Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями

1. Фотоннокристалічний пристрій з протифазними хвильовими неоднорідностями, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник, який відрізняється тим, що суміжні хвильові неоднорідності виконано з хвильовими опорами Z1 Запропонована корисна модель належить до електромагнітних радіоелектронних пристроїв на основі мікросмужкових фотонних кристалів (ФК) і може бути використана для частотної селекції сигналів. ФК, як і природні кристали, характеризуються зонною діаграмою з чергуванням дозволених та заборонених зон. Мікросмужкові ФК мають періодично розміщені хвильові неоднорідності. Хвильові опори неоднорідностей та однорідної області ФК різні, що приводить до формування дозволених та заборонених частотних зон. Заборонена зона ФК відповідає смузі подавления пристрою, а мінімум коефіцієнта проходження в забороненій зоні - максимальному подавлению сигналу в цій смузі. Відомий фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, на одному боці якої виконано металізацію і ряд періодично розміщених в металізації неоднорідностей у вигляді отворів, а на другому боці розміщено сигнальний провідник, розташований над рядом неоднорідностей [див. Radisic V., Qian Y., Coccioli R., Itoh T. Novel 2D photonic bandgap structure for microstrip lines // IEEE Microwave and Guided Wave Letters, - 1998. - Vol. 8, № 2. - P. 69-71]. Недоліком такого рішення є вузькі заборонені зони та високий рівень сигналу в цих зонах, що обумовлене слабкими за своєю дією неоднорідностями. Хвильовий опір Z такої неоднорідності відповідає умові Z>Z0, де Z0 - хвильовий опір однорідної області, і невисокий. Найбільш близьким до запропонованого пристрою є фотоннокристалічний пристрій, що містить діелектричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей у вигляді наскрізних отворів, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник [див. Rumsey I., Piket-May M., Kelly P.K. Photonic bandgap structures used as filters in microstrip circuits // IEEE Microwave and Guided Wave Letters, - 1998. - Vol. 8, № 10. - P. 336338]. Такі неоднорідності мають більше значення Z, у порівнянні з попереднім рішенням, що забезпечує розширення заборонених зон та зменшення рівня сигналу в цих зонах. Недоліком пристрою, як і інших відомих фотоннокристалічних пристроїв, є однофазність неоднорідностей, що збільшує габарити пристрою. Задачею запропонованої корисної моделі є зменшення габаритів відомого пристрою шляхом виконання ряду неоднорідностей з почергово розміщених протифазних неоднорідностей. Поставлена задача вирішується тим, що у фотоннокристалічному пристрої, що містить діелект та Z 2 , які відповідають умові Z1 Z0 Z2 , де Z 0 - хвильовий опір однорідної області пристрою. 2. Фотоннокристалічний пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що додатково виконуються умови: Z1Z2 2 Z0 , l1 / l2 2/ 1 , (19) UA (11) 55752 (13) U де l1 і l2 - довжини суміжних хвильових неоднорідностей у напрямку поширення хвилі; 1 і 2 - відносні діелектричні проникності суміжних хвильових неоднорідностей. 3 ричну основу, в якій виконано ряд хвильових неоднорідностей, що розміщені з заданою періодичністю, причому з одного боку основа металізована, а на другому боці основи над рядом неоднорідностей розміщено сигнальний провідник, новим є те, що суміжні хвильові неоднорідності виконано 3 хвильовими опорами Z1 та Z2, які відповідають умові Z1>Z0>Z2. Неоднорідностям з Z>Z0, як і неоднорідностям з ZZ0 мають такі неоднорідності: отвори в металізації; наскрізні або ненаскрізні отвори в діелектричній основі, а хвильовий опір ZZ0 коефіцієнт відбиття r>0, а при Z