H01L 21/336 — з ізольованим затвором

Номер патенту: 108773

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Монастирський Любомир Степанович, Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/00, H01J 37/30 ...

Мітки: спосіб, отримання, кремнієвого, мдн-транзистора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, за яким на поверхні кремнієвої підкладки р-типу формують пари n+ областей провідності з електродами стоку і витоку, підзатворний діелектрик на основі SiО2 і на ньому затворний електрод, проводять пасивацію транзистора, який відрізняється тим, що перед формуванням елементів МДН-транзистора кремнієву структуру Si-SiО2 попередньо опромінюють рентгенівськими променями зі сторони SiО2 з дозою...

Номер патенту: 93121

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Гладкий Роман Богданович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ

МПК: H01L 21/336

Мітки: надвисокочастотний, мдн-транзистор

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний МДН-транзистор, сформований на високоомній напівпровідниковій підкладці, який містить витік, стік та затвор, ізольований від каналу провідності МДН-транзистора діелектриком SiO2, омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що канал провідності МДН-транзистора між витоком і стоком сформований з активного, межуючого з підкладкою, і пасивного, межуючого з діелектриком SiО2, шарів, при цьому активний шар каналу...

Номер патенту: 44829

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Гладкий Роман Богданович, ГЛАДКИЙ БОГДАН ІВАНОВИЧ

МПК: H01L 21/336

Мітки: надвисокочастотний, метал-діелектрик-напівпровідник-транзистор

Формула / Реферат:

1. Надвисокочастотний метал-діелектрик-напівпровідник-транзистор (НВЧ МДН-транзистор), що містить високоомну підкладку із напівізолюючого напівпровідника, вироджену n+-область "витік", вироджену n+-область "стік", затвор, ізольований від каналу діелектриком SiO2, омічні контакти і електроди, який відрізняється тим, що з метою збільшення крутості і розширення частотного діапазону (підвищення граничної частоти) канал...

Номер патенту: 86018

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Морозов Леонід Михайлович, Коман Богдан Петрович

МПК: H01L 21/26, H01L 29/76, H01L 21/336 ...

Мітки: кремнієвого, мдн-транзистора, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора, що включає формування пари n+ областей провідності на поверхні кремнієвої підкладки р-типу та формування електродів стоку і витоку, формування підзатворного діелектрика на основі SiO2 та формування затворного електрода, проведення процесів пасивації та наступного опромінення отриманої транзисторної структури з довжиною каналу від 2 до 10 мкм із шириною 50 мкм рентгенівськими променями при...

Номер патенту: 73508

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Лудвіг Хрістоф, Шпрінгманн Олівер, Вавер Петер, Хуккельс Кай, Реннекамп Райнхольд, Рьоріх Майк, Штайн фон Камінскі Елард, Куттер Хрістоф, Хайтцш Олаф, Вольф Конрад

МПК: H01L 21/336, H01L 29/788

Мітки: окремим, тунельним, спосіб, виготовлення, напівпровідникової, комірки, запам'ятовуючої, енергонезалежної, вікном

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення енергонезалежної напівпровідникової запам'ятовуючої комірки з окремим тунельним вікном, що включає технологічні операції виготовлення комірки тунельного вікна (TF) шляхом формування тунельної області (TG), тунельного шару (4), запам'ятовуючого шару (Т5) тунельного вікна, діелектричного шару (Т6) тунельного вікна і шару (Т7) керуючого електрода тунельного вікна, і транзисторної запам'ятовуючої комірки (TZ) шляхом...