Коваленко Леонід Євгенійович
Спосіб формування контактів до приладів на гарячих електронах на основі напівпровідників типу а в
Номер патенту: 7501
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Іванов Володимир Миколайович, Коваленко Леонід Євгенійович, Скакун Василь Захарович
МПК: H01L 21/28
Мітки: формування, типу, електронах, контактів, основі, напівпровідників, гарячих, спосіб, приладів
Формула / Реферат:
Способ формирования контактов к приборам на горячих электронах на основе полупроводников типа АІІІBV, включающий очистку поверхности полупроводника с помощью импульсной фотонной обработки, формирование контактного, барьерного и технологического слоев и термообработку при температуре выше точки плавления контактного слоя, проводимые в едином технологическом цикле, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия...
Контакт із бар’єром шотткі до арсеніду галлія
Номер патенту: 7499
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Яшнік Владілен Макарович, Цвірко Юрій Антонович, Іванов Володимир Миколайович, Скакун Василь Захарович, Коваленко Леонід Євгенійович
МПК: H01L 29/40
Контакт до напівпровідникових елементів на основі ііі v сполучень а в
Номер патенту: 5310
Опубліковано: 28.12.1994
Автори: Іванов Володимир Миколайович, Цвірко Юрій Антонович, Яшнік Владілен Макарович, Коваленко Леонід Євгенійович
МПК: H01L 21/18
Мітки: напівпровідникових, ііі, контакт, елементів, основі, сполучень
Формула / Реферат:
Контакт к полупроводниковым элементам на основе соединений АIIIВV, содержащий контактный слой, внешний токопроводящий слой и расположенный между ними барьерный слой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и улучшения электрических параметров контакта, барьерный слой выполнен из электропроводящих соединений на основе фаз внедрения переходных металлов ІІІ-VІ групп.
Спосіб формування бар’єра шотткі до напівпровіників а в
Номер патенту: 4739
Опубліковано: 28.12.1994
Автори: Скакун Василь Захарович, Коваленко Леонід Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович
МПК: H01L 29/00
Мітки: спосіб, шотткі, напівпровіників, формування, бар'єра
Формула / Реферат:
Способ формирования барьера Шоттки к полупроводникам AIIIBV, включающий нанесение на поверхность полупроводника путем магнетронного распыления пленки из соединений типа фаз внедрения: нитридов, боридов, карбидов или силицидов переходных металлов III-V групп при подаче на полупроводниковую подложку отрицательного смещения, отличающийся тем, что проводят магнетронное распыление фазы внедрения из мишени стехиометрического состава в инертной...