,5 кобальт...

Номер патенту: 72096

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Боковня Галина Іванівна, Тимошенко Віктор Валентинович, Тетерятник Олександр Анатолійович, Костенюк Олександр Олександрович, Фомін Анатолій Вікторович

МПК: E02F 5/02

Мітки: конусна, газоімпульсним, фреза, інтенсифікатором, спрямовано, дії

Формула / Реферат:

Конусна фреза з газоімпульсним інтенсифікатором спрямованої дії, що містить газоімпульсне обладнання, яка відрізняється тим, що має рухому конусну фрезу з випускними отворами, всередині якої розташований нерухомий конус з робочими камерами високого тиску, які утворюють з поздовжньою віссю базової машини кут 45°, завдяки чому витікання високого імпульсу газу завжди відбувається в напрямку руху базової машини при відриванні траншей в міцних...

Номер патенту: 57830

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Йоттель Міхаель, Шварц Зігфрид, Пачев Владимир, Рьомер Вольфганг, Тіме Іна

МПК: A61K 31/565, A61P 5/30, A61K 31/57 ...

Мітки: стероїд, нервовій, центральний, естрогену, активний, композиції, системі, дефіциту, спрямовано, агент, фармацевтично, призначеної, компенсації

Формула / Реферат:

1. Застосування стероїду загальної формули І I,в якійR1 означає атом водню, гідроксильну групу або алкілоксигрупу, що має 1-5 атомів вуглецю,R2 означає атом водню, алкільну групу, що має 1-5 атомів вуглецю, ацильну групу, що включає 1-5 атомів вуглецю, групу загальної формули SO2NR10R11, де R10 і R11 незалежно один від одного означають атом водню, алкільну групу з 1-5 атомами вуглецю або разом з атомом азоту...

Номер патенту: 41888

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Хофманн Уве, Штріттматтер Вольфганг, Штадльмюллер Йорг, Йегле Карлота-Сільва, Матцку Зігфрід, Фон Хьогєн Ілка

МПК: A61K 38/00, A61K 38/18, A61K 38/16 ...

Мітки: пухлинної, олюдненого, композиція, клітині, спосіб, фрагменту, отримання, мишачого, складається, злитий, антитіла, спрямовано, моноклонального, мав425, фармацевтична, білок

Формула / Реферат:

Слитый белок, состоящий из мышиного или очеловеченного моноклонального антитела Mab425 или его фрагмента, направленного против опухолевой клетки, несущей антигенную детерминанту рецептора эпидермального фактора роста (EGF-R), и биологически активного цитокина, слитого с указанным антителом или фрагментом антитела, и обладающего цитотоксической способностью к специфическому лизису опухолевой клетки.2. Слитый белок по п. 1, отличающийся...