Патенти з міткою «inхga1-хas»

Номер патенту: 62990

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Стецко Роман Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: inхga1-хas, отримання, твердого, мікрокристалів, розчину, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InxGa1-xAs, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують НСl, а як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, в яку завантажують підкладку з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною (0,01¸0,05) мкм,...