Патенти з міткою «мікрокристалів»

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна, Кость Ярослав Ярославович, Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна

МПК: C30B 25/00

Мітки: мікрокристалів, магнітного, антимоніду, легованих, спосіб, стійких, отримання, поля, сенсорів, радіаційної, індію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Номер патенту: 99078

Опубліковано: 10.07.2012

Автори: Штабалюк Агата Петрівна, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00, C30B 29/40

Мітки: спосіб, підвищення, стабільності, параметрів, мікрокристалів, індію, антимоніду

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення стабільності параметрів мікрокристалів антимоніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9-1,1)∙10-4 Па, запаюють та розміщують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів до температури Т=700±5 °С та нагрівом зони...

Номер патенту: 62990

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Макідо Олена Юріївна, Большакова Інеса Антонівна, Стецко Роман Михайлович, Шуригін Федір Михайлович, Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 25/00

Мітки: inхga1-хas, твердого, спосіб, отримання, мікрокристалів, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InxGa1-xAs, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують НСl, а як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, в яку завантажують підкладку з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною (0,01¸0,05) мкм,...

Номер патенту: 60473

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Ворошило Галина Іванівна, Макідо Олена Юріївна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: індію, легованих, мікрокристалів, арсеніду, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують арсенід індію та підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)·10-2 Па, заповнюють транспортним газом - хлористим воднем до тиску (3¸4)·104 Па, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури...

Номер патенту: 90834

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Большакова Інеса Антонівна, Макідо Олена Юріївна, Ворошило Галина Іванівна, Шуригін Федір Михайлович, Кость Ярослав Ярославович

МПК: C30B 29/40, C30B 29/10, C30B 25/00 ...

Мітки: антимоніду, мікрокристалів, одержання, індію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання мікрокристалів антимоніду індію, за яким кварцову ампулу, в якій розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором золотом, та джерело антимоніду індію, вакуумують, запаюють та нагрівають, який відрізняється тим, що одночасно з підкладкою та джерелом антимоніду індію в кварцовій ампулі розташовують йод, вакуумування проводять до тиску в ампулі не більше (0,9-4,1)·10-4 Па, після вакуумування...

Номер патенту: 48871

Опубліковано: 12.04.2010

Автори: Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Шуригін Федір Михайлович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: індію, арсеніду, спосіб, мікрокристалів, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання мікрокристалів арсеніду індію, згідно з яким кварцову ампулу, в якій розташовують підкладку з попередньо нанесеними на неї мікрочастинками золота та арсенід індію, вакуумують, запаюють та розташовують у електропечі опору з нагрівом зони джерела арсеніду індію до температури Т=930±2 К, у такому режимі ампулу витримують до отримання мікрокристалів InAs, який відрізняється тим, що вакуумування проводять до тиску в ампулі не...

Номер патенту: 39921

Опубліковано: 16.07.2001

Автори: БІЧ Стівен Фредерік, ЛЕТЕМ Девід Віл'ям Стюарт, РОБЕРТС Тоні Гордон, СІДГВІК Колін Брайан

МПК: A61K 9/14, A61P 11/00, C07C 13/00 ...

Мітки: солі, 4-гідрокси-a'-[[[6-(4-фенилбутокси)гексил]аміно]метил]-1,3-бензолдиметанолу, отримана, 1-гідрокси-2-нафталінкарбоксилатної, мікрокристалів, сіль, отримання, зрощень, сферичних, гідроксинафтоатна, форми, спосіб

Формула / Реферат:

1. Способ получения 1-гидрокси-2-нафталинкарбоксилатной соли 4-гидрокси-α'-[[[6-(4-фенилбутокси) гексил] амино] метил]-1,3-бензолдиметанола в форме сферических сращений микрокристаллов, отличающийся тем, что включает резкое охлаждение спиртового (С1-4 ) раствора или водно-спиртового (С1-4) раствора гидроксинафтоатной соли спиртом (С1-4) или водно-спиртовым растворителем (С1-4), имеющим более низкую температуру, чем указанный раствор соли...