Стецко Роман Михайлович
Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину inхga1-хas
Номер патенту: 62990
Опубліковано: 26.09.2011
Автори: Ворошило Галина Іванівна, Большакова Інеса Антонівна, Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Стецко Роман Михайлович
МПК: C30B 25/00
Мітки: розчину, отримання, мікрокристалів, inхga1-хas, спосіб, твердого
Формула / Реферат:
Спосіб отримання мікрокристалів твердого розчину InxGa1-xAs, згідно з яким вакуумують об'єм камери осадження, в якій розташовують підкладку, джерела індію, арсену, галію, транспортний газ, та нагрівають, який відрізняється тим, що як транспортний газ використовують НСl, а як камеру осадження використовують запаяну кварцеву ампулу, в яку завантажують підкладку з попередньо нанесеними на неї смужками золота товщиною (0,01¸0,05) мкм,...