Патенти з міткою «електронах»

Номер патенту: 87750

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Лисенко Олександр Володимирович, Губанів Ігор Валерійович, Куліш Віктор Васильович, Бруснік Ала Юріївна

МПК: H05H 9/00, H01J 25/00, H01S 3/00 ...

Мітки: вільних, параметричний, супергетеродинний, електронах, лазер

Формула / Реферат:

1. Супергетеродинний параметричний лазер на вільних електронах, який містить інжектор та прискорювач релятивістського електронного пучка, що складається з щонайменше однієї секції, систему накачки, що складається з щонайменше однієї секції, електродинамічну систему електромагнітного сигналу, електронний колектор та підсилювач комбінаційної електронної хвилі, який відрізняється тим, що підсилювач комбінаційної електронної хвилі виконаний у...

Номер патенту: 14547

Опубліковано: 09.01.1997

Автори: Крутько Олег Борисович, Кайлюк Олександр Георгійович, Куліш Віктор Васильович, Квак Олександр Олександрович

МПК: H01J 25/00

Мітки: вільних, лазер, електронах

Формула / Реферат:

Лазер на свободных электронах, содержащий электродинамическую систему генерируемого сиг­нала, на оптической оси которой размещены ис­точник релятивистского электронного пучка, коллектор электронов, система накачки и система изохронизации взаимодействия, отличающийся тем» что система изохронизации выполнена в виде создающей поперечное периодически реверсивное вихревое электрическое поле последовательности расположенных вдоль оптической оси и...

Номер патенту: 7501

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Скакун Василь Захарович, Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/28

Мітки: типу, електронах, приладів, контактів, формування, спосіб, гарячих, напівпровідників, основі

Формула / Реферат:

Способ формирования контактов к приборам на горячих электронах на основе полупроводников типа АІІІBV, включающий очистку поверхности полупроводника с помощью импульсной фотонной обработки, формирование контактного, барьерно­го и технологического слоев и термообработку при температуре выше точки плавления контактного слоя, проводимые в едином технологическом цик­ле, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия...

Номер патенту: 3681

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Бондаренко Борис Миколайович, Дзєдолік Ігор Вікторович

МПК: H01J 25/00

Мітки: лазер, електронах, вільних

Формула / Реферат:

1. Лазер на свободных электронах, включающий электронную пушку, входную магнитную поворотную систему, секции группировки и отбора энергии, выходную магнитную поворотную систему, коллектор электронов, расположенные по ходу электронного пучка, и зеркальный резонатор, отличающийся тем, что дополнительно введена ускорительная секция, расположенная между секциями группировки и отбора энергии.2. Лазер на свободных электронах по п. 1,...